如圖所示,比荷為e/m的電子從左側(cè)垂直于界面、垂直于磁場(chǎng)射入寬度為d、磁感受應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,要從右側(cè)面穿出這個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域,電子的速度至少應(yīng)為( 。
分析:電子進(jìn)入磁場(chǎng)后由洛倫茲力提供向心力做勻速圓周運(yùn)動(dòng),當(dāng)電子恰好從右側(cè)面穿出這個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域時(shí),其軌跡與磁場(chǎng)右邊界相切,此時(shí)電子的速度最小,由幾何知識(shí)求得半徑,由牛頓第二定律求解電子的最小速度.
解答:解:當(dāng)電子恰好能從右側(cè)面穿出這個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域時(shí),軌跡如圖,則由幾何知識(shí)得:軌跡半徑為r=d
由qvB=m
v2
r
得,v=
qBr
m
=
eBd
m

故選B
點(diǎn)評(píng):本題是帶電粒子在有界的磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的問題,當(dāng)電子恰好從磁場(chǎng)右側(cè)邊界射出時(shí),軌跡與邊界相切,畫出軌跡,即可正確求解.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源:2011年瀏陽一中高二下學(xué)期考試物理卷 題型:選擇題

如圖所示,比荷為e/m的電子從左側(cè)垂直于界面、垂直于磁場(chǎng)射入寬度為d、磁感受應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,要從右側(cè)面穿出這個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域,電子的速度至少應(yīng)為(     )

A.2Bed/m     B.Bed/m     C.Bed/(2m)    D.Bed/m

 

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖所示,比荷為e/m的電子從左側(cè)垂直于界面、垂直于磁場(chǎng)射入寬度為d、磁感受應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,要從右側(cè)面穿出這個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域,電子的速度至少應(yīng)為( 。
A.2Bed/mB.Bed/mC.Bed/(2m)D.
2
Bed/m
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科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年河北省廊坊市大城一中高二(上)月考物理試卷(12月份)(解析版) 題型:選擇題

如圖所示,比荷為e/m的電子從左側(cè)垂直于界面、垂直于磁場(chǎng)射入寬度為d、磁感受應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,要從右側(cè)面穿出這個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域,電子的速度至少應(yīng)為( )

A.2Bed/m
B.Bed/m
C.Bed/(2m)
D.Bed/m

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科目:高中物理 來源:2011年瀏陽一中高二下學(xué)期考試物理卷 題型:單選題

如圖所示,比荷為e/m的電子從左側(cè)垂直于界面、垂直于磁場(chǎng)射入寬度為d、磁感受應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,要從右側(cè)面穿出這個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域,電子的速度至少應(yīng)為(    )

A.2Bed/mB.Bed/mC.Bed/(2m)D.Bed/m

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