如圖所示,勻強(qiáng)磁場區(qū)域?qū)挾葹閘,現(xiàn)有一邊長為d(d>L)的矩形金屬框以恒定速度v向右通過磁場區(qū)域,該過程中有感應(yīng)電流的時(shí)間總共為( 。
分析:只要閉合回路中的磁通量發(fā)生變化,回路中就會產(chǎn)生感應(yīng)電流;由導(dǎo)體框運(yùn)動過程由速度公式可求得產(chǎn)生感應(yīng)電流的時(shí)間.
解答:解:當(dāng)線框的右邊進(jìn)入磁場開始產(chǎn)生感應(yīng)電流,直到右邊開始離開磁場區(qū)域,該過程中金屬框中有感應(yīng)電流,時(shí)間是t1=
L
v
,
當(dāng)線框的左邊進(jìn)入磁場開始產(chǎn)生感應(yīng)電流,直到左邊開始離開磁場區(qū)域,該過程中金屬框中有感應(yīng)電流,時(shí)間是t2=
L
v
,
所以該過程金屬框中有感應(yīng)電流的時(shí)間總共為
2L
v
.故B正確.
故選:B.
點(diǎn)評:本題考查感應(yīng)電流的條件,應(yīng)明確只有閉合回路中磁通量發(fā)生變化時(shí)才能產(chǎn)生感應(yīng)電流;并且要注意通過畫草圖找出準(zhǔn)確的長度.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(場強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)共存的場區(qū),一電子沿垂直電場線和磁感線方向以速度v0射入場區(qū),則(  )

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在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(場強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)共存的場區(qū),一電子沿垂直電場線和磁感線方向以速度v0射入場區(qū),則(  )

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(2012?長寧區(qū)一模)如圖所示,勻強(qiáng)磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度 B=0.2T,磁場寬度 L=0.3m,一正方形金屬框邊長 ab=0.1m,每邊電阻R=0.2Ω,金屬框在拉力F作用下以v=10m/s的速度勻速穿過磁場區(qū),其平面始終保持與磁感線方向垂直.求:
(1)畫出金屬框穿過磁場區(qū)的過程中,金屬框內(nèi)感應(yīng)電流i和a、b兩端電壓Uab隨時(shí)間t的變化圖線(規(guī)定以adcba為正方向);
(2)金屬框穿過磁場區(qū)域的過程中,拉力F做的功;
(3)金屬框穿過磁場區(qū)域的過程中,導(dǎo)線ab上所產(chǎn)生的熱量.

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精英家教網(wǎng)在如圖所示的勻強(qiáng)電場(場強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)正交的場區(qū),一電子沿垂直電場線和磁感線方向以速度v0射入場區(qū),則(  )
A、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動,射出場區(qū)時(shí),速度v>v0
B、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動,射出場區(qū)時(shí),速度v<v0
C、若υ0
E
B
,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動,射出場區(qū)時(shí),速度υ>υ0
D、若υ0
E
B
,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動,射出場區(qū)時(shí),速度υ<υ0

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(場強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)共存的場區(qū),一電子沿垂直電場線和磁感線方向以速度v0 射入場區(qū),則( 。
A、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動,射出場區(qū)時(shí),速度v>v0
B、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動,射出場區(qū)時(shí),速度v<v0
C、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動,射出場區(qū)時(shí),速度v<v0
D、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動,射出場區(qū)時(shí),速度v<v0

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