A. | 電壓表的示數(shù)變小,電流表的示數(shù)變大 | |
B. | 電壓表的示數(shù)變大,電流表的示數(shù)變小 | |
C. | 電壓表的示數(shù)變大,電流表的示數(shù)變大 | |
D. | 電壓表的示數(shù)變小,電流表的示數(shù)變小 |
分析 在閉合開關(guān)S稱重過程中,滑片P向下滑動(dòng),接入電路的電阻減小,分析電流的變化,再分析電壓表讀數(shù)的變化.
解答 解:在閉合開關(guān)S稱重過程中,滑片P向下滑動(dòng),接入電路的電阻減小,電路中電流增大,則電源的內(nèi)電壓增大,路端電壓減小,所以電壓表V的示數(shù)變小,電流表A的示數(shù)變大.故A正確.
故選:A
點(diǎn)評(píng) 本題實(shí)質(zhì)上是電路的動(dòng)態(tài)變化分析問題,正確分析變阻器電阻的變化是關(guān)鍵,也可以直接根據(jù)外電阻減小,分析電壓表的讀數(shù)變化.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 第一級(jí)臺(tái)階 | B. | 第二級(jí)臺(tái)階 | C. | 第三級(jí)臺(tái)階 | D. | 第四級(jí)臺(tái)階 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 物體的加速度是1 m/s2 | |
B. | 1T末的瞬時(shí)速度為1 m/s | |
C. | 物體在第二個(gè)T內(nèi)的平均速度是1.5 m/s | |
D. | 物體在第一個(gè)T內(nèi)位移是1 m |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | P、N兩點(diǎn)點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)不等,但方向相同 | |
B. | 將一帶負(fù)電的粒子從M點(diǎn)移到N點(diǎn),電場(chǎng)力做負(fù)功 | |
C. | 帶電量+q的粒子,從P點(diǎn)的電勢(shì)能小于在N點(diǎn)的電勢(shì)能 | |
D. | 帶正電的粒子僅在電場(chǎng)力作用下,一定沿電場(chǎng)線PN運(yùn)動(dòng) |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 膜片與極板間的電容增大 | B. | 極板的帶電量增大 | ||
C. | 膜片與極板間的電場(chǎng)強(qiáng)度增加 | D. | 電阻R中有電流通過 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 教師內(nèi)看到透過窗子的“陽光柱”里粉塵顆粒雜亂無章的運(yùn)動(dòng),這種運(yùn)動(dòng)是布朗運(yùn)動(dòng) | |
B. | 機(jī)械能不可能全部轉(zhuǎn)化為內(nèi)能,內(nèi)能也無法全部用來做功以轉(zhuǎn)化成機(jī)械能 | |
C. | 分子勢(shì)能隨著分子間距離的增大,可能先減小后增大 | |
D. | 在真空、高溫條件下,可以利用分子擴(kuò)散向半導(dǎo)體材料摻入其他元素 | |
E. | 單晶體沿不同方向的物理性質(zhì)不同 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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