A.下滑過程電阻R消耗的最大功率為
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B.下滑過程電阻R消耗的最大功率為
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C.下滑過程安培力做功
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D.下滑過程安培力做功mgS?sinθ-
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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題
A.線圈中的感應(yīng)電流方向為順時針方向 |
B.電阻R兩端的電壓隨時間均勻增大 |
C.線圈電阻r消耗的功率為4×10-4W |
D.前4s內(nèi)通過R的電荷量為4×10-4C |
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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題
A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題
A.圖①中,回路不產(chǎn)生感應(yīng)電動勢 |
B.圖②中,回路產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢一直在變大 |
C.圖③中,回路在0~t1時間內(nèi)產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢小于在t1~t2時間內(nèi)產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢 |
D.圖④中,回路產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢先變大再變小 |
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科目:高中物理 來源:不詳 題型:多選題
A.在穿過磁場過程中線框內(nèi)電流方向不變 |
B.在穿過磁場過程中線框受的磁場力方向不變 |
C.在穿過磁場過程中,線框中產(chǎn)生熱量為2mgLsina |
D.在穿過磁場過程中,線框受的磁場力的方向沿斜面上 |
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科目:高中物理 來源:不詳 題型:問答題
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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題
A.把線圈的匝數(shù)增加一倍 |
B.把線圈的面積增加一倍 |
C.把線圈的半徑增加一倍 |
D.改變線圈軸線對于磁場的方向 |
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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題
A.t=0時線框右側(cè)的邊兩端M、N間電壓為0.25V |
B.恒力F的大小為1.0N |
C.線框完全離開磁場的位置3的瞬時速度為2m/s |
D.線框完全離開磁場的位置3的瞬時速度為1m/s |
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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題
A.閉合回路中的磁感應(yīng)強度越大,感應(yīng)電動勢越大 |
B.閉合回路中的磁通量越大,感應(yīng)電動勢越大 |
C.閉合回路中的磁通量變化越大,感應(yīng)電動勢越大 |
D.閉合回路中的磁通量變化越快,感應(yīng)電動勢越大 |
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