如圖所示,由同種材料、粗細(xì)均勻的電阻絲制成邊長為的正方形線框,其總電阻為.現(xiàn)使線框以水平向右的速度勻速穿過一寬度為2、磁感應(yīng)強(qiáng)度為的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,整個(gè)過程中、兩邊始終保持與磁場(chǎng)邊界平行.令線框的邊剛好與磁場(chǎng)左邊界重合時(shí)為零時(shí)刻,設(shè),那么下圖中畫出的線框中兩點(diǎn)間電勢(shì)差隨線框邊的位移變化的圖象正確的是?

 

C??

解析:當(dāng)邊切割磁感線時(shí),是外電路的一部分,故其電壓,持續(xù)的距離為.當(dāng)邊也進(jìn)入磁場(chǎng)后,雖然閉合電路中無電流,但仍有感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),故此時(shí),持續(xù)時(shí)間為;當(dāng)穿出磁場(chǎng)后的過程中,為電源,此時(shí)為閉合電路的外電壓,即,且整個(gè)過程中,端電勢(shì)一直為正值,即>0,故C項(xiàng)正確.

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,用同種材料制成一軌道,AB段為
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圓弧,半徑為R,水平段BC長也為R,一個(gè)質(zhì)量為m的物體與軌道間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ,當(dāng)它從軌道的A點(diǎn)由靜止滑下運(yùn)動(dòng)至C恰好靜止,那么物體在AB段克服摩擦阻力做的功為( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖所示,由同種材料制成的單匝正方形閉合導(dǎo)線框abcd位于豎直平面內(nèi),其下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,該區(qū)域的上邊界水平,并與線框的ab邊平行,磁場(chǎng)方向與線框平面垂直.已知磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,線框邊長為L,線框質(zhì)量為m,電阻為R.線框從磁場(chǎng)上方某高度處,由靜止開始下落,恰能勻速進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域.求:
(1)當(dāng)ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線框的速度大;
(2)線框在進(jìn)入磁場(chǎng)的過程中,通過導(dǎo)線橫截面的電荷量;
(3)分析線框進(jìn)入磁場(chǎng)過程中的能量轉(zhuǎn)化情況.

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科目:高中物理 來源:2014屆北京市東城區(qū)(南片)高二下學(xué)期期末考試物理試卷(解析版) 題型:計(jì)算題

如圖所示,由同種材料制成的單匝正方形閉合導(dǎo)線框abcd位于豎直平面內(nèi),其下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,該區(qū)域的上邊界水平,并與線框的ab邊平行,磁場(chǎng)方向與線框平面垂直。已知磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,線框邊長為L,線框質(zhì)量為m,電阻為R。線框從磁場(chǎng)上方某高度處,由靜止開始下落,恰能勻速進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域。求:

(1)當(dāng)ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線框的速度大小;

(2)線框在進(jìn)入磁場(chǎng)的過程中,通過導(dǎo)線橫截面的電荷量;

(3)分析線框進(jìn)入磁場(chǎng)過程中的能量轉(zhuǎn)化情況。

 

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,由同種材料制成的單匝正方形閉合導(dǎo)線框abcd位于豎直平面內(nèi),其下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,該區(qū)域的上邊界水平,并與線框的ab邊平行,磁場(chǎng)方向與線框平面垂直。已知磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,線框邊長為L,線框質(zhì)量為m,電阻為R。線框從磁場(chǎng)上方某高度處,由靜止開始下落,恰能勻速進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域。求:

(1)當(dāng)ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線框的速度大;

(2)線框在進(jìn)入磁場(chǎng)的過程中,通過導(dǎo)線橫截面的電荷量;

(3)分析線框進(jìn)入磁場(chǎng)過程中的能量轉(zhuǎn)化情況。

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