A. | 半衰期為8天的碘131經(jīng)過6天衰變了75% | |
B. | 在光電效應(yīng)實(shí)驗(yàn)中,用同種頻率的光照射不同的金屬表面,逸出光電子的最大初動(dòng)能越大,則這種金屬的逸出功越大 | |
C. | 大量處于n=4能級(jí)的氫原子躍遷到基態(tài)的過程中可以釋放出6種頻率的光子 | |
D. | 只要有核反應(yīng)發(fā)生,就一定會(huì)釋放出核能 |
分析 半衰期是原子核半數(shù)發(fā)生衰變所需的時(shí)間;光電效應(yīng)方程,即可求解判定金屬的逸出功的大小.根據(jù)數(shù)學(xué)組合${C}_{n}^{2}$,從而求解輻射幾種不同頻率的光子;在核反應(yīng)中,可能吸收能量,可能釋放能量
解答 解:A、半衰期為8天的碘131經(jīng)過8天衰變了50%,經(jīng)過6天還不到半數(shù)發(fā)生衰變,故A錯(cuò)誤;
B、據(jù)光電效應(yīng)方程可知,用同種頻率的光照射不同的金屬表面,從金屬表面逸出的光電子的最大初動(dòng)能越大,則這種金屬的逸出功越小,故B錯(cuò)誤;
C、根據(jù)數(shù)學(xué)組合,一群處于n=4能級(jí)的氫原子向基態(tài)躍遷時(shí)最多可以釋放${C}_{4}^{2}$=6種,故C正確;
D、在核反應(yīng)中,當(dāng)反應(yīng)前的質(zhì)量大于反應(yīng)后的質(zhì)量,釋放核能,當(dāng)反應(yīng)前的質(zhì)量小于反應(yīng)后的質(zhì)量,吸收能量.故D錯(cuò)誤.
故選:C
點(diǎn)評(píng) 本題考查了半衰期、光電效應(yīng)、能級(jí)、核反應(yīng)等知識(shí)點(diǎn),難度不大,關(guān)鍵要熟悉教材,掌握這些基本知識(shí)點(diǎn).
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 有天然規(guī)則的幾何外形的物體一定是晶體 | |
B. | 晶體在物理性質(zhì)上一定是各向異性的 | |
C. | 晶體熔化時(shí)具有一定的熔點(diǎn) | |
D. | 晶體和非晶體在適當(dāng)?shù)臈l件下是可能相互轉(zhuǎn)化的 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | Fcosθ | B. | μ(G+Fsinθ) | C. | $\frac{μG}{1-μtanθ}$ | D. | Fsinθ |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 2m | B. | 4m | C. | 6m | D. | 8m |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | A點(diǎn)的電場強(qiáng)度大于B點(diǎn)的電場強(qiáng)度 | |
B. | 電子在A點(diǎn)的電勢能小于在B點(diǎn)的電勢能 | |
C. | 把質(zhì)子從A點(diǎn)移動(dòng)到B點(diǎn),靜電力對(duì)質(zhì)子做功為零 | |
D. | 把質(zhì)子從A點(diǎn)移動(dòng)到MN上任何一點(diǎn),質(zhì)子電勢能都減少 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | A、B兩物體運(yùn)動(dòng)的速度方向相反 | |
B. | A、B兩物體運(yùn)動(dòng)的加速度方向相反 | |
C. | t=4s時(shí)A、B兩物體相遇 | |
D. | 在相遇前,A、B兩物體最遠(yuǎn)趾離是20m |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 加速度為正的直線運(yùn)動(dòng)一定為勻加速直線運(yùn)動(dòng) | |
B. | 加速度為負(fù)的直線運(yùn)動(dòng)也有可能為勻加速直線運(yùn)動(dòng) | |
C. | 在勻加速直線運(yùn)動(dòng)中,速度隨時(shí)間變化越快其加速度越大 | |
D. | 在勻加速直線運(yùn)動(dòng)中,速度變化越大其加速度越大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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