【題目】如圖所示，abcd為一邊長為l的正方形導(dǎo)線框，導(dǎo)線框位于光滑水平面內(nèi)，其右側(cè)為一勻強磁場區(qū)域，磁場的邊界與線框的cd邊平行，磁場區(qū)域的寬度為2l，磁感應(yīng)強度為B，方向豎直向下。線框在一垂直于cd邊的水平恒定拉力F作用下沿水平方向向右運動，直至通過磁場區(qū)域。cd邊剛進入磁場時，線框開始勻速運動，規(guī)定線框中電流沿逆時針時方向為正，則導(dǎo)線框從剛進入磁場到完全離開磁場的過程中，a、b兩端的電壓Uab及導(dǎo)線框中的電流i隨cd邊的位移x變化的圖線可能是（　　）

A. B. C. D.

【答案】BD

【解析】A、B、線圈的cd邊剛進入磁場時做勻速運動，則整個線圈進入磁場時速度不變，根據(jù)楞次定律產(chǎn)生逆時針方向的電流，為正方向，電動勢大小，此時ab兩端的電壓為，當(dāng)線圈全部進入磁場時，線圈內(nèi)無感應(yīng)電流，此時線圈做勻加速運動，ab兩端的電壓為，對比圖象可知，A錯誤；B正確；，

C、D、當(dāng)線圈的cd邊出磁場時。電流為順時針方向，由于此時安培力大于外力F，故此時線圈做減速運動，且加速度逐漸減小，電流圖象切線的斜率減小，逐漸趨近于開始進入磁場時的電流大，C錯誤；D正確；

故選BD。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】甲、乙為兩顆地球衛(wèi)星,其中甲軌道為圓,乙軌道為橢圓,圓軌道的直徑與橢圓軌道的長軸相等,如圖所示,P點為兩軌道的一個交點.下列說法中正確的是(　　)

A. 衛(wèi)星乙在遠(yuǎn)地點的線速度小于衛(wèi)星甲的線速度

B. 衛(wèi)星乙在近地點的線速度小于衛(wèi)星甲的線速度

C. 衛(wèi)星乙的周期大子衛(wèi)星甲的周期

D. 衛(wèi)星乙在P點的加速度等于衛(wèi)星甲在P點的加速度

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】1931年，法國物理學(xué)家保羅·朗之萬曾說：“大家都知道，在我們這一時代的物理學(xué)史中，（他）的地位將在最前列。他現(xiàn)在是并且將來也還是人類宇宙中有頭等光輝的一顆巨星�！驗樗麑τ诳茖W(xué)的貢獻更深入到人類思想基本概念的結(jié)構(gòu)中�！彼u論的這位科學(xué)家是

A. 伽利略

B. 牛頓

C. 普朗克

D. 愛因斯坦

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】下列各組物理量中，全部是矢量的有（　�。�

A. 速度、平均速率、加速度、位移

B. 位移、速度、平均速度、加速度

C. 位移、速度、加速度、質(zhì)量

D. 速度、加速度、位移、時間

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】關(guān)于做功，下列說法中正確的是

A. 滑動摩擦力阻礙物體的相對運動，一定做負(fù)功

B. 靜摩擦力和滑動摩擦力都可以做正功

C. 一負(fù)電荷在電場中移動時，克服電場力做功，則其電勢能減少

D. 作用力與反作用力大小相等方向相反，所做功的代數(shù)和一定為零

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】理想變壓器在正常工作時，原、副線圈中相同的物理量是

A. 每匝線圈中磁通量的變化率

B. 交變電流的頻率

C. 原線圈的輸入功率，副線圈的輸出功率

D. 原、副線圈中的感應(yīng)電動勢

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示是某工廠所采用的小型生產(chǎn)流水線示意圖，機器生產(chǎn)出的物體源源不斷地從出口處以水平速度v0滑向一粗糙的水平傳送帶，最后從傳送帶上落下裝箱打包．假設(shè)傳送帶靜止不動時，物體滑到傳送帶右端的速度為v，最后物體落在P處的箱包中．下列說法正確的是()]

A. 若傳送帶隨皮帶輪順時針方向轉(zhuǎn)動起來，且傳送帶速度小于v，物體仍落在P點

B. 若傳送帶隨皮帶輪順時針方向轉(zhuǎn)動起來，且傳送帶速度大于v0，物體仍落在P點

C. 若傳送帶隨皮帶輪順時針方向轉(zhuǎn)動起來，且傳送帶速度大于v，物體仍落在P點

D. 若由于操作不慎，傳送帶隨皮帶輪逆時針方向轉(zhuǎn)動起來，物體仍落在P點

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】一定量的理想氣體從狀態(tài)a開始，經(jīng)歷三個過程ab、bc、ca回到原狀態(tài)，其p﹣T圖象如圖所示，下列判斷正確的是_________。

A．過程ab中是等容變化

B．過程bc中氣體既不吸熱也不放熱

C．過程ca中外界對氣體所做的功等于氣體所放的熱

D．a、b和c三個狀態(tài)中，狀態(tài)a分子的平均動能最小

E．b和c兩個狀態(tài)中，容器壁單位面積單位時間內(nèi)受到氣體分子撞擊的次數(shù)不同

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，有界勻強磁場與斜面垂直，質(zhì)量為m的正方形線框靜止在傾角為30°的絕緣斜面上（位于磁場外），現(xiàn)使線框獲得速度v向下運動，恰好穿出磁場，線框的邊長小于磁場的寬度，線框與斜面間的動摩擦因數(shù)μ=，則下列說法正確的是（　　）

A. 線框完全進入磁場后做勻速運動

B. 線框進入磁場的過程中電流做的功大于穿出磁場的過程中電流做的功

C. 線框進入和穿出磁場時，速度平方的變化量與運動距離成正比

D. 線框進入和穿出磁場時，速度變化量與運動時間成正比

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