如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場(chǎng)加速后勻速通過(guò)準(zhǔn)直管,垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),偏轉(zhuǎn)后通過(guò)極板HM上的小孔S離開電場(chǎng),經(jīng)過(guò)一段勻速直線運(yùn)動(dòng),垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。已知HO=d,HS=2d,=90°。
(忽略粒子所受重力和一切阻力)
(1)求偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)E0的大小以及HM與MN的夾角;
(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;
(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)處,質(zhì)量為16m的離子打在處。求和之間的距離。
(1)(5分)正離子被電壓為U0的加速電場(chǎng)加速后速度設(shè)為v0,根據(jù)動(dòng)能定理有
正離子垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),作類平拋運(yùn)動(dòng)
沿電場(chǎng)線方向
垂直電場(chǎng)方向勻速運(yùn)動(dòng),有
沿場(chǎng)強(qiáng)方向:
聯(lián)立解得
設(shè)粒子飛出偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)時(shí)與平板方向的夾角為,則,
解得=45°;φ==45°
(2)(6分)正離子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度大小為
解得
正離子在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中作勻速圓周運(yùn)動(dòng),由洛侖茲力提供向心力,
解得離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑
(3)(7分)粒子運(yùn)動(dòng)的軌跡如圖甲所示,
根據(jù)可知,
質(zhì)量為4m的離子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)打在S1,運(yùn)動(dòng)半徑為
質(zhì)量為16m的離子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)打在S2,運(yùn)動(dòng)半徑為
如圖所示又
由幾何關(guān)系可知S1和S2之間的距離,
聯(lián)立解得
【解析】略
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場(chǎng)加速后勻速通過(guò)準(zhǔn)直管W#W$W%.K**S*&5^U,垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),偏轉(zhuǎn)后通過(guò)極板HM上的小孔S離開電場(chǎng),經(jīng)過(guò)一段勻速直線運(yùn)動(dòng),垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。已知HO=d,HS=2d,=90°。
(忽略粒子所受重力和一切阻力)
(1)求偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)E0的大小以及HM與MN的夾角;
(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;
(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)處,質(zhì)量為16m的離子打在處。求和之間的距離。
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場(chǎng)加速后勻速通過(guò)準(zhǔn)直管,垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),偏轉(zhuǎn)后通過(guò)極板HM上的小孔S離開電場(chǎng),經(jīng)過(guò)一段勻速直線運(yùn)動(dòng),垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。已知HO=d,HS=2d,=90°。
(忽略粒子所受重力和一切阻力)
(1)求偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)E0的大小以及HM與MN的夾角;
(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;
(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)處,質(zhì)量為16m的離子打在處。求和之間的距離。
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科目:高中物理 來(lái)源:2012年四川省遂寧市射洪中學(xué)高考物理模擬試卷(四)(解析版) 題型:解答題
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