A. | γ射線(xiàn)電離作用很強(qiáng) | |
B. | β射線(xiàn)是高速電子流 | |
C. | 目前世界上運(yùn)行的核電站均采用核聚變 | |
D. | 可以通過(guò)降低溫度減小污染物的半衰期,從而減小危害 |
分析 三種射線(xiàn)中,α射線(xiàn)的電離能力最強(qiáng),γ射線(xiàn)的穿透能力最強(qiáng);β射線(xiàn)是高速的電子流;半衰期的大小與原子核所處的物理環(huán)境和化學(xué)狀態(tài)無(wú)關(guān).
解答 解:A、三種射線(xiàn)中,γ射線(xiàn)的電離作用最弱,故A錯(cuò)誤.
B、β射線(xiàn)是高速的電子流,故B正確.
C、目前世界上運(yùn)行的核電站均采用核裂變,故C錯(cuò)誤.
D、半衰期的大小與溫度、壓強(qiáng)等因素?zé)o關(guān),由原子核內(nèi)部因素決定,故D錯(cuò)誤.
故選:B.
點(diǎn)評(píng) 解決本題的關(guān)鍵知道三種射線(xiàn)的實(shí)質(zhì),以及知道三種射線(xiàn)的特性,知道半衰期的大小與溫度、壓強(qiáng)等因素?zé)o關(guān).
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 使小盤(pán)和砝碼的總質(zhì)量盡可能等于小車(chē)質(zhì)量 | |
B. | 若將小車(chē)放在粗糙水平板上,對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果沒(méi)有影響 | |
C. | 位移之比等于加速度之比是因?yàn)樾≤?chē)的位移與加速度成正比 | |
D. | 可在兩小盤(pán)內(nèi)放置相同質(zhì)量的砝碼,在兩小車(chē)內(nèi)放置不同質(zhì)量的砝碼進(jìn)行實(shí)驗(yàn) |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | I1>I2,W1>W(wǎng)2 | B. | I1<I2,W1>W(wǎng)2 | C. | I1<I2,W1<W2 | D. | I1>I2,W1<W2 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 長(zhǎng)直桿的下端運(yùn)動(dòng)到碗的最低點(diǎn)時(shí)長(zhǎng)直桿豎直方向的速度為零 | |
B. | 長(zhǎng)直桿的下端運(yùn)動(dòng)到碗的最低點(diǎn)時(shí)B、C水平方向的速度相等,均為$\sqrt{\frac{2Rg}{3}}$ | |
C. | 長(zhǎng)直桿的下端運(yùn)動(dòng)到碗的最低點(diǎn)時(shí)B、C速度均為零 | |
D. | 長(zhǎng)直桿的下端能上升到半球形碗左側(cè)最高點(diǎn)距離半球形碗底部的高度為$\frac{2R}{3}$ |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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