下列說法正確的是_________。(雙選，填正確答案標(biāo)號)

a．液晶既具有液體的流動性，又具有光學(xué)的各向異性

b．太空中水滴成球形，是液體表面張力作用的結(jié)果

c．微粒越大，撞擊微粒的液體分子數(shù)量越多，布朗運動越明顯

d．單位時間內(nèi)氣體分子對容器壁單位面積上碰撞次數(shù)減少，氣體的壓強一定減小

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：


如圖所示，水平地面上固定一個光滑絕緣斜面，斜面與水平面的夾角為θ。一根輕質(zhì)絕緣細線的一端固定在斜面頂端，另一端系有一個帶電小球A，細線與斜面平行。小球A的質(zhì)量為m、電量為q。小球A的右側(cè)固定放置帶等量同種電荷的小球B，兩球心的高度相同、間距為d。靜電力常量為k，重力加速度為g，兩帶電小球可視為點電荷。小球A靜止在斜面上，則（   ）

A.小球A與B之間庫侖力的大小為     B.當(dāng)時，細線上的拉力為0

C.當(dāng)時，細線上的拉力為0    D.當(dāng)時，斜面對小球A的支持力為0

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科目：高中物理 來源： 題型：


以往我們認識的光電效應(yīng)是單光子光電效應(yīng)，即一個電子極短時間內(nèi)能吸收到一個光子而從金屬表面逸出。強激光的出現(xiàn)豐富了人們對于光電效應(yīng)的認識，用強激光照射金屬，由于其光子密度極大，一個電子在短時間內(nèi)吸收多個光子成為可能，從而形成多光子電效應(yīng)，這已被實驗證實。光電效應(yīng)實驗裝置示意如圖。用頻率為v的普通光源照射陰極k，沒有發(fā)生光電效應(yīng)，換同樣頻率為v的強激光照射陰極k，則發(fā)生了光電效應(yīng)；此時，若加上反向電壓U，即將陰極k接電源正極，陽極A接電源負極，在k、A之間就形成了使光電子減速的電場，逐漸增大U，光電流會逐漸減�。划�(dāng)光電流恰好減小到零時，所加反向電壓U可能是下列的（其中W為逸出功，h為普朗克常量，e為電子電量）

A.U=-              B.U=-      C.U=2hv-W             D. U=-

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如圖所示，水平傳送帶AB的右端與豎直面內(nèi)的用光滑鋼管彎成的“9”形固定軌道相接，鋼管內(nèi)徑很�。� 傳送帶的運行速度為V0=6m/s，將質(zhì)量m=1.0kg的可看作質(zhì)點的滑塊無初速地放到傳送帶A端，長度為L=12.0m，“9”字全高H=0.8m，“9”字上半部分圓弧半徑為R=0.2m，滑塊與傳送帶間的動摩擦因數(shù)為μ=0.3，重力加速度g=10m/s2，試求：

（1）滑塊從傳送帶A端運動到B端所需要的時間

（2）滑塊滑到軌道最高點C時對軌道作用力的大小和方向

（3）若滑塊從“9”形規(guī)道D點水平拋出后，恰好垂直撞在傾角 θ=60°的斜面上P點，求P、D兩點間的豎直高度h（保留兩位有效數(shù)字）

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如圖所示，粗糙斜面上的輕質(zhì)彈簧一端固定，另一端與小物塊相連，彈簧處于自然長度時物塊位于O點�，F(xiàn)將物塊拉到A點后由靜止釋放，物塊運動到最低點B(圖中B點未畫出)。下列說法正確的是

A．B點可能在O點右上方

B．速度最大時，物塊的位置可能在O點左下方

C．從A到B的過程中，物塊和彈簧的總機械能可能增大

D．從A到B的過程中．物塊減小的機械能可能大于它克服摩擦力做的功

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1926年美國波士頓的內(nèi)科醫(yī)生盧姆加特等首次應(yīng)用放射性氡研究人體動、靜脈血管床之間的循環(huán)時間，被譽為“臨床核醫(yī)學(xué)之父”。氡的放射性同位素有27種，其中最常用的是衰變和衰變后變成穩(wěn)定的。

(i)求m、n的值；

(ii)一個靜止的氡核()放出一個粒子后變成釙核()。已知釙核的速率，求粒子的速率。

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如圖4所示，線圈兩端接在電流表上組成閉合電路．在下列情況中，電流表指針不發(fā)生偏轉(zhuǎn)的是(　　)

圖4

A．線圈不動，磁鐵插入線圈

B．線圈不動，磁鐵從線圈中拔出

C．磁鐵不動，線圈上、下移動

D．磁鐵插在線圈內(nèi)不動

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如圖1所示，正弦式交變電流的電壓的最大值為311 V，負載電阻R＝440 Ω，不考慮電表內(nèi)阻的影響，則電路中交流電壓表和交流電流表的示數(shù)分別為(　　)

圖1

A．311 V,0.707 A        B．220 V,0.5 A

C．311  V,10 A    D．311 V,0.05 A

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某電器元件不小心被外磁場磁化了，為了使該元件退磁，下列方法有效可行的有(下列方法均不會使元件損壞)(　　)

A．把該元件高溫處理

B．把該元件通入強電流

C．把該元件放在逐漸減弱的交變磁場中

D．把該元件放入強磁場中

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