A. | 靜止不動(dòng) | B. | 以直導(dǎo)線為軸轉(zhuǎn)動(dòng) | ||
C. | 向磁通量減少的方向運(yùn)動(dòng) | D. | 向磁通量增大的方向運(yùn)動(dòng) |
分析 根據(jù)右手螺旋定則得出固定直導(dǎo)線周圍的磁場(chǎng),采用微元法,得出環(huán)形導(dǎo)線所受的安培力,從而判斷出環(huán)形導(dǎo)線的運(yùn)動(dòng)情況.
解答 解:根據(jù)右手螺旋定則知,直導(dǎo)線上方的磁場(chǎng)垂直紙面向外,下方磁場(chǎng)垂直紙面向里.在環(huán)形導(dǎo)線的上方和下方各取小微元電流,根據(jù)左手定則,上方的微元電流所受安培力向下,下方的微元電流所受安培力向下,則環(huán)形導(dǎo)線的運(yùn)動(dòng)情況是向下運(yùn)動(dòng),即向磁通量增大的方向運(yùn)動(dòng).故D正確,A、B、C錯(cuò)誤.
故選:D.
點(diǎn)評(píng) 解決本題的關(guān)鍵掌握右手螺旋定則判斷電流和周圍磁場(chǎng)方向的關(guān)系,以及會(huì)運(yùn)用左手定則判斷磁場(chǎng)方向、電流方向和安培力方向的關(guān)系.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 電荷在電勢(shì)越高的地方,電勢(shì)能越多 | |
B. | 電場(chǎng)力做正功,電勢(shì)能減少 | |
C. | 電荷電勢(shì)越低的地方,電勢(shì)能越多 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 滑塊在前3s內(nèi)的平均速度$\overline{v}$=7.5m/s | |
B. | 滑塊在第1s內(nèi)和第2s內(nèi)的位移之比為2:1 | |
C. | 滑塊在前4s內(nèi)的位移為零 | |
D. | 滑塊在第3s內(nèi)的平均速度$\overline{v}$=-7.5m/s |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 玻璃磚對(duì)a光的折射率小于對(duì)b光的折射率 | |
B. | 在真空中,a光的波長(zhǎng)小于b光的波長(zhǎng) | |
C. | 在玻璃中,a光的傳播速度小于b光的傳播速度 | |
D. | 若改變光束的入射方向使θ角逐漸變大,則折射光線a首先消失 | |
E. | 分別用a、b光在同一個(gè)雙縫干涉實(shí)驗(yàn)裝置上做實(shí)驗(yàn),a光的干涉條紋間距大于b光的干涉條紋間距 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 熱量總是自發(fā)地從分子平均動(dòng)能大的物體傳遞到分子平均動(dòng)能小的物體 | |
B. | 機(jī)械能不可能全部轉(zhuǎn)化為內(nèi)能,內(nèi)能也無法全部用來做功以轉(zhuǎn)化成機(jī)械能 | |
C. | 第二類永動(dòng)機(jī)不可能制成,因?yàn)樗`反能量守恒定律 | |
D. | 一定質(zhì)量的理想氣體,當(dāng)它的壓強(qiáng)和體積都增大時(shí),其內(nèi)能一定增加 | |
E. | 氣體放出熱量,其分子的平均動(dòng)能可能增大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | tan θ和$\frac{H}{2}$ | B. | ($\frac{{v}^{2}}{2gH}$-1)tan θ和$\frac{H}{2}$ | ||
C. | tan θ和$\frac{H}{2}$ | D. | ($\frac{{v}^{2}}{2gH}$-1)tan θ和$\frac{H}{4}$ |
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