分析 (1)采用正交分解法研究,粒子在水平方向是勻速直線運(yùn)動(dòng),已知位移和時(shí)間,可以求解初速度;
在一個(gè)周期內(nèi),豎直方向的電場力的沖量恰好為零,故豎直方向的速度的變化量為零,故打在靶上時(shí)刻,速度與靶垂直;
(2)t=$\frac{T}{4}$時(shí)射入偏轉(zhuǎn)電場的粒子,在水平方向是勻速直線運(yùn)動(dòng),在豎直方向是先向下做勻加速直線運(yùn)動(dòng),再向下做勻減速直線運(yùn)動(dòng),結(jié)合牛頓第二定律和位移公式列式求解;
(3)t=$\frac{T}{4}$時(shí)射入偏轉(zhuǎn)電場的粒子,側(cè)移量最大,考慮臨界條件即可.
解答 解:(1)采用正交分解法研究:
粒子在水平方向是勻速直線運(yùn)動(dòng);
一個(gè)周期T內(nèi),豎直方向的電場力的沖量恰好為零,故豎直方向的速度的變化量為零;
故L=vT
解得:v=$\frac{L}{T}$
(2)t=$\frac{T}{4}$時(shí)射入偏轉(zhuǎn)電場的粒子,前$\frac{T}{2}$在豎直方向是初速度為零的勻加速直線運(yùn)動(dòng),后$\frac{T}{2}$在豎直方向是勻加速直線運(yùn)動(dòng),速度時(shí)間圖象如圖所示:
故位移為:S=2×$\frac{1}{2}a{t}^{2}$=2×$\frac{1}{2}×\frac{q{U}_{0}}{md}×(\frac{T}{2})^{2}$
解得:S=$\frac{q{U}_{0}{T}^{2}}{4md}$
(3)t=$\frac{T}{4}$時(shí)射入偏轉(zhuǎn)電場的粒子,側(cè)移量最大,只要該時(shí)刻發(fā)射的粒子能夠打在靶MN上,則所有的粒子都可以打在靶MN上,故:
S$≤\fracoakk08i{2}$
聯(lián)立解得:
${U}_{0}≤\frac{2m}{q{T}^{2}}$
答:(1)t=0時(shí)射入偏轉(zhuǎn)電場的粒子擊中靶MN時(shí)的速度大小v為$\frac{L}{T}$;
(2)t=$\frac{T}{4}$時(shí)射入偏轉(zhuǎn)電場的粒子打在靶MN上的點(diǎn)到中心O′點(diǎn)的距離S為$\frac{q{U}_{0}{T}^{2}}{4md}$;
(3)要使粒子能全部打在靶MN上,電壓U0的數(shù)值應(yīng)滿足的條件為${U}_{0}≤\frac{2m}{q{T}^{2}}$.
點(diǎn)評(píng) 本題關(guān)鍵是采用正交分解法研究電荷的運(yùn)動(dòng),結(jié)合動(dòng)量定理得到在一個(gè)周期內(nèi),電場力豎直方向的分量為零,速度的豎直方向的分量的變化量為零.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 當(dāng)長度不變,橫截面積增大一倍時(shí) | B. | 長度和橫截面積都縮小一半時(shí) | ||
C. | 當(dāng)橫截面積不變,長度增大一倍時(shí) | D. | 長度和導(dǎo)體的直徑都增大一倍時(shí) |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 1:2 | B. | 2:1 | C. | 1:4 | D. | 4:1 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 路程是個(gè)標(biāo)量,表示位移的大小 | |
B. | 位移是個(gè)矢量,是由初始位置指向終止位置的有向線段 | |
C. | 路程是物體運(yùn)動(dòng)軌跡的長度,它有大小,也有方向 | |
D. | 當(dāng)物體做直線運(yùn)動(dòng)時(shí),位移的大小等于路程大小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 物體運(yùn)動(dòng)的初速度為4m/s | B. | 物體運(yùn)動(dòng)初速度為2m/s | ||
C. | 物體第2s末的速度為8m/s | D. | 物體第3s內(nèi)的位移為7m |
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