分析 (1)根據(jù)洛倫茲力提供向心力列式求半徑即可;
(2)粒子速度向下進(jìn)入磁場時(shí),可以到達(dá)cd最下端;當(dāng)粒子向上運(yùn)動(dòng),且軌跡與cd相切時(shí),可以到達(dá)cd邊界最高點(diǎn),根據(jù)幾何關(guān)系求解射中區(qū)域的長度;
(3)根據(jù)幾何關(guān)系,求出粒子出磁場的位置,得出進(jìn)入磁場的初速度方向,最終得出粒子做類平拋運(yùn)動(dòng),然后將粒子的運(yùn)動(dòng)沿著垂直電場方向和平行電場方向正交分解,然后根據(jù)位移公式求解出運(yùn)動(dòng)時(shí)間,再根據(jù)速度時(shí)間公式得出平行電場方向和垂直電場方向的分速度,最后合成合速度,從而得到動(dòng)能損失.
解答 解:(1)α粒子在勻強(qiáng)磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),洛倫茲力提供向心力,即
qαvB=mα$\frac{{v}^{2}}{R}$,解得:R=$\frac{{m}_{α}v}{{q}_{α}B}$=0.2m=20cm;
即α粒子在磁場中作圓周運(yùn)動(dòng)的軌道半徑R為20cm.
(2)設(shè)cd中心為O,向c端偏轉(zhuǎn)的α粒子,當(dāng)圓周軌跡與cd相切時(shí)偏離O最遠(yuǎn),設(shè)切點(diǎn)為P,對應(yīng)圓心O1,如圖所示
則由幾何關(guān)系得:$\overline{OP}$=$\overline{SA}$=$\sqrt{{R}^{2}-(R-d)^{2}}$=16cm,
向d端偏轉(zhuǎn)的α粒子,當(dāng)沿sb方向射入時(shí),偏離O最遠(yuǎn),設(shè)此時(shí)圓周軌跡與cd交于Q點(diǎn),對應(yīng)圓心O2,
如圖所示,則由幾何關(guān)系得:$\overline{OQ}$=$\sqrt{{R}^{2}+(R-d)^{2}}$=16cm
故金箔cd被α粒子射中區(qū)域的長度 L=$\overline{PQ}$=$\overline{OP}$+$\overline{OQ}$=32cm.
(3)設(shè)從Q點(diǎn)穿出的α粒子的速度為v′,因半徑O2Q∥場強(qiáng)E,則v′⊥E,故穿出的α粒子在電場中做類平拋運(yùn)動(dòng),軌跡如圖所示.
沿速度v′方向做勻速直線運(yùn)動(dòng),位移 Sx=($\overline{SN}$-R)sin53°=16cm=0.16m
沿場強(qiáng)E方向做勻加速直線運(yùn)動(dòng),位移 Sy=($\overline{SN}$-R)cos53°+R=32cm
則由Sx=v′t Sy=$\frac{1}{2}$at2 a=$\frac{{q}_{α}E}{{m}_{α}}$,得:v′=8.0×105m/s
故此α粒子從金箔上穿出時(shí),損失的動(dòng)能為
△Ek=$\frac{1}{2}$mαv2-$\frac{1}{2}$mαv′2=3.19×10-14J
即此α粒子從金箔上穿出時(shí),損失的動(dòng)能△EK為3.19×10-14J.
答:(1)α粒子在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的軌道半徑R為20cm;
(2)金箔cd被α粒子射中區(qū)域的長度L為32cm;
(3)設(shè)打在金箔上d端離cd中心最遠(yuǎn)的α粒子沿直線穿出金箔進(jìn)入電場,在電場中運(yùn)動(dòng)通過N點(diǎn),SN⊥ab且SN=40cm,則此α粒子從金箔上穿出時(shí),損失的動(dòng)能△Ek為3.19×10-14J.
點(diǎn)評 本題關(guān)鍵將粒子的運(yùn)動(dòng)分為磁場中的運(yùn)動(dòng)和電場中的運(yùn)動(dòng),對于磁場中的運(yùn)動(dòng)根據(jù)洛倫茲力提供向心力列式,同時(shí)結(jié)合幾何關(guān)系分析;對于電場中的運(yùn)動(dòng),通常都為類平拋運(yùn)動(dòng),然后根據(jù)正交分解法分解為直線運(yùn)動(dòng)研究.
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 運(yùn)動(dòng)半徑變小 | B. | 周期變小 | C. | 角速度變大 | D. | 線速度變小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | L1亮度不變,L2變暗 | B. | L1變暗,L2變亮 | ||
C. | 電路消耗的總功率變小 | D. | 干路電流不變 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
線段 | OA | OB | OC | OD | OE | OF |
數(shù)據(jù)/cm | 0.54 | 1.53 | 2.92 | 4.76 | 9.40 |
各點(diǎn)速度 | vA | vB | vC | vD | vE |
數(shù)據(jù)/(×10-2m/s) | 7.70 | 12.0 | 16.2 | 20.4 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | F上向上,F(xiàn)下向下 | B. | F上向下,F(xiàn)下向下 | C. | F上向上,F(xiàn)下向上 | D. | F上向上,F(xiàn)下向下 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | $\frac{mgR}{4}$ | B. | $\frac{mgR}{2}$ | C. | mgR | D. | 2mgR |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 一切靜電場的場強(qiáng)均可以用公式E=$\frac{KQ}{{r}^{2}}$計(jì)算出來 | |
B. | 處于靜電平衡狀態(tài)的導(dǎo)體,其內(nèi)部場強(qiáng)處處為零 | |
C. | 在靜電場中,沿著電場線的方向移動(dòng)電荷,電場力一定做正功 | |
D. | 在正點(diǎn)電荷形成的電場中,離點(diǎn)電荷越近,電勢越高,場強(qiáng)越大 |
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