如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U的加速電場(chǎng)加速后勻速通過(guò)準(zhǔn)直管,垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),偏轉(zhuǎn)后通過(guò)極板HM上的小孔S離開(kāi)電場(chǎng),經(jīng)過(guò)一段勻速直線運(yùn)動(dòng),垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng).已知HO=d,HS=2d,∠MNQ=90°.(忽略粒子所受重力)
(1)求偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)E的大小以及HM與MN的夾角φ;
(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;
(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)S1處,質(zhì)量為16m的離子打在S2處.求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍.

【答案】分析:(1)正離子被電壓為U的加速電場(chǎng)加速后的速度可以通過(guò)動(dòng)能定理求出,而正離子垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)后,作類平拋運(yùn)動(dòng),最終過(guò)極板HM上的小孔S離開(kāi)電場(chǎng),根據(jù)平拋運(yùn)動(dòng)的公式及幾何關(guān)系即可求出電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)E,φ可以通過(guò)末速度沿場(chǎng)強(qiáng)方向和垂直電場(chǎng)方向的速度比求得正切值求解;
(2)正離子進(jìn)入磁場(chǎng)后在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中作勻速圓周運(yùn)動(dòng),由洛侖茲力提供向心力,根據(jù)向心力公式即可求得半徑;
(3)根據(jù)離子垂直打在NQ的位置及向心力公式分別求出運(yùn)動(dòng)的半徑R1、R2,再根據(jù)幾何關(guān)系求出S1和S2之間的距離,能打在NQ上的臨界條件是,半徑最大時(shí)打在Q上,最小時(shí)打在N點(diǎn)上,根據(jù)向心力公式和幾何關(guān)系即可求出正離子的質(zhì)量范圍.
解答:解:(1)正離子被電壓為U的加速電場(chǎng)加速后速度設(shè)為V1,則
對(duì)正離子,應(yīng)用動(dòng)能定理有eU=mV12,
正離子垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),作類平拋運(yùn)動(dòng)
受到電場(chǎng)力F=qE、產(chǎn)生的加速度為a=,即a=,
垂直電場(chǎng)方向勻速運(yùn)動(dòng),有2d=V1t,
沿場(chǎng)強(qiáng)方向:Y=at2,
聯(lián)立解得E=
又tanφ=,解得φ=45°;
(2)正離子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度大小為V2,
解得V2=
正離子在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中作勻速圓周運(yùn)動(dòng),由洛侖茲力提供向心力,qV2B=,
解得離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑R=2;
(3)根據(jù)R=2可知,
質(zhì)量為4m的離子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)打在S1,運(yùn)動(dòng)半徑為R1=2
質(zhì)量為16m的離子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)打在S2,運(yùn)動(dòng)半徑為R2=2,
又ON=R2-R1,
由幾何關(guān)系可知S1和S2之間的距離△S=-R1
聯(lián)立解得△S=4(-1);
由R′2=(2 R12+( R′-R12解得R′=R1,
再根據(jù)R1<R<R1
解得m<mx<25m.
答:(1)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)E的大小為,HM與MN的夾角φ為45°;(2)質(zhì)量為m的離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為2;
    (3)S1和S2之間的距離為4(-1),能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍為m<mx<25m.
點(diǎn)評(píng):本題第(1)問(wèn)考查了帶電粒子在電場(chǎng)中加速和偏轉(zhuǎn)的知識(shí)(即電偏轉(zhuǎn)問(wèn)題),加速過(guò)程用動(dòng)能定理求解,偏轉(zhuǎn)過(guò)程用運(yùn)動(dòng)的合成與分解知識(shí)結(jié)合牛頓第二定律和運(yùn)動(dòng)學(xué)公式求解;第(2)問(wèn)考查磁偏轉(zhuǎn)知識(shí),先求進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的合速度v,再由洛倫茲力提供向心力求解R;第(3)問(wèn)考查用幾何知識(shí)解決物理問(wèn)題的能力.該題綜合性強(qiáng),難度大.
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(2009?重慶)如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場(chǎng)加速后勻速通過(guò)準(zhǔn)直管,垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),偏轉(zhuǎn)后通過(guò)極板HM上的小孔S離開(kāi)電場(chǎng),經(jīng)過(guò)一段勻速直線運(yùn)動(dòng),垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng).已知HO=d,HS=2d,∠MNQ=90°.(忽略粒子所受重力)
(1)求偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)E0的大小以及HM與MN的夾角φ;
(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;
(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)S1處,質(zhì)量為16m的離子打在S2處.求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場(chǎng)加速后勻速通過(guò)準(zhǔn)直管W#W$W%.K**S*&5^U,垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),偏轉(zhuǎn)后通過(guò)極板HM上的小孔S離開(kāi)電場(chǎng),經(jīng)過(guò)一段勻速直線運(yùn)動(dòng),垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。已知HO=d,HS=2d,=90°。

(忽略粒子所受重力和一切阻力)

(1)求偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)E0的大小以及HM與MN的夾角;

(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;

(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)處,質(zhì)量為16m的離子打在處。求之間的距離。

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場(chǎng)加速后勻速通過(guò)準(zhǔn)直管,垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),偏轉(zhuǎn)后通過(guò)極板HM上的小孔S離開(kāi)電場(chǎng),經(jīng)過(guò)一段勻速直線運(yùn)動(dòng),垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。已知HO=d,HS=2d,=90°。

(忽略粒子所受重力和一切阻力)

(1)求偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)E0的大小以及HM與MN的夾角;

(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;

(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)處,質(zhì)量為16m的離子打在處。求之間的距離。

 

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如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場(chǎng)加速后勻速通過(guò)準(zhǔn)直管,垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),偏轉(zhuǎn)后通過(guò)極板HM上的小孔S離開(kāi)電場(chǎng),經(jīng)過(guò)一段勻速直線運(yùn)動(dòng),垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。已知HO=d,HS=2d,=90°。

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(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;

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