Question

在半導體離子注入工藝中，初速度可忽略的離子P⁺和P³⁺，經(jīng)電壓為U的電場加速后，垂直進入磁感應(yīng)強度大小為B、方向垂直紙面向里，有一定的寬度的勻強磁場區(qū)域，如圖所示。已知離子P⁺在磁場中轉(zhuǎn)過θ=30°后從磁場右邊界射出。在電場和磁場中運動時，離子P⁺和P³⁺

A．在電場中的加速度之比為1:1

B．在磁場中運動的半徑之比為:1

C．在磁場中轉(zhuǎn)過的角度之比為1 : 2

D．離開電場區(qū)域時的動能之比為1 : 3

Answer 1

BCD【解析】電場中的加速度，則在電場中的加速度之比為1:3，A錯；磁場中的偏轉(zhuǎn)半徑,又則，半徑之比為，B對；分析P⁺粒子運動可得磁場寬度，分析P³⁺粒子運動可得磁場寬度，則，離開電場時動能,二者之比,D對。