在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(chǎng)(場(chǎng)強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)共存的場(chǎng)區(qū),一電子沿垂直電場(chǎng)線和磁感線方向以速度v0 射入場(chǎng)區(qū),則 


  1. A.
    若v0 >E/B,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v>v0
  2. B.
    若v0 >E/B,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v<v0
  3. C.
    若v0 <E/B,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v>v0
  4. D.
    若v0 <E/B,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v<v0
BC
若v0 >E/B,則洛倫茲力大于電場(chǎng)力,因?yàn)殡娮铀苈鍌惼澚ο蛳,所以電子將下偏轉(zhuǎn),電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),電場(chǎng)力做負(fù)功,動(dòng)能減小,所以射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v<v0,故A錯(cuò)誤B正確
若v0 <E/B,則洛倫茲力小于電場(chǎng)力,電子向電場(chǎng)力方向偏轉(zhuǎn),電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),電場(chǎng)力做正功,動(dòng)能增大,所以射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v>v0,故C正確D錯(cuò)誤
故選BC
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相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(chǎng)(場(chǎng)強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)共存的場(chǎng)區(qū),一電子沿垂直電場(chǎng)線和磁感線方向以速度v0射入場(chǎng)區(qū),則( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(chǎng)(場(chǎng)強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)共存的場(chǎng)區(qū),一電子沿垂直電場(chǎng)線和磁感線方向以速度v0射入場(chǎng)區(qū),則(  )

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(chǎng)(場(chǎng)強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)共存的場(chǎng)區(qū),一電子沿垂直電場(chǎng)線和磁感線方向以速度v0 射入場(chǎng)區(qū),則( 。
A、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v>v0
B、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v<v0
C、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v<v0
D、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v<v0

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科目:高中物理 來源:2012屆雅安中學(xué)高二第二學(xué)期期中試題物理試題 題型:選擇題

在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(chǎng)(場(chǎng)強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)共存的場(chǎng)區(qū),一電子沿垂直電場(chǎng)線和磁感線方向以速度v0 射入場(chǎng)區(qū),則 (   )

A.若v0 >E/B,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v>v0

B.若v0 >E/B,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v<v0

C.若v0 <E/B,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v>v0

D.若v0 <E/B,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v<v0

 

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科目:高中物理 來源:2008-2009學(xué)年廣東省湛江市高二(上)期末物理試卷(解析版) 題型:選擇題

在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(chǎng)(場(chǎng)強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)共存的場(chǎng)區(qū),一電子沿垂直電場(chǎng)線和磁感線方向以速度v射入場(chǎng)區(qū),則( )

A.若v>E/B,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v>v
B.若v>E/B,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v<v
C.若v<E/B,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v>v
D.若v<E/B,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v<v

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