分析 (1)畫出離子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)軌跡,由幾何知識(shí)求出離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑r,從而可求得離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的速度大。畮щ娏W哟怪边M(jìn)入電場(chǎng)中作類平拋運(yùn)動(dòng),將其運(yùn)動(dòng)分解為水平和豎直兩個(gè)方向,由牛頓第二定律和分位移規(guī)律求解.
(2)求出磁場(chǎng)中軌跡對(duì)應(yīng)的圓心角,從而求出帶電粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間.由上題得到粒子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間,從而求出總時(shí)間.
(3)根據(jù)動(dòng)能定理求解離子到達(dá)G處時(shí)的速度大小.
解答 解:(1)正離子的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖所示,
離子在磁場(chǎng)中作勻速圓周運(yùn)動(dòng),設(shè)軌跡半徑為r,由幾何知識(shí)可得:r+rcos 60°=d,
解得:r=$\frac{2}{3}$d
設(shè)離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的速度為v0,由牛頓第二定律得:qv0B=m$\frac{{v}_{0}^{2}}{r}$
得 v0=$\frac{qBr}{m}$=$\frac{2qBd}{3m}$
離子進(jìn)入電場(chǎng)中做類平拋運(yùn)動(dòng),則有:
d=$\frac{1}{2}•\frac{qE}{m}{t}^{2}$
4d=v0t
聯(lián)立解得:E=$\frac{q{B}^{2}d}{18m}$
(2)離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的周期為:T=$\frac{2πr}{{v}_{0}}$=$\frac{2πm}{qB}$
根據(jù)軌跡得:離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為:t1=$\frac{120°}{360°}$T=$\frac{2πm}{3qB}$
離子從C運(yùn)動(dòng)到G做類平拋運(yùn)動(dòng),水平方向做勻速直線運(yùn)動(dòng),所需的時(shí)間為:t2=$\frac{4d}{{v}_{0}}$=$\frac{6m}{qB}$
故離子從D→C→G的總時(shí)間為:t=t1+t2=$\frac{(2π+12)m}{3qB}$.
(3)對(duì)離子在電場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)過程,根據(jù)動(dòng)能定理得:
qE•d=$\frac{1}{2}m{v}_{G}^{2}$-$\frac{1}{2}$mv02
解得:vG=$\frac{\sqrt{5}qBd}{3m}$
答:(1)勻強(qiáng)電場(chǎng)的大小為$\frac{q{B}^{2}d}{18m}$;
(2)離子從D處運(yùn)動(dòng)到G處所需時(shí)間為$\frac{(2π+12)m}{3qB}$;
(3)離子到達(dá)G處時(shí)的速度大小為$\frac{\sqrt{5}qBd}{3m}$.
點(diǎn)評(píng) 本題離子在組合場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的問題,離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)畫軌跡是解題的關(guān)鍵,在電場(chǎng)中運(yùn)用運(yùn)動(dòng)的分解進(jìn)行研究.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 電磁波在真空中傳播時(shí),它的電場(chǎng)與磁場(chǎng)相互垂直且與傳播方向垂直 | |
B. | 變化的磁場(chǎng)一定產(chǎn)生變化的電場(chǎng) | |
C. | 把傳送信號(hào)“加”到載波上的過程叫調(diào)諧 | |
D. | 高速運(yùn)動(dòng)的電磁波源發(fā)出的電磁波,傳播速度可以大于真空中的光速 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | A球先落地 | B. | B球先落地 | ||
C. | 兩球同時(shí)落地 | D. | 以上三種情況均有可能 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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