A. | ab棒中的電流方向由b到a | |
B. | cd棒先加速運(yùn)動(dòng)后勻速運(yùn)動(dòng) | |
C. | cd棒所受摩擦力的最大值大于cd棒的重力 | |
D. | 力F做的功等于兩棒產(chǎn)生的電熱與ab棒增加的機(jī)械能之和 |
分析 ab棒沿豎直向上運(yùn)動(dòng),切割磁感線產(chǎn)生感應(yīng)電流,由右手定則判斷感應(yīng)電流的方向,由cd棒的電流方向及磁場方向判斷所受安培力的方向,再判斷摩擦力從而確定棒的運(yùn)動(dòng)情況,力F所做的功應(yīng)等于所產(chǎn)生的電熱與增加的機(jī)械能之和.
解答 解:A、ab向上運(yùn)動(dòng)的過程中,穿過閉合回路abcd的磁通量增大,根據(jù)楞次定律可得ab棒中的感應(yīng)電流方向?yàn)閎→a,故A正確;
B、cd棒中感應(yīng)電流由c到d,其所在的區(qū)域有向下磁場,所受的安培力向里,cd棒所受的摩擦力向上.a(chǎn)b棒做加速直線運(yùn)動(dòng),速度增大,產(chǎn)生的感應(yīng)電流增加,cd棒所受的安培力增大,對導(dǎo)軌的壓力增大,則滑動(dòng)摩擦力增大,摩擦力先小于重力,后大于重力,所以cd棒先加速運(yùn)動(dòng)后減速運(yùn)動(dòng),最后停止運(yùn)動(dòng).故B錯(cuò)誤;
C、因安培力增加,cd棒受摩擦力的作用一直增加,根據(jù)B的分析可知,最大值會(huì)大于重力.故C正確;
D、對ab棒分析可知,根據(jù)動(dòng)能定理可得WF-W安-WG=$\frac{1}{2}$mv2-0,力F所做的功應(yīng)等于ab棒產(chǎn)生的電熱與增加的機(jī)械能之和,故D正確
故選:ACD
點(diǎn)評 本題關(guān)鍵是根據(jù)會(huì)分析導(dǎo)線安培力的變化,判斷摩擦力的變化,由右手定則判斷電流方向.明確功與能量的轉(zhuǎn)化關(guān)系
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 兩點(diǎn)電荷一定都帶正電,但電量不一定相等 | |
B. | 兩點(diǎn)電荷一定帶正電,0-t2時(shí)間內(nèi)試探電荷所經(jīng)過的各點(diǎn)場強(qiáng)越來越大 | |
C. | t1、t3兩時(shí)刻試探電荷在同一位置 | |
D. | t2時(shí)刻試探電荷的電勢能最大,試探電荷所在處電場的電勢最高 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 對接時(shí)“神州”和“天宮”的相對速度約0.2m/s,所以它們的機(jī)械能幾乎相等 | |
B. | 此次對接后的向心加速度與上次對接后的向心加速度之比約為($\frac{6743}{6793}$)2 | |
C. | 此次對接后的運(yùn)行速度與上次對接后的運(yùn)行速度之比約為$\sqrt{\frac{343}{393}}$ | |
D. | 我國未來空間站的運(yùn)行周期約為24h |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | aA>2g | B. | aA<2g | C. | aB=g | D. | aB=0 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 當(dāng)站在絕緣物上的人雙手分別接觸b和d線時(shí),脫扣開關(guān)會(huì)自動(dòng)斷開 | |
B. | 當(dāng)用戶家的電流超過一定值時(shí),脫扣開關(guān)會(huì)自動(dòng)斷開 | |
C. | 當(dāng)火線和零線之間電壓太高時(shí),脫扣開關(guān)會(huì)自動(dòng)斷開 | |
D. | 當(dāng)站在地面上的人觸及b線時(shí),脫扣開關(guān)會(huì)自動(dòng)斷開 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 從釋放物塊A至B剛離開地面的過程中,A的機(jī)械能始終守恒 | |
B. | 小球B的質(zhì)量為4m | |
C. | 從釋放物塊A至B剛離開地面的過程中,A的重力勢能減少量等于A動(dòng)能的增加量 | |
D. | 從釋放物塊A至B剛離開地面的過程中,A的機(jī)械能減少量等于彈簧彈性勢能的增加量 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 在A、B、O三點(diǎn)中,O點(diǎn)場強(qiáng)最大.B點(diǎn)的場強(qiáng)最小 | |
B. | A、B兩點(diǎn)的場強(qiáng)方向相同,大小不等 | |
C. | 將一正試探電荷分別置于A點(diǎn)和B點(diǎn).該試探電荷在A點(diǎn)的電勢能等于在B點(diǎn)的電勢能 | |
D. | 將一負(fù)試探電荷分別置于A點(diǎn)和B點(diǎn),該試探電荷在A點(diǎn)的電勢能小于在B點(diǎn)的電勢能 |
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