A. | 一定質(zhì)量的氣體膨脹對外做功100J,同時從外界吸收120J的熱量,則它的內(nèi)能增大20J | |
B. | 分子間同時存在著引力和斥力,當(dāng)分子間距增加時,分子間的引力增大,斥力減小 | |
C. | 由于液體表面層分子間距離大于液體內(nèi)部分子間距離,液體表面存在張力 | |
D. | 已知某物質(zhì)的摩爾質(zhì)量為M,密度為ρ,阿伏伽德羅常數(shù)為NA,則這種物體的分子體積為V0=$\frac{M}{ρ{N}_{A}}$ | |
E. | 液體中懸浮微粒的無規(guī)則運(yùn)動稱為布朗運(yùn)動 |
分析 A、根據(jù)熱力學(xué)第一定律知:△U=W+Q,可以計(jì)算氣體內(nèi)能的變化;
B、分子間同時存在著引力和斥力,都隨著距離的增加而減小,但斥力減小的更快;
C、液體有表面張力現(xiàn)象;
D、固體與液體的分子間距可以忽略不計(jì),氣體的分子間距不能忽略不計(jì);
E、布朗運(yùn)動是懸浮在液體中的固體小顆粒的無規(guī)則運(yùn)動,是液體分子熱運(yùn)動的表現(xiàn).
解答 解:A、根據(jù)熱力學(xué)第一定律知:△U=W+Q=-100J+120J=20J,故A正確;
B、分子間同時存在著引力和斥力,當(dāng)分子間距增加時,分子間的引力減小,斥力也減小,故B錯誤;
C、液體的表面張力現(xiàn)象是蒸發(fā)導(dǎo)致液體表面層分子間距離大于液體內(nèi)部分子間距離所致,故C正確;
D、已知某物質(zhì)的摩爾質(zhì)量為M,密度為ρ,阿伏伽德羅常數(shù)為NA,則這種物體的單個分子占據(jù)空間的體積為V0=$\frac{M}{ρ{N}_{A}}$,如果是氣體,分子間距遠(yuǎn)大于分子的直徑,故分子體積遠(yuǎn)小于$\frac{M}{ρ{N}_{A}}$,故D錯誤;
E、布朗運(yùn)動是懸浮在液體中的固體小顆粒的無規(guī)則運(yùn)動,故E正確;
故選:ACE
點(diǎn)評 本題考查了熱力學(xué)第一定律、分子力、液體表面張力現(xiàn)象、阿伏伽德羅常數(shù)、布朗運(yùn)動等,知識點(diǎn)多,難度小,關(guān)鍵是記住基礎(chǔ)知識.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | ωL | B. | $\frac{ω}{L}$ | C. | ωLsinθ | D. | ωLcosθ |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 湯姆孫發(fā)現(xiàn)電子,并提出原子具有核式結(jié)構(gòu) | |
B. | 對于同一種金屬來說,其極限頻率恒定,與入射光的頻率及光的強(qiáng)度均無關(guān) | |
C. | 黑體輻射電磁波的強(qiáng)度按波長的分布只與黑體的溫度有關(guān) | |
D. | E=mc2表明物體具有的能量與其質(zhì)量成正比 | |
E. | “人造太陽”的核反應(yīng)方程是${\;}_{92}^{235}U+{\;}_0^1n→{\;}_{56}^{144}Ba+{\;}_{36}^{89}Kr+3{\;}_0^1n$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 合力大小的變化范圍是0≤F≤14N | B. | 合力大小的變化范圍是2N≤F≤10N | ||
C. | 兩個分力的大小分別為6N和8N | D. | 兩個分力的大小分別為2N和8N |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 10N | B. | 20N | C. | 20$\sqrt{3}$N | D. | 10$\sqrt{3}$N |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 【無選項(xiàng)】 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 以速度2v0發(fā)射電子,重復(fù)試驗(yàn),O點(diǎn)可能處在暗紋上 | |
B. | 以速度2v0發(fā)射電子,重復(fù)試驗(yàn),所形成的條紋間距會變小 | |
C. | 若將兩個狹縫沿垂直縫的方向移動一段很小的距離(不改變狹縫和屏幕間的距離)重復(fù)試驗(yàn),如果屏幕上仍有間隔的條紋分別,則O點(diǎn)一定處在暗條紋上 | |
D. | 若將兩個狹縫沿垂直縫的方向移動一段很小的距離(不改變狹縫和屏幕間的距離)重復(fù)試驗(yàn),如果屏幕上仍有間隔的條紋分別,則O點(diǎn)一定處在明條紋上 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 半導(dǎo)體樣品的上表面電勢高于下表面電勢 | |
B. | 霍爾元件靈敏度與半導(dǎo)體樣品薄片的長度a、寬度b均無關(guān) | |
C. | 在其他條件不變時,單位體積中導(dǎo)電的電子數(shù)n越大,霍爾元件靈敏度越高 | |
D. | 在其他條件不變時,沿磁場方向半導(dǎo)體薄片的厚度c越大,霍爾元件靈敏度越高 |
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