A. | γ射線是波長很短的電磁波,它的穿透能力比β射線要強(qiáng) | |
B. | 物體動(dòng)量的變化率等于它所受的合外力 | |
C. | 氡的半衰期為3.8天,若取4個(gè)氡原子核,經(jīng)7.6天后就一定剩下一個(gè)氡原子核 | |
D. | 用同一頻率的光照射不同的金屬,如果都能產(chǎn)生光電效應(yīng),則逸出功大的金屬產(chǎn)生的光電子的最大初動(dòng)能也大 | |
E. | 按照玻爾理論,氫原子核外電子從半徑較小的軌道躍遷到半徑較大的軌道運(yùn)動(dòng)時(shí),電子的動(dòng)能減小,原子總能量增加 |
分析 半衰期是針對大量的原子;三種射線中,穿透能力和電離能力強(qiáng)弱是相反的;γ射線是波長很短的電磁波,它的穿透能力比β射線要強(qiáng);
根據(jù)光電效應(yīng)方程EKm=hγ-W,即可確定最大初動(dòng)能的大小;軌道半徑越大,原子能量越大,根據(jù)庫侖引力提供向心力,比較電子速度的變化,從而得知?jiǎng)幽艿淖兓?/p>
解答 解:A、γ射線一般伴隨著α或β射線產(chǎn)生,γ射線的穿透能力最強(qiáng),電離能力最弱,故A正確;
B、根據(jù)動(dòng)量定理△I=△F•t,則有物體動(dòng)量的變化率等于它所受的合外力,故B正確;
C、半衰期是針對大量的原子,符合統(tǒng)計(jì)規(guī)律的隨機(jī)過程量,對于4個(gè)原子來說半衰期是沒有意義的,故C錯(cuò)誤;
D、根據(jù)光電效應(yīng)方程EKm=hγ-W,則有:逸出功大的金屬產(chǎn)生的光電子的最大初動(dòng)能小,故D錯(cuò)誤;
E、氫原子核外電子從半徑較小的軌道躍遷到半徑較大的軌道時(shí),原子能量增大,根據(jù)k$\frac{{e}^{2}}{{r}^{2}}$=m$\frac{{v}^{2}}{r}$知,動(dòng)能減小,故E正確;
故選:ABE.
點(diǎn)評 本題考查了半衰期的適用條件,三種射線的特性和電子躍遷時(shí),動(dòng)能與電勢能,及總能量的變化關(guān)系,掌握光電效應(yīng)方程的內(nèi)容,最后理解動(dòng)量定理的應(yīng)用.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | β射線比α射線更容易使氣體電離 | |
B. | γ射線在電場和磁場中都不會(huì)發(fā)生偏轉(zhuǎn) | |
C. | 核反應(yīng)堆產(chǎn)生的能量來自輕核的聚變 | |
D. | 一個(gè)氫原子從量子數(shù)n=3躍遷到基態(tài)時(shí)最多可產(chǎn)生2條不同頻率的譜線 | |
E. | 用加熱、加壓或改變其化學(xué)狀態(tài)的方法都不能改變原子核衰變的半衰期 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 物體滑到底端時(shí)的速度v1>v2=v3 | |
B. | 三種情況下物體克服摩擦力做的功W1=W2<W3 | |
C. | 三種情況下物體損失的機(jī)械能△E1>△E2>△E3 | |
D. | 三種情況下摩擦產(chǎn)生的熱量Q1<Q2=Q3 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 物體在0~2s內(nèi)做勻變速直線運(yùn)動(dòng) | |
B. | 第4s末物體回到出發(fā)點(diǎn) | |
C. | 第4s末物體的加速度改變方向 | |
D. | 前3s內(nèi)合外力做的功等于前5s內(nèi)合外力做的功 |
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