如圖,光滑平行的水平金屬導軌MN、PQ相距L,在M點和P點間接一個阻值為R的電阻,在兩導軌間OO1O1′O′矩形區(qū)域內(nèi)有垂直導軌平面豎直向下、寬為d的勻強磁場,磁感強度為B.一質(zhì)量為m,電阻為r的導體棒ab,垂直擱在導軌上,與磁場左邊界相距d0.現(xiàn)用一大小為F、水平向右的恒力拉ab棒,使它由靜止開始運動,棒ab在離開磁場前已經(jīng)做勻速直線運動(棒ab與導軌始終保持良好的接觸且垂直導軌運動,導軌電阻不計).求:
(1)棒ab在離開磁場右邊界時的速度;
(2)棒ab通過磁場區(qū)的過程中整個回路所消耗的電能;
(3)試分析討論ab棒在磁場中可能的運動情況.
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(1)ab棒離開磁場右邊界前做勻速運動的速度為V,
    產(chǎn)生的電動勢為:E=BLV電路中電流:I=
E
R+r

    對ab棒,由平衡條件得:F-BIL=0    
        解得:V=
F(R+r)
B2L2

故棒ab在離開磁場右邊界時的速度 V=
F(R+r)
B2L2

(2)由能量守恒定律:F(d0+d)=W+
1
2
mV2

        解得:W=F(d0+d)-
mF2(R+r)2
2B4L4

故棒ab通過磁場區(qū)的過程中整個回路所消耗的電能為:W=F(d0+d)-
mF2(R+r)2
2B4L4

(3)設棒剛進入磁場時速度為V0,則
①當V0=V,即F=BIL時,棒做勻速直線運動;
②當V0<V,即F>BIL,棒做先加速后勻速直線運動;
③當V0>V,即F<BIL時,棒做先減速后勻速直線運.
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(2012?廣東一模)如圖,光滑平行的水平金屬導軌MN、PQ相距L,在M點和P點間接一個阻值為R的電阻,在兩導軌間OO1O1′O′矩形區(qū)域內(nèi)有垂直導軌平面豎直向下、寬為d的勻強磁場,磁感強度為B.一質(zhì)量為m,電阻為r的導體棒ab,垂直擱在導軌上,與磁場左邊界相距d0.現(xiàn)用一大小為F、水平向右的恒力拉ab棒,使它由靜止開始運動,棒ab在離開磁場前已經(jīng)做勻速直線運動(棒ab與導軌始終保持良好的接觸且垂直導軌運動,導軌電阻不計).求:
(1)棒ab在離開磁場右邊界時的速度;
(2)棒ab通過磁場區(qū)的過程中整個回路所消耗的電能;
(3)試分析討論ab棒在磁場中可能的運動情況.

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(2009?奉賢區(qū)一模)如圖,光滑平行的水平金屬導軌MN、PQ相距l(xiāng),在M點和P點間接一個電阻RMP,其阻值為R,在兩導軌間OO1O1′O′矩形區(qū)域內(nèi)有垂直導軌平面豎直向下、寬為d的勻強磁場,磁感強度為B.一質(zhì)量為m,電阻也為R的導體棒ab,垂直擱在導軌上,開始時在磁場邊界OO1左邊,與磁場左邊界OO1相距d0.現(xiàn)用一大小為F、水平向右的恒力拉ab棒,使它由靜止開始向右運動,棒ab在離開磁場前已經(jīng)做勻速直線運動(棒ab與導軌始終保持良好的接觸,導軌電阻不計).求:
(1)棒ab在離開磁場右邊界時的速度;
(2)棒ab通過磁場區(qū)的過程中電阻RMP所消耗的電能;
(3)試分析討論ab棒在磁場中可能的運動情況,要求寫出F滿足的條件.

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如圖,光滑平行的水平金屬導軌MN、PQ相距l,在M點和P點間接一個阻值為R的電阻,在兩導軌間OO1O1′O矩形區(qū)域內(nèi)有垂直導軌平面豎直向下、寬為d的勻強磁場,磁感強度為B。一質(zhì)量為m,電阻為r的導體棒ab,垂直擱在導軌上,與磁場左邊界相距d0,F(xiàn)用一大小為F、水平向右的恒力拉ab棒,使它由靜止開始運動,棒ab在離開磁場前已經(jīng)做勻速直線運動(棒ab與導軌始終保持良好的接觸,導軌電阻不計)。求:

(1)棒ab在離開磁場右邊界時的速度;

(2)棒ab通過磁場區(qū)的過程中整個回路所消耗的電能;

(3)試分析討論ab棒在磁場中可能的運動情況。

 


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如圖,光滑平行的水平金屬導軌MNPQ相距l,在M點和P點間接一個阻值為R的電阻,在兩導軌間OO1O1′O矩形區(qū)域內(nèi)有垂直導軌平面豎直向下、寬為d的     勻強磁場,磁感強度為B。一質(zhì)量為m,電阻為r的導體棒ab,垂直擱在導軌上,與磁場左邊界相距l0。現(xiàn)用一大小為F、水平向右的恒力拉ab棒,使它由靜止開始運動,棒ab在離開磁場前已經(jīng)做勻速直線運動(棒ab與導軌始終保持良好的接觸,導軌電阻不計)。求:

(1)棒ab在離開磁場右邊界時的速度;(2)棒ab通過磁場區(qū)的過程中整個回路所消耗的電能;

(3)試分析討論ab棒在磁場中可能的運動情況。

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