如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動的簡化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個場強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場Ⅰ和Ⅱ,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計電子重力)電子電荷量為-e。

(1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置。

(2)在電場Ⅰ區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點(diǎn)的位置。

(3)若電子從(2)問求出位置中的某個位置出發(fā),使電子出電場Ⅱ時動能最小,求釋放的位置及電子出電場Ⅱ時最小動能為多少?

(1)位置坐標(biāo)為(-2L,L) ,(2) 釋放點(diǎn)的位置應(yīng)滿足 ,(3) 電子釋放位置坐標(biāo)為(,)

【解析】

試題分析:(1)電子在電場Ⅰ中做勻加速直線運(yùn)動,設(shè)出區(qū)域Ⅰ時的速度為v0,進(jìn)入電場Ⅱ做類平拋運(yùn)動,設(shè)電子的加速度為a,假設(shè)電子從CD邊射出,出射點(diǎn)縱坐標(biāo)為y,區(qū)域Ⅰ由動能定理有①,區(qū)域Ⅱ由勻加速運(yùn)動有②,聯(lián)立①②可得y=L,y為正值原假設(shè)成立,電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo)為(-2L,L)。

(2)設(shè)釋放點(diǎn)在電場區(qū)域Ⅰ中,其坐標(biāo)為(x,y),在電場Ⅰ中電子被加速到v1,然后進(jìn)入電場Ⅱ做類平拋運(yùn)動,并從D點(diǎn)離開,有③,④,聯(lián)立③④可得。

(3)設(shè)電子出區(qū)域Ⅰ的動能為Ek,因為電子出區(qū)域Ⅰ電場力做正功、在區(qū)域Ⅱ電場力做負(fù)功,使電子出電場Ⅱ時動能最小,則要求電子出區(qū)域Ⅰ時動能最小,即求Ek有最小值,由,,可知當(dāng)x=y=時Ek有最小,即電子釋放位置坐標(biāo)為()時,有最小動能。

練習(xí)冊系列答案
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如圖所示,質(zhì)量M=400g的劈形木塊B上疊放一木塊A,A的質(zhì)量為m=200g。A、B一起放在斜面上,斜面傾角θ=37°,B的上表面呈水平,B與斜面之間及B與A之間的動摩擦因數(shù)均為μ=0.2。當(dāng)B受到一個F=5.76N的沿斜面向上的作用力時,A相對B靜止,并一起沿斜面向上運(yùn)動。

(sin37°=0.6,cos37°=0.8,g=10m/s2)求:

(1)B的加速度大。

(2)A受到的摩擦力及A對B的壓力大小。

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A.開普勒研究了第谷的行星觀測記錄,得出了開普勒行星運(yùn)動定律

B.牛頓將行星與太陽、地球與月球、地球與地面物體之間的引力規(guī)律推廣到宇宙中的一切物體,得出了萬有引力定律

C.卡文迪許首次在實驗室中比較準(zhǔn)確地得出了引力常量G的數(shù)值

D.根據(jù)天王星的觀測資料,哈雷利用萬有引力定律計算出了海王星的軌道

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如圖所示,兩個3/4豎直圓弧軌道固定在同一水平地面上,半徑R相同,左側(cè)軌道由金屬凹槽制成,右側(cè)軌道由金屬圓管制成,均可視為光滑。在兩軌道右側(cè)的正上方分別將金屬小球A和B由靜止釋放,小球距離地面的高度分別為hA和hB,下列說法正確的是

A.若使小球A沿軌道運(yùn)動并且從最高點(diǎn)飛出,釋放的最小高度為5/2R

B.若使小球B沿軌道運(yùn)動并且從最高點(diǎn)飛出,釋放的最小高度為5/2R

C.適當(dāng)調(diào)整hA,可使A球從軌道最高點(diǎn)飛出后,恰好落在軌道右端口處

D.適當(dāng)調(diào)整hB,可使B球從軌道最高點(diǎn)飛出后,恰好落在軌道右端口處

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兩個動量相同的物體,沿水平地面滑行一段距離后停下,已知兩者與地面間的動摩擦因數(shù)相同,則這兩個物體

A.滑行的時間一定相同

B.滑行的距離一定相同

C.滑行的所受的沖量一定相同

D.滑行時所受摩擦力一定相同

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科目:高中物理 來源:2014-2015學(xué)年浙江湖州中學(xué)高二上期期中考試物理卷(解析版) 題型:填空題

如圖所示,在勻強(qiáng)電場中有A.B.c三點(diǎn),A.b相距4 cm,B.c相距10 cm。將一個帶電荷量為2×10-8 C 的電荷從a點(diǎn)移到b點(diǎn)時,電場力做功為4×10-6 J,將此電荷從b點(diǎn)移到c點(diǎn)時電場力做功為________ J,A.c間電勢差為________V。

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A.粒子帶正電

B.粒子在A點(diǎn)加速度大

C.粒子在B點(diǎn)動能大

D.A.B兩點(diǎn)相比,B點(diǎn)電勢能較大

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A.電壓表示數(shù)增大 B.電壓表示數(shù)減小

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