如圖所示,一水平放置的平行導(dǎo)體框架寬度L=0.5m,接有電阻R=0.20Ω,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.40T的勻強(qiáng)磁場垂直導(dǎo)軌平面方向向下,僅有一導(dǎo)體棒ab跨放在框架上,并能無摩擦地沿框架滑動,框架及導(dǎo)體ab電阻不計,當(dāng)ab以v=4.0m/s的速度向右勻速滑動時.試求:
(1)導(dǎo)體ab上的感應(yīng)電動勢的大小.
(2)要維持ab向右勻速運(yùn)行,作用在ab上的水平力為多大?
(3)電阻R上產(chǎn)生的焦耳熱功率為多大?
(1)導(dǎo)體ab垂直切割磁感線,產(chǎn)生的電動勢大。
E=BLv=0.40×0.50×4.0 V=0.80 V ①
(2)導(dǎo)體ab相當(dāng)于電源,由閉合電路歐姆定律得回路電流:
I== A=4.0 A ②
導(dǎo)體ab所受的安培力:
F=BIL=0.40×4.0×0.50 N=0.80 N ③
由于ab勻速運(yùn)動,所以水平拉力:
F′=F=0.80 N ④
(3)R上的焦耳熱功率:
P=I2R=4.02×0.20 W=3.2 W ⑤
答:(1)導(dǎo)體ab上的感應(yīng)電動勢的大小為0.80V.
(2)要維持ab向右勻速運(yùn)行,作用在ab上的水平力為0.80N.
(3)電阻R上產(chǎn)生的焦耳熱功率為3.2W.
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科目:高中物理 來源: 題型:
人類對自然的認(rèn)識是從宏觀到微觀不斷深入的過程,以下說法正確的是:( )
A.液晶的分子勢能與體積無關(guān) B.晶體的物理性質(zhì)都是各向異性的
C.溫度升高,每個分子的動能都增大 D.露珠呈球狀是由于液體表面張力的作用
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示的電路中,R1、R2均為定值電阻,R3為可變電阻,電源的電動勢為E,內(nèi)阻為r.設(shè)理想電流表A的讀數(shù)為I,理想電壓表V的讀數(shù)為U.當(dāng)R3滑動觸頭向圖中a端移動時( )
A. I變大,U變小 B. I變大,U變大 C. I變小,U變大 D. I變小,U變小
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖甲所示,100匝的線圈,橫截面積是0.1m2,線圈兩端A、B與一個理想電壓表相連.線圈中有垂直紙面向里的磁場,磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度按圖乙所示規(guī)律變化,則( )
A. 電壓表的示數(shù)是2V B. 電壓表的示數(shù)是2.5V
C. A點(diǎn)電勢高于B點(diǎn) D. B點(diǎn)電勢高于A點(diǎn)
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科目:高中物理 來源: 題型:
矩形導(dǎo)線框abcd固定在勻強(qiáng)磁場中,磁感線的方向與導(dǎo)線框所在平面垂直,規(guī)定磁場的正方向垂直低面向里,磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時間變化的規(guī)律如圖所示.若規(guī)定順時針方向?yàn)楦袘?yīng)電流I的正方向,下列各圖中正確的是( )
A. B. C. D.
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科目:高中物理 來源: 題型:
下列說法中正確的是( )
A. 只有體積很小或質(zhì)量很小的物體才可以看作質(zhì)點(diǎn)
B. 在單向直線運(yùn)動中,物體的位移就是路程
C. 有摩擦力一定有彈力
D. 物體受到的幾個共點(diǎn)力的合力一定大于每一個分力
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科目:高中物理 來源: 題型:
一物體在動摩擦因數(shù)μ=0.2的水平面上向左運(yùn)動,物體的質(zhì)量為10kg,它在運(yùn)動過程當(dāng)中還受到一個水平向右的大小為20N的拉力作用,則物體受到的摩擦力為( )
A. 0N B. 20N,水平向右 C. 40N,水平向右 D. 20N,水平向左
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對以3m/s2作勻變速運(yùn)動的物體,下列說法正確的是( )
A. 任意1秒內(nèi),末速度都比初速度大3m/s
B. 第n秒末的速度比第1秒末的速度大3(n﹣1)m/s
C. 任意1秒時間內(nèi)的速度變化量都是3m/s
D. 任意1秒內(nèi),末速度都為初速度的3倍
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對于一定質(zhì)量的理想氣體,下面表述正確的是( )
A. 當(dāng)分子熱運(yùn)動變劇烈時,壓強(qiáng)一定增大
B. 等溫壓縮過程,氣體壓強(qiáng)一定增大
C. 等容變化過程,氣體溫度一定不變
D. 壓強(qiáng)增大,體積一定減少
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