11.如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運動的簡化模型示意圖,在Oxy平面的OABC區(qū)域內(nèi),存在兩個大小均為E的勻強電場Ⅰ和Ⅱ,電場Ⅰ的方向水平向左,電場Ⅱ的方向豎直向上,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(中間為無場區(qū),不計電子所受重力).
(1)在位置坐標(biāo)(0,$\frac{3}{4}$L)處由靜止釋放一電子,求電子離開OABC區(qū)域時的位置坐標(biāo);
(2)若在OA邊上的某位置由靜止釋放電子,電子恰能經(jīng)過D(3L,0)處,求該釋放點的位置坐標(biāo).

分析 (1)電子在電場I區(qū)域做初速度為0的勻加速運動,進入電場II區(qū)域后做類平拋運動,根據(jù)運動的合成與分解求解電子離開OABC區(qū)域的位置坐標(biāo);
(2)根根據(jù)電子在電場I中做勻加速運動,在兩電場間做勻速直線運動,進入電場II做類平拋運動,離開電場II做勻速直線運動,根據(jù)運動規(guī)律反推電子的坐標(biāo).

解答 解:(1)電子在電場I區(qū)域做初速度為0的勻加速直線運動,根據(jù)動能定理有電子離開電場I時的速度:
$eEL=\frac{1}{2}m{v}^{2}$
可得電子速度$v=\sqrt{\frac{2eEL}{m}}$
電子離開電場I后做勻速直線運動后再進入電場II,在電場II中電子具有水平方向的初速度和豎直方向的電場力,電子做類平拋運動,
水平方方向做勻速直線運動滿足:L=vt       ①
在豎直方向做初速度為0的勻加速直線運動:${s}_{y}=\frac{1}{2}a{t}^{2}$        ②
在豎直方向上的加速度$a=\frac{eE}{m}$        ③
由①②③可解得電子在電場II區(qū)域內(nèi)偏轉(zhuǎn)的位移sy=$\frac{1}{2}•\frac{eE}{m}•(\frac{L}{\sqrt{\frac{2eEL}{m}}})^{2}$=$\frac{L}{4}$
所以電子離開電場時的縱坐標(biāo)y=$\frac{3}{4}L-{s}_{y}=\frac{3}{4}L-\frac{1}{4}L=\frac{L}{2}$,即離開電場II的坐標(biāo)為($\frac{L}{2}$,0)
(2)在OA邊上釋放的電子經(jīng)過電場I加速后進入電場II的速度大小為$v=\sqrt{\frac{2eEL}{m}}$,離開電場II時的速度與水平方向的夾角的正切值
$tanθ=\frac{{v}_{y}}{{v}_{x}}=\frac{\frac{eE}{m}•\frac{L}{\sqrt{\frac{2eEL}{m}}}}{\sqrt{\frac{2eEL}{m}}}=\frac{1}{2}$
離開電場后電子做勻速直線運動,經(jīng)過D(3L,0)處根據(jù)幾何關(guān)系知,離子離開電場II區(qū)域的位置坐標(biāo)為($\frac{5L}{2}$,$\frac{L}{2}$),所以由(1)式分析知電子釋放處坐標(biāo)為(0,$\frac{3L}{4}$).
答:(1)在位置坐標(biāo)(0,$\frac{3}{4}$L)處由靜止釋放一電子,電子離開OABC區(qū)域時的位置坐標(biāo)為($\frac{L}{2}$,0);
(2)若在OA邊上的某位置由靜止釋放電子,電子恰能經(jīng)過D(3L,0)處,釋放點的位置坐標(biāo)為(0,$\frac{3}{4}$L).

點評 分析電子在電場中的受力特點,根據(jù)運動特征確定電子的運動情況,再根據(jù)運動的規(guī)律求解.掌握運動的合成與分解求解曲線運動的規(guī)律是正確解題的關(guān)鍵.

練習(xí)冊系列答案
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(1)定值電阻R0的作用是分壓限流,保護電路元件作用.
(2)電流表的示數(shù)與待測物體質(zhì)量m之間的關(guān)系式為I=$\frac{U}{(1-\frac{mgl}{FL})R+{R}_{0}}$;此地磅的刻度特點是不均勻.
(3)有同學(xué)建議小明將原理圖改為圖2所示,你認(rèn)為這樣改不好(填“好”或“不好”)
(4)請你在圖2的基礎(chǔ)上,在圖3的方框里畫出你改進后的電路圖,這樣該的好處是電壓與質(zhì)量成正比,反應(yīng)質(zhì)量的刻度線均勻.

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