4.在如圖所示的傾角為θ的光滑斜面上,存在著兩個(gè)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B的強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,區(qū)域I的磁場(chǎng)方向垂直斜面向上,區(qū)域Ⅱ的磁場(chǎng)方向垂直斜面向下,磁場(chǎng)和寬度HP及PN均為L(zhǎng),一個(gè)質(zhì)量為m、電阻為R、邊長(zhǎng)也為L(zhǎng)的正方形導(dǎo)線框,由靜止開始沿斜面下滑,t1時(shí)刻ab邊剛越GH進(jìn)入磁場(chǎng)I區(qū)域,此時(shí)導(dǎo)線框恰好以速度v1做勻速直線運(yùn)動(dòng);t2時(shí)刻ab邊下滑到JP與MN的中間位置,此時(shí)導(dǎo)線框又恰好以速度v2做勻速直線運(yùn)動(dòng).重力加速度為g.
①ab邊剛越好JP時(shí),導(dǎo)線框具有加速度大小為多少
②導(dǎo)線框兩次勻速直線運(yùn)動(dòng)的速度之比為多少?
③從t1到t2的過(guò)程中,有多少機(jī)械能轉(zhuǎn)化為電能?

分析 ①當(dāng)ab邊剛越好JP時(shí),線框的上下兩邊都切割磁感線,產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),根據(jù)法拉第定律、歐姆定律求出線圈所受的安培力的大小,根據(jù)牛頓第二定律求解加速度.
②t1時(shí)刻ab邊剛越GH進(jìn)入磁場(chǎng)I區(qū)域,導(dǎo)線框以速度v1做勻速直線運(yùn)動(dòng);t2時(shí)ab邊下滑到JP與MN的中間位置,此時(shí)線框又恰好以速度v2做勻速直線運(yùn)動(dòng),則知兩次勻速運(yùn)動(dòng)時(shí),重力沿斜面向下的分力與安培力平衡,列式求解速度v1:v2
③從t1到t2過(guò)程中,線框克服安培力做功的大小等于重力勢(shì)能的減少量與動(dòng)能減小量之和,根據(jù)能量守恒定律求出產(chǎn)生的電能.

解答 解:①t1時(shí)刻,線圈做勻速直線運(yùn)動(dòng),所受的安培力與重力的下滑分力平衡,則得:F1=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}{v}_{1}}{R}$=mgsinθ;
當(dāng)ab邊剛越好JP時(shí),線圈的上下兩邊都切割磁感線,產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),回路中產(chǎn)生的總感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為 E=2BLv1
線圈所受的安培力的合力為 F=2BIL=2BL•$\frac{2BL{v}_{1}}{R}$=4mgsinθ
根據(jù)牛頓第二定律得:F-mgsinθ=ma,解得:a=3gsinθ
②t2時(shí)刻,有安培力 F2=2BLI2=2BL•$\frac{2BL{v}_{2}}{R}$=$\frac{4{B}^{2}{L}^{2}{v}_{2}}{R}$=mgsinθ,由兩式比較得,v1:v2=4:1.
③根據(jù)能量守恒定律得從t1到t2,線框中產(chǎn)生的電能為:E=$\frac{3mgLsinθ}{2}$+$\frac{1}{2}m({v}_{1}^{2}-{v}_{2}^{2})$
答:
①ab邊剛越好JP時(shí),導(dǎo)線框具有加速度大小為3gsinθ.
②導(dǎo)線框兩次勻速直線運(yùn)動(dòng)的速度之比為4:1.
③從t1到t2的過(guò)程中,有$\frac{3mgLsinθ}{2}$+$\frac{1}{2}m({v}_{1}^{2}-{v}_{2}^{2})$的機(jī)械能轉(zhuǎn)化為電能.

點(diǎn)評(píng) 本題中線框出現(xiàn)兩次平衡狀態(tài),由E=BLv、I=$\frac{E}{R}$、F=BIL推導(dǎo)安培力的表達(dá)式是關(guān)鍵,要注意t2時(shí)刻線框ab、cd都切割磁感線產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),線框中總電動(dòng)勢(shì)為2BLv.

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