分析 (1)AK間電場方向向右,根據(jù)離子受力方向判斷電性;根據(jù)受力情況分析運(yùn)動(dòng)情況;
(2)如果離子恰好垂直打在熒光屏上的N點(diǎn),由幾何知識(shí)確定圓周運(yùn)動(dòng)的半徑,由牛頓第二定律求速度,由動(dòng)能定理求板間電壓,即電壓表示數(shù);
(3)當(dāng)滑片在最左端時(shí)電壓表示數(shù)最小,由閉合電路歐姆定律求最小電壓;要使離子打在熒光屏上N點(diǎn)的右側(cè),離子在磁場中偏轉(zhuǎn)軌跡半徑變大,可以提高離子速度或減小磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度.
解答 解:(1)離子在AK間加速,受向右的電場力,板間電場方向也是向右,故離子帶正電.
離子在兩金屬板間做勻加速直線運(yùn)動(dòng),離開電場進(jìn)入磁場前做勻速直線運(yùn)動(dòng),在磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),離開磁場后做勻速直線運(yùn)動(dòng),直到打在熒光屏上.
(2)根據(jù)題述,離子在磁場中偏轉(zhuǎn)90°
軌跡半徑r=R=10$\sqrt{3}$cm
由$Bqv=m\frac{{v}^{2}}{r}$
$Uq=\frac{1}{2}m{v}^{2}$
解得U=30V
(3)電壓表最小電${U}_{min}=\frac{{R}_{1}E}{{R}_{1}+{R}_{2}+r}$
解得Umin=10V
要使離子打在熒光屏上N點(diǎn)的右側(cè),離子在磁場中偏轉(zhuǎn)軌跡半徑變大,$r=\frac{mv}{Bq}$,可以提高離子速度或減小磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度.
方法一,向右移動(dòng)滑動(dòng)變阻器滑片,增大平行板間電壓
方法二,提高電源電動(dòng)勢,增大平行板間電壓
方法三,減小磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度
答:(1)離子帶正電;離子在兩金屬板間做勻加速直線運(yùn)動(dòng),離開電場進(jìn)入磁場前做勻速直線運(yùn)動(dòng),在磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),離開磁場后做勻速直線運(yùn)動(dòng),直到打在熒光屏上.
(2)30V
(3)Umin=10V;方法一,向右移動(dòng)滑動(dòng)變阻器滑片,增大平行板間電壓;方法二,提高電源電動(dòng)勢,增大平行板間電壓;方法三,減小磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度.
點(diǎn)評(píng) 本題分析離子的運(yùn)動(dòng)情況是求解的關(guān)鍵和基礎(chǔ),主要考查粒子在復(fù)合場中的運(yùn)動(dòng),解題時(shí)綜合應(yīng)用電路、磁場和幾何知識(shí),綜合程度較大,難度一般.
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 圖中記錄的是分子無規(guī)則運(yùn)動(dòng)的情況 | |
B. | 在第75 s末,小炭粒一定位于C、D連線的中點(diǎn) | |
C. | 由實(shí)驗(yàn)可知,小炭粒越大,布朗運(yùn)動(dòng)越顯著 | |
D. | 由實(shí)驗(yàn)可知,溫度越高,布朗運(yùn)動(dòng)越劇烈 |
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 電磁波由真空進(jìn)入介質(zhì)時(shí)波長變長 | |
B. | 在地面附近有一高速飛過的火箭,地面上的人觀察到火箭變短了,火箭上的時(shí)間進(jìn)程變慢了;火箭上的人觀察到火箭的長度和時(shí)間進(jìn)程均無變化 | |
C. | 一單擺做簡諧運(yùn)動(dòng),擺球相繼兩次通過同一位置時(shí)的速度必相同 | |
D. | 變化的電場產(chǎn)生磁場,變化的磁場產(chǎn)生電場 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 前3s內(nèi)拉力功率恒定 | |
B. | 最后2s內(nèi)貨物處于超重狀態(tài) | |
C. | 前3s內(nèi)與最后2s內(nèi)貨物的平均速度相同 | |
D. | 3~5s內(nèi)貨物的機(jī)械能守恒 |
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