A. | M點(diǎn)的場強(qiáng)小于N點(diǎn)的場強(qiáng) | |
B. | M點(diǎn)的電勢低于N點(diǎn)的電勢 | |
C. | 將一負(fù)電荷由O點(diǎn)移到M點(diǎn)電勢能增加 | |
D. | 將一正電荷從O點(diǎn)分別移到M點(diǎn)和N點(diǎn),電場力做功相同 |
分析 根據(jù)電場線的疏密判斷電場強(qiáng)度的大小,根據(jù)沿電場線方向電勢降低判斷電勢高低,根據(jù)電場力方向判斷做功正負(fù),根據(jù)W=qU判斷電場力做功大小.
解答 解:A、電場線密的地方電場強(qiáng)度大,由圖可知M點(diǎn)電場線比N點(diǎn)的密,所以M點(diǎn)的場強(qiáng)大于N點(diǎn)的場強(qiáng)度,故A錯(cuò)誤;
B、沿電場線方向電勢降低,所以M點(diǎn)的電勢低于N點(diǎn)的電勢,故B正確;
C、將一負(fù)電荷由O點(diǎn)移到M點(diǎn)電場力做負(fù)功,所以電荷的電勢能增加,故C正確;
D、M點(diǎn)的電勢低于N點(diǎn)的電勢,所以UON<UOM,根據(jù)W=qU可知將一正電荷從O點(diǎn)分別移到M點(diǎn)和N點(diǎn),電場力做功不相同,故D錯(cuò)誤;
故選:BC.
點(diǎn)評 無論是電場線或是等差等勢面,都是密的地方場強(qiáng)大,疏的地方場強(qiáng);電勢高低的判斷方法可以根據(jù)電勢的定義式來判斷,但一般都是按沿電場線方向電勢降低來判斷.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 它一定在地球同步軌道上運(yùn)行 | |
B. | 它的高度和運(yùn)動速率都是一個(gè)確定值 | |
C. | 半徑越大衛(wèi)星的線速度一定越小 | |
D. | 半徑越大衛(wèi)星它的向心力加速度一定越小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 兩電流在a處產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為3B0 | |
B. | P中電流在a點(diǎn)處產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為$\frac{\sqrt{3}}{3}$B0 | |
C. | 若使P中的電流反向、其他條件不變,則a點(diǎn)處磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為$\frac{2\sqrt{3}}{3}$B0 | |
D. | 若在a點(diǎn)處垂直紙面放一長度為L、電流為I的導(dǎo)線,則該導(dǎo)線所受的安培力大小一定為$\frac{\sqrt{3}}{3}$B0IL |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 泊松亮斑是光通過不透明的小圓盤發(fā)生衍射時(shí)形成的 | |
B. | 為了使牛頓環(huán)的直徑大些,應(yīng)選用表面不太彎曲的凸透鏡 | |
C. | 照相機(jī)鏡頭上涂有一層增透膜的厚度應(yīng)為綠光在真空中波長的$\frac{1}{4}$ | |
D. | 拍攝玻璃櫥窗內(nèi)的物品時(shí),往往在鏡頭前加裝一個(gè)偏振片以減弱反射光 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 由公W=qU可知,當(dāng)U一定吋,W與q成正比 | |
B. | 由公式W=qU可知,當(dāng)q一定時(shí),W與U成正比 | |
C. | 由公式U=$\frac{W}{q}$可知,當(dāng)q一定時(shí),U與W成正比 | |
D. | 由公式U=$\frac{W}{q}$可知,當(dāng)W一定時(shí),U與q成反比 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 光和電子都具有波粒二象性 | |
B. | 裂變時(shí)釋放能量說明發(fā)生了質(zhì)量虧損 | |
C. | 放射性元素的半衰期隨溫度升高而減小 | |
D. | α粒子散射實(shí)驗(yàn)可以估算出原子核的數(shù)最級為10-10m |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | a點(diǎn)電勢比b點(diǎn)低 | B. | 電容器兩極板間場強(qiáng)正在增大 | ||
C. | 電路中電場能正在增大 | D. | 線圈中感應(yīng)電動勢正在減小 |
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