A. | 半導(dǎo)體樣品的上表面電勢(shì)高于下表面電勢(shì) | |
B. | 霍爾元件靈敏度與半導(dǎo)體樣品薄片的長(zhǎng)度a、寬度b均無(wú)關(guān) | |
C. | 在其他條件不變時(shí),單位體積中導(dǎo)電的電子數(shù)n越大,霍爾元件靈敏度越高 | |
D. | 在其他條件不變時(shí),沿磁場(chǎng)方向半導(dǎo)體薄片的厚度c越大,霍爾元件靈敏度越高 |
分析 由左手定則可判斷出電子的運(yùn)動(dòng)方向,從而判斷上下表面兩側(cè)的電荷聚集情況,聚集正電荷的一側(cè)電勢(shì)高.
根據(jù)題中所給的霍爾電勢(shì)差和霍爾系數(shù)的關(guān)系,結(jié)合電場(chǎng)力與洛倫茲力的平衡,可求出霍爾系數(shù)的表達(dá)式.
解答 解:A、根據(jù)左手定則,電子向上表面偏轉(zhuǎn),則上表面電勢(shì)低于下表面的,故A錯(cuò)誤;
BCD、由題意得:UH=kHIB,…①
解得:kH=$\frac{{U}_{H}}{IB}$=$\frac{{E}_{H}b}{IB}$…②
當(dāng)電場(chǎng)力與洛倫茲力平衡時(shí),有eEH=evB
得:EH=vB…③
又有電流的微觀表達(dá)式:I=nevS…④
而S=bc
綜合解得:
kH=$\frac{1}{nec}$,故B正確,CD錯(cuò)誤;
故選:B.
點(diǎn)評(píng) 解決本題的關(guān)鍵掌握左手定則判斷洛倫茲力的方向,以及知道最終電子在電場(chǎng)力和洛倫茲力作用下平衡,注意電子帶負(fù)電.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 一定質(zhì)量的氣體膨脹對(duì)外做功100J,同時(shí)從外界吸收120J的熱量,則它的內(nèi)能增大20J | |
B. | 分子間同時(shí)存在著引力和斥力,當(dāng)分子間距增加時(shí),分子間的引力增大,斥力減小 | |
C. | 由于液體表面層分子間距離大于液體內(nèi)部分子間距離,液體表面存在張力 | |
D. | 已知某物質(zhì)的摩爾質(zhì)量為M,密度為ρ,阿伏伽德羅常數(shù)為NA,則這種物體的分子體積為V0=$\frac{M}{ρ{N}_{A}}$ | |
E. | 液體中懸浮微粒的無(wú)規(guī)則運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為布朗運(yùn)動(dòng) |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | Fs | B. | $\frac{mgssinθ}{2}$ | C. | mgscosθ | D. | mgstanθ |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 探測(cè)器在A點(diǎn)的加速度大于$\frac{{{v}_{1}}^{2}}{{R}_{1}}$ | |
B. | 探測(cè)器在B點(diǎn)的加速度大小為$\sqrt{\frac{GM}{{R}_{2}}}$ | |
C. | 探測(cè)器在B點(diǎn)的動(dòng)能為$\frac{1}{2}$mv22 | |
D. | 探測(cè)器沿橢圓軌道從A到B的飛行時(shí)間為$\frac{1}{2}$($\frac{{R}_{1}+{R}_{2}}{2{R}_{1}}$)${\;}^{\frac{3}{2}}$T |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 1N | B. | 5N | C. | 7N | D. | 12N |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | n2和R都增大為原來(lái)的2倍 | B. | n2和ω增大為原來(lái)的2倍 | ||
C. | ω和R都增大為原來(lái)的2倍 | D. | 磁感應(yīng)強(qiáng)度B增大為原來(lái)的2$\sqrt{2}$倍 |
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