光滑絕緣水平面上存在豎直向下的勻強(qiáng)磁場B,寬度為2L,一邊長為L、電阻為R.用同種材料做成的正方形線框以初速度v從左側(cè)沖進(jìn)磁場區(qū)域,俯視圖如圖所示,當(dāng)線框完全離開磁場時(shí)速度恰好為零.以ab邊剛進(jìn)人磁場時(shí)為時(shí)間和位移的零點(diǎn),用v表示線框速度(以右為正方向),i表示回路中的感應(yīng)電流(以逆時(shí)針方向?yàn)檎琲表示零時(shí)刻回路的感應(yīng)電流),Uab表示a、b兩點(diǎn)間的電壓,F(xiàn)ab表示ab邊所受的安培力(向左為正,F(xiàn)表示零時(shí)刻ab邊所受的安培力).則關(guān)于以上四個(gè)物理量對時(shí)間t或?qū)ξ灰苮的圖象中正確的( )

A.①③正確
B.②④正確
C.③④正確
D.①②③④正確
【答案】分析:線圈進(jìn)入磁場到最后離開磁場,先做變減速運(yùn)動(dòng),然后做勻速,最后接著做變減速,三段位移相同,則時(shí)間不可能相同.
利用微元法分析:a△t=△t,即△v=△x,再微分,得線框完全進(jìn)入磁場的速度為.根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律,求出進(jìn)入磁場時(shí)、完全進(jìn)入、剛離開磁場時(shí)的電動(dòng)勢、電流、ab兩端的電壓及安培力.
解答:解:線圈進(jìn)入磁場到最后離開磁場,先做變減速運(yùn)動(dòng),然后做勻速,最后接著做變減速,三段位移相同,則時(shí)間不可能相同.故①②都錯(cuò).線圈剛進(jìn)入磁場時(shí)速度為vo,則=,ab邊所受安培力F=,根據(jù)微元法計(jì)算,線框完全進(jìn)入磁場的速度為,,ab邊所受安培力變?yōu)?img src="http://thumb.zyjl.cn/pic6/res/gzwl/web/STSource/20131028201248398491987/SYS201310282012483984919006_DA/8.png">F,在磁場中運(yùn)動(dòng)時(shí),Uab=E=,電流為零,安培力為零.剛出磁場時(shí)=,ab邊雖然電流不為零,但所處的磁感應(yīng)強(qiáng)度為零,所以安培力為零.進(jìn)磁場和出磁場時(shí),根據(jù)微元法分析a△t=△t,即△v=△x,v與x成線性關(guān)系,所以Uab與x成線性關(guān)系,安培力與速度成正比,所以安培力也與x成線性關(guān)系.故A、B、D錯(cuò)誤,C正確.
故選C.
點(diǎn)評:解決本題關(guān)鍵正確運(yùn)用法拉第電磁感應(yīng)定律與電學(xué)的綜合以及能夠用微元法求出線框完全進(jìn)入磁場的速度.
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相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

(2011?湖北二模)光滑絕緣水平面上存在豎直向下的勻強(qiáng)磁場B,寬度為2L,一邊長為L、電阻為R、用同種材料做成的正方形線框以初速度v0從左側(cè)沖進(jìn)磁場區(qū)域,俯視圖如圖所示,當(dāng)線框完全離開磁場時(shí)速度恰好為零.以ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí)為時(shí)間和位移的零點(diǎn),用v表示線框速度(以右為正方向),i表示回路中的感應(yīng)電流(以逆時(shí)針方向?yàn)檎琲0表示零時(shí)刻回路的感應(yīng)電流),Uab表示a、b兩點(diǎn)間的電壓,F(xiàn)ab表示ab邊所受的安培力(向左為正,F(xiàn)0表示零時(shí)刻ab邊所受的安培力).則關(guān)于以上四個(gè)物理量對時(shí)間t或?qū)ξ灰苮的圖象中正確的是( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2011?安徽二模)光滑絕緣水平面上存在豎直向下的勻強(qiáng)磁場B,寬度為2L,一邊長為L、電阻為R.用同種材料做成的正方形線框以初速度v0從左側(cè)沖進(jìn)磁場區(qū)域,俯視圖如圖所示,當(dāng)線框完全離開磁場時(shí)速度恰好為零.以ab邊剛進(jìn)人磁場時(shí)為時(shí)間和位移的零點(diǎn),用v表示線框速度(以右為正方向),i表示回路中的感應(yīng)電流(以逆時(shí)針方向?yàn)檎,i0表示零時(shí)刻回路的感應(yīng)電流),Uab表示a、b兩點(diǎn)間的電壓,F(xiàn)ab表示ab邊所受的安培力(向左為正,F(xiàn)0表示零時(shí)刻ab邊所受的安培力).則關(guān)于以上四個(gè)物理量對時(shí)間t或?qū)ξ灰苮的圖象中正確的(  )

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科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年湖北省高三第二次聯(lián)考理綜)物理部分 題型:選擇題

光滑絕緣水平面上存在豎直向下的勻強(qiáng)磁場B,寬度為2L,一邊長為L、電阻為R.用同種材料做成的正方形線框以初速度v0從左側(cè)沖進(jìn)磁場區(qū)域,俯視圖如圖21 -(a)所示,當(dāng)線框完全離開磁場時(shí)速度恰好為零.以ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí)為時(shí)間和位移的零點(diǎn),用v表示線框速度(以右為正方向),i表示回路中的感應(yīng)電流(以逆時(shí)針方向?yàn)檎,i0表示零時(shí)刻回路的感應(yīng)電流),Uab表示a、b兩點(diǎn)間的電壓,F(xiàn)ab表示ab邊所受的安培力(向左為正,F(xiàn)0表示零時(shí)刻ab邊所受的安培力).則關(guān)于以上四個(gè)物理量對時(shí)間t或?qū)ξ灰苮的圖象中正確的是(    )

 

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科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年河北省邢臺市高三第一次模擬物理卷 題型:選擇題

光滑絕緣水平面上存在豎直向下的勻強(qiáng)磁場B,寬度為2L,一邊長為L、電阻為R,用同種材料做成的正方形線框以初速度v0從左側(cè)沖進(jìn)磁場區(qū)域,俯視圖如圖21(a)所示,當(dāng)線框完全離開磁場時(shí)速度恰好為零,以ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí)為時(shí)間和位移的零點(diǎn),用v表示線框速度(以右為正方向),i表示回路中的感應(yīng)電流(以逆時(shí)針方向?yàn)檎琲0表示零時(shí)刻回路的感應(yīng)電流),Uab表示a、b兩點(diǎn)間的電勢差,F(xiàn)ab表示ab邊所受的安培力(向左為正,F(xiàn)0表示零時(shí)刻ab邊所受的安培力)。則關(guān)于以上四個(gè)物理量的時(shí)間t或?qū)ξ灰苮的圖象中正確的是 (    )

 

 

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科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年山東省諸城市高三2月月考(理綜)物理部分 題型:選擇題

光滑絕緣水平面上存在豎直向下的勻強(qiáng)磁場,寬度為2,一邊長為、電阻為.用同種材料做成的正方形線框以初速度從左側(cè)沖進(jìn)磁場區(qū)域,俯視圖如圖所示,當(dāng)線框完全離開磁場時(shí)速度恰好為零.以邊剛進(jìn)入磁場時(shí)為時(shí)間和位移的零點(diǎn),用表示線框速度(以右為正方向),表示回路中的感應(yīng)電流(以逆時(shí)針方向?yàn)檎?img src="http://thumb.zyjl.cn/pic6/res/gzwl/web/STSource/2012052807471012068811/SYS201205280747498706346846_ST.files/image008.png">表示零時(shí)刻回路的感應(yīng)電流),表示、兩點(diǎn)間的電壓,表示邊所受的安培力(向左為正,表示零時(shí)刻邊所受的安培力).則關(guān)于以上四個(gè)物理量對時(shí)間或?qū)ξ灰?img src="http://thumb.zyjl.cn/pic6/res/gzwl/web/STSource/2012052807471012068811/SYS201205280747498706346846_ST.files/image015.png">的圖象中正確的是

 

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