【題目】有一根細長而均勻的金屬管線樣品,長約60cm,電阻約為6Ω,橫截面如圖甲所示。
(1)用螺旋測微器測量金屬管線的外徑,示數(shù)如圖乙所示,金屬管線的外徑為_______mm;
(2)現(xiàn)有如下器材:
A.電流表(量程0.6A,內阻約0.1Ω)
B.電流表(量程3A,內阻約0.03Ω)
C.電壓表(量程3V,內阻約3kΩ)
D.滑動變阻器(1750Ω,0.3A)
E.滑動變阻器(15Ω,3A)
F.蓄電池(6V,內阻很。
G.開關一個,帶夾子的導線若干
要進一步精確測量金屬管線樣品的阻值,電流表應選______,滑動變阻器應選_______。(只填代號字母)
(3)請將圖丙所示的實際測量電路補充完整。(_________)
(4)已知金屬管線樣品材料的電阻率為ρ,通過多次測量得出金屬管線的電阻為R,金屬管線的外徑為d,要想求得金屬管線內形狀不規(guī)則的中空部分的橫截面積S,在前面實驗的基礎上,還需要測量的物理量是______。(所測物理量用字母表示并用文字說明)。計算中空部分橫截面積的表達式為S=_______。(用字母填寫表達式)
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【題目】如圖所示,平行金屬板A、B水平正對放置,分別帶等量異號電荷。一帶電微粒水平射入板間,在重力和電場力共同作用下運動,軌跡如圖中虛線所示,那么
A. 若微粒帶正電荷,則A板一定帶正電荷
B. 微粒從M點運動到N點電勢能一定增加
C. 微粒從M點運動到N點動能一定增加
D. 微粒從M點運動到N點機械能一定增加
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【題目】如圖所示,在x軸相距為L的兩點固定兩個等量異種點電荷+Q、-Q,虛線是以+Q所在點為圓心、L/2為半徑的圓,a、b、c、d是圓上的四個點,其中a、c兩點在x軸上,b、d兩點關于x軸對稱。下列判斷正確的是( )
A. b、d兩點處的電勢相同
B. 四點中c點處的電勢最低
C. b、d兩點處的電場強度相同
D. 將一試探電荷+q沿圓周由a點移至c點,+q的電勢能減小
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【題目】如圖所示,內壁粗糙、半徑R=0.4m的四分之一網(wǎng)弧軌道AB在最低點B處與光滑水平軌道BC相切。質量m2=0.4kg的小球b左端連接一水平輕彈簧,靜止在光滑水平軌道上,質量m1=0.4kg的小球a自圓弧軌道頂端由靜止釋放,運動到圓弧軌道最低點B的過程中克服摩擦力做功0.8J,忽略空氣阻力,重力加速度g=10m/s2。求:
(1)小球a由A點運動到B點時對軌道的壓力大;
(2)小球a通過彈簧與小球b相互作用的過程中,a球的最小動能;
(3)小球a通過彈簧與小球b相互作用的整個過程中,彈簧對小球b的沖量I的大小。
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【題目】如圖所示,質量相同的兩物體處于同一高度,A沿固定在地面上的光滑斜面下滑,B自由下落,最后到達同一水平面,則( 。
A. 重力對兩物體做功相同
B. 重力的平均功率相同
C. 到達底端時,重力的瞬時功率PA<PB
D. 到達底端時,兩物體的速度相同
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【題目】如圖所示,為一種改進后的回旋加速器示意圖,在D形盒邊上的縫隙間放置一對中心開有小孔a、b的平行金屬板M、N。每當帶正電的粒子從a孔進入時,就立即在兩板間加上恒定電壓,經(jīng)加速后從b孔射出,再立即撤去電壓。而后進入D形盒中的勻強磁場,做勻速圓周運動。縫隙間無磁場,不考慮相對論效應,則下列說法正確的是( )
A.D形盒中的磁場方向垂直紙面向外
B.粒子運動的周期不斷變大
C.粒子每運動一周直徑的增加量越來越小
D.增大板間電壓,粒子最終獲得的最大動能變大
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【題目】如圖所示,虛線a、b、c代表電場中的三個等勢面,相鄰等勢面之間的電勢差相等,即Uab=Ubc,實線為一帶正電的質點僅在電場力作用下通過該區(qū)域時的運動軌跡,P、Q 是這條軌跡上的兩點,據(jù)此可知( 。
A. 三個等勢面中,a的電勢最高
B. 帶電質點通過P點時電勢能較大
C. 帶電質點通過P點時的動能較大
D. 帶電質點通過P點時的加速度較小
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【題目】用電壓表和電流表測定一節(jié)干電池的電動勢和內電阻。實驗中要求盡量減小實驗誤差:
①應選擇的實驗電路是圖2中的___(選填“甲”或“乙”);
②選定合適的電路后進行實驗,將記錄的6組數(shù)據(jù)描在圖的坐標紙上,請在圖中畫出U—I圖線____;
根據(jù)所畫圖線,可得電池的內電阻r=___Ω(保留兩位有效數(shù)字);
③實驗中,隨著滑動變阻器滑片的移動,電壓表的示數(shù)U及干電池的輸出功率P都會發(fā)生變化,圖中能反映“P-U”關系的是___。
A. B. C. D.
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【題目】“電子眼”又稱“電子警察”,是“智能交通違章監(jiān)攝管理系統(tǒng)”的俗稱。某種“電子眼”采用硅光電池供電,其原理如圖所示,a、b是硅光電池的兩個電極,P、N是兩塊硅半導體,E區(qū)是兩塊半導體自發(fā)形成的勻強電場區(qū),P的上表面鍍有一層增透膜,光照射到半導體P上,使P內受束縛的電子成為自由電子(不計重力),自由電子經(jīng)E區(qū)勻強電場從P區(qū)向N區(qū)的電場力作用后到達半導體N,從而產(chǎn)生電動勢,形成電流。下列說法正確的是
A. b電極為硅光電池的正極
B. E區(qū)勻強電場的電場強度方向由N指向P
C. 硅光電池內部的電流方向由P指向N
D. 若將硅光電池移至光照較強處,則其產(chǎn)生的電動勢變小
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