如圖所示,由同種材料制成的單匝正方形閉合導線框abcd位于豎直平面內(nèi),其下方有一勻強磁場區(qū)域,該區(qū)域的上邊界水平,并與線框的ab邊平行,磁場方向與線框平面垂直。已知磁場的磁感應強度為B,線框邊長為L,線框質量為m,電阻為R。線框從磁場上方某高度處,由靜止開始下落,恰能勻速進入磁場區(qū)域。求:
(1)當ab邊剛進入磁場時,線框的速度大。
(2)線框在進入磁場的過程中,通過導線橫截面的電荷量;
(3)分析線框進入磁場過程中的能量轉化情況。
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科目:高中物理 來源:2014屆北京市東城區(qū)(南片)高二下學期期末考試物理試卷(解析版) 題型:計算題
如圖所示,由同種材料制成的單匝正方形閉合導線框abcd位于豎直平面內(nèi),其下方有一勻強磁場區(qū)域,該區(qū)域的上邊界水平,并與線框的ab邊平行,磁場方向與線框平面垂直。已知磁場的磁感應強度為B,線框邊長為L,線框質量為m,電阻為R。線框從磁場上方某高度處,由靜止開始下落,恰能勻速進入磁場區(qū)域。求:
(1)當ab邊剛進入磁場時,線框的速度大;
(2)線框在進入磁場的過程中,通過導線橫截面的電荷量;
(3)分析線框進入磁場過程中的能量轉化情況。
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