8．已知氘核的平均結(jié)合能是1.09MeV，氚核的平均結(jié)合能是2.78MeV，氦核的平均結(jié)合能是7.03MeV．在某次核反應(yīng)中，1個(gè)氘核和1個(gè)氚核結(jié)合生成1個(gè)氦核并放出17.6MeV的能量，下列說(shuō)法正確的是（　�。�
A．這是一個(gè)裂變反應(yīng)
B．核反應(yīng)方程式為${\;}_{1}^{2}$H+${\;}_{1}^{3}$H→${\;}_{2}^{4}$He+${\;}_{0}^{1}$n
C．目前核電站都采用上述核反應(yīng)發(fā)電
D．該核反應(yīng)會(huì)有質(zhì)量虧損

分析 1個(gè)氘核和1個(gè)氚核結(jié)臺(tái)生成1個(gè)氮核，這是聚變反應(yīng)；由質(zhì)量數(shù)守恒和電荷數(shù)守恒判定反應(yīng)方程是否正確；由質(zhì)能方程判斷出釋放的核能；目前核電站都采用核裂變發(fā)電．

解答 解：A、1個(gè)氘核和1個(gè)氚核結(jié)臺(tái)生成1個(gè)氮核，這是聚變反應(yīng)．故A錯(cuò)誤；
B、1個(gè)氘核和1個(gè)氚核結(jié)臺(tái)生成1個(gè)氮核，根據(jù)質(zhì)量數(shù)與質(zhì)子數(shù)守恒知同時(shí)有一個(gè)中子生成，反應(yīng)方程為${\;}_{1}^{2}$H+${\;}_{1}^{3}$H→${\;}_{2}^{4}$He+${\;}_{0}^{1}$n．故B正確；
C、目前核電站都采用核裂變發(fā)電．故C錯(cuò)誤；
D、該反應(yīng)放出熱量，所以一定有質(zhì)量虧損．故D正確．
故選：BD

點(diǎn)評(píng) 本題考查了核反應(yīng)方程的書(shū)寫(xiě)以及質(zhì)能方程的簡(jiǎn)單應(yīng)用，屬于簡(jiǎn)單基礎(chǔ)題目，平時(shí)練習(xí)中對(duì)這類(lèi)問(wèn)題注意多加訓(xùn)練，不可忽視．

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：解答題

18．如圖所示，傾角為30°的斜面上放一質(zhì)量為10㎏的木塊，木塊與斜面之間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ=$\frac{{\sqrt{3}}}{6}$，用一平行于斜面的力F向上推木塊，欲使木塊靜止在斜面上，求推力F的范圍？（假設(shè)最大靜摩擦力等于滑動(dòng)摩擦力，g=10m/s2）

查看答案和解析>>

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：選擇題

19．一單色光照到某金屬表面時(shí)，有光電子從金屬表面逸出，下列說(shuō)法中正確的是（　�。�
A．增大入射光的頻率，金屬的逸出功將增大
B．增大入射光的頻率，光電子的最大初動(dòng)能將增大
C．增大入射光的強(qiáng)度，光電子的最大初動(dòng)能將增大
D．延長(zhǎng)入射光照射時(shí)間，光電子的最大初動(dòng)能將增大

查看答案和解析>>

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：選擇題

16．如圖，粗糙絕緣水平面上O、A、B、C四點(diǎn)共線，在O點(diǎn)固定一帶正電小球Q，在A點(diǎn)由靜止釋放帶正電小金屬塊P（可視為質(zhì)點(diǎn)），P沿OC連線運(yùn)動(dòng)，到B點(diǎn)時(shí)速度最大，最后停止在C點(diǎn)．則（　�。�
A．A點(diǎn)電勢(shì)低于B點(diǎn)電勢(shì)
B．P在由A向C運(yùn)動(dòng)的過(guò)程中，電勢(shì)能一直增大
C．在B點(diǎn)P所受的滑動(dòng)摩擦力等于庫(kù)侖力
D．從B到C的過(guò)程中，P的動(dòng)能全部轉(zhuǎn)化為電勢(shì)能

查看答案和解析>>

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：選擇題

3．如圖所示，在兩等量異種點(diǎn)電荷的電場(chǎng)中，MN為兩電荷連線的中垂線，a、b、c三點(diǎn)所在直線平行于兩電荷的連線，且a與c關(guān)于MN對(duì)稱(chēng)，b點(diǎn)位于MN上，d點(diǎn)位于兩電荷的連線上．以下判斷錯(cuò)誤的是（　�。�
A．b點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)比d點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)小
B．b點(diǎn)電勢(shì)比d點(diǎn)電勢(shì)低
C．a、b兩點(diǎn)間的電勢(shì)差等于b、c兩點(diǎn)間的電勢(shì)差
D．在a點(diǎn)給一個(gè)試探電荷+q一個(gè)沿著abc方向向右的初速度后，它會(huì)向abc的下方偏轉(zhuǎn)

查看答案和解析>>

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：解答題

13．如圖甲所示是測(cè)量阻值約幾十歐的未知電阻Rx的原理圖，R1是電阻箱（0-99.9Ω），R是滑動(dòng)變阻器，A1和A2是電流表，E是電源（電動(dòng)勢(shì)12V，內(nèi)阻忽略不計(jì)）．

在保證安全和滿(mǎn)足要求的情況下，使測(cè)量范圍盡可能大，具體實(shí)驗(yàn)步驟如下：
①閉合S，調(diào)節(jié)滑動(dòng)變阻器R和電阻箱R1，使A2示數(shù)I2=0.20A，記下此時(shí)電阻箱的阻值R1和A1的示數(shù)I1；
②重復(fù)步驟①且使A2示數(shù)仍為I2=0.20A，測(cè)量多組R1和I1值；
③將實(shí)驗(yàn)測(cè)得的數(shù)據(jù)在坐標(biāo)紙上描點(diǎn)，如圖乙所示．
根據(jù)實(shí)驗(yàn)回答以下問(wèn)題：
（1）現(xiàn)有四只供選用的電流表：
A．電流表（0-3mA，內(nèi)阻為2.0Ω ）     B．電流表（0-3mA，內(nèi)阻未知）
C．電流表（0-0.3A，內(nèi)阻為10Ω）      D．電流表（0-0.3A，內(nèi)阻未知）
請(qǐng)根據(jù)實(shí)驗(yàn)過(guò)程判斷A1應(yīng)選用D，A2應(yīng)選用C（填寫(xiě)選項(xiàng)字母）．
（2）在圖乙中的坐標(biāo)紙上畫(huà)出R1與$\frac{I}{{I}_{1}}$的關(guān)系圖．
（3）根據(jù)以上實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)得出Rx=40Ω．

查看答案和解析>>

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：選擇題

20．如圖甲所示，理想變壓器原、副線圈的匝數(shù)之比為44：5，b是原線圈的中心抽頭，S為單刀雙擲開(kāi)關(guān)，負(fù)載電阻R=25Ω，電表均為理想電表．在原線圈c、d兩端接入如圖乙所示的正弦交流電，下列說(shuō)法中正確的是（　�。�
A．當(dāng)S與a連接時(shí)，電流表的示數(shù)為1A
B．當(dāng)S與b連接時(shí)，電壓表的示數(shù)為50$\sqrt{2}$V
C．將S由a撥到b，電阻R消耗的功率增大為原來(lái)的4倍
D．無(wú)論S接a還是接b，1s內(nèi)電阻R上電流方向都改變50次

查看答案和解析>>

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：多選題

17．如圖所示，甲、乙兩傳送帶與水平面的夾角相同，都以恒定速率v向上運(yùn)動(dòng)．現(xiàn)將一質(zhì)量為m的小物體（視為質(zhì)點(diǎn)）輕輕放在A處，小物體在甲傳送帶上到達(dá)B處時(shí)恰好達(dá)到傳送帶的速率v；在乙傳送帶上到達(dá)離B處豎直高度為h的C處時(shí)達(dá)到傳送帶的速率v，已知B處離地面的高度均為H．則在小物體從A到B的過(guò)程中（　�。�
A．小物體與甲傳送帶間的動(dòng)摩擦因數(shù)較小
B．兩傳送帶對(duì)小物體做功相等
C．兩傳送帶消耗的電能相等
D．兩種情況下因摩擦產(chǎn)生的熱量相等

查看答案和解析>>

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：選擇題

18．下列物理量中與檢驗(yàn)電荷有關(guān)的是（　�。�
A．電場(chǎng)強(qiáng)度B．電勢(shì)C．電勢(shì)能D．電勢(shì)差

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊(cè)答案