串列加速器是用來產(chǎn)生高能離子的裝置。圖中虛線框內(nèi)為其主體的原理示意圖,其中加速管的中部b處有很高的正電勢U,a、c兩端均有電極接地(電勢為零),F(xiàn)將速度很低的負一價碳離子從a端輸入,當離子到達b處時,可被設(shè)在b處的特殊裝置將其電子剝離,成為n價正離子,而不改變其速度大小。這些正n價碳離子從c端飛出后進入一與其速度方向垂直的、磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場中,在磁場中做半徑為R的圓周運動。已知碳離子的質(zhì)量為m=2.0×10-26 kg,U=7.5×105V,B=0.50T,n=2,元電荷e=1.6×10-19 C,求R。
解:設(shè)碳離子到達b處的速度為v1,從c端射出時的速度為v2,由能量關(guān)系得 
m=eU ①
m=m+neU ②
進入磁場后,碳離子做圓周運動,可得nev2B=m
由以上三式可得R=
由④式及題給數(shù)值得R=0.75m
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(2003?江蘇)串列加速器是用來產(chǎn)生高能離子的裝置.圖中虛線框內(nèi)為其主體的原理示意圖,其中加速管的中部b處有很高的正電勢U,a、c兩端均有電極接地(電勢為零).現(xiàn)將速度很低的負一價碳離子從a端輸入,當離子到達b處時,可被設(shè)在b處的特殊裝置將其電子剝離,成為n價正離子,而不改變其速度大。@些正n價碳離子從c端飛出后進入一與其速度方向垂直的、磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場中,在磁場中做半徑為R的圓周運動.已知碳離子的質(zhì)量為m=2.0×10-26kg,U=7.5×105V,B=0.50T,n=2,基元電荷e=1.6×10-19C,求R.

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    (03年江蘇卷)(13分)串列加速器是用來產(chǎn)生高能離子的裝置。圖中虛線框內(nèi)為其主體的原理示意圖,其中加速管的中部b處有很高的正電勢U,a、c兩端均有電極接地(電勢為零)。現(xiàn)將速度很低的負一價碳離子從a端輸入,當離子到達處時,可被設(shè)在處的特殊裝置將其電子剝離,成為n價正離子,而不改變其速度大小。這些正n價碳離子從c端飛出后進入一與其速度方向垂直的、磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場中,在磁場中做半徑為R的圓周運動。已知碳離子的質(zhì)量為m=2.0×10-26kg,U=7.5×105V,B=0.50T,n=2,基元電荷e=1.6×10-19C,求R。

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串列加速器是用來產(chǎn)生高能離子的裝置,如圖所示,圖中虛線框內(nèi)為其主體的原理示意圖,其中加速管的中部b處有很高的正電勢U,a、c兩端均有電極接地(電勢為零),F(xiàn)將速度很低的負一價碳離子(碳離子的質(zhì)量為m)從a端進入,當離子到達b處時,可被設(shè)在b處的特殊裝置將其電子剝離,成為n價正離子,而不改變其速度大小。這些正n價碳離子從c端飛出后進入一與其速度方向垂直的、磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場中,則在磁場中的半徑R(已知基元電荷為e)

A.   B.

C.         D.

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串列加速器是用來產(chǎn)生高能離子的裝置.圖11-4-3中虛線框內(nèi)為其主體的原理示意圖,其中加速管的中部b處有很高的正電勢U,a、c兩端均有電極接地(電勢為零).現(xiàn)將速度很小的負一價碳離子從a端輸入,當離子到達b處時,可被設(shè)在b處的特殊裝置將其電子剝離,成為n價正離子,而不改變其速度大小,這些正n價碳離子從c端飛出后進入一與其速度方向垂直的、磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場中,在磁場中做半徑為R的圓周運動.已知碳離子的質(zhì)量m=2.0×10-26 kg,U=7.5×105 V,B=0.5 T,n=2,元電荷e=1.6×10-19 C,求R.

圖11-4-3

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串列加速器是用來產(chǎn)生高能離子的裝置。圖中虛線框內(nèi)為其主體的原理示意圖,其中加速管中的中部b處有很高的正電勢U,a、c兩端均有電極接地(電勢為零)。現(xiàn)將速度很低的負一價碳離子從a端輸入,當離子到達b處時,可被設(shè)在b處的特殊裝置將其電子剝離,成為正n價正離子,而不改變其速度大小,這些正n價碳離子從c端飛出后進入一與其速度方向垂直的、磁感強度為B的勻強磁場中,在磁場中做半徑為R的圓周運動。已知碳離子的質(zhì)量,,基元電荷,求R.

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