A. | v1<v2,Q1>Q2,q1>q2 | B. | v1=v2,Q1=Q2,q1=q2 | ||
C. | v1<v2,Q1>Q2,q1=q2 | D. | v1=v2,Q1<Q2,q1<q2 |
分析 線圈進(jìn)入磁場(chǎng)之前做自由落體運(yùn)動(dòng),因下落高度相等,可知兩線圈會(huì)以同樣的速度進(jìn)入磁場(chǎng),由法拉第電磁感應(yīng)定律可求出進(jìn)入磁場(chǎng)邊界時(shí)的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),從而表示出受到磁場(chǎng)的安培力.由電阻定律表示出兩線圈的電阻,結(jié)合牛頓第二定律表示出加速度,可分析出加速度與線圈的粗細(xì)無(wú)關(guān),從而判斷出兩線圈進(jìn)入時(shí)運(yùn)動(dòng)是同步的,直到線圈2完全進(jìn)入磁場(chǎng)后,線圈做勻加速運(yùn)動(dòng),可得出落地速度的大小關(guān)系.由能量的轉(zhuǎn)化與守恒可知,損失的機(jī)械能(轉(zhuǎn)化為了內(nèi)能)與線圈的質(zhì)量有關(guān),從而判斷出產(chǎn)生的熱量大.由q=$\frac{△Φ}{R}$分析電荷量的大。
解答 解:線圈從同一高度下落,到達(dá)磁場(chǎng)邊界時(shí)具有相同的速度v,切割磁感線產(chǎn)生感應(yīng)電流,受到磁場(chǎng)的安培力大小為:
F=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$
由電阻定律有:R=ρ$\frac{4L}{S}$,(ρ為材料的電阻率,L為線圈的邊長(zhǎng),S為導(dǎo)線的橫截面積),線圈的質(zhì)量為 m=ρ0S•4L,(ρ0為材料的密度).
當(dāng)線圈的下邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)其加速度為:a=$\frac{mg-F}{m}$=g-$\frac{F}{m}$
聯(lián)立得,加速度為:a=g-$\frac{{B}^{2}v}{16ρ{ρ}_{0}}$
則知,線圈1和2進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程先同步運(yùn)動(dòng),由于當(dāng)線圈2剛好全部進(jìn)入磁場(chǎng)中時(shí),線圈1由于邊長(zhǎng)較長(zhǎng)還沒(méi)有全部進(jìn)入磁場(chǎng),線圈2完全進(jìn)入磁場(chǎng)后做加速度為g的勻加速運(yùn)動(dòng),而線圈1仍先做加速度小于g的變加速運(yùn)動(dòng),完全進(jìn)入磁場(chǎng)后再做加速度為g的勻加速運(yùn)動(dòng),兩線圈勻加速運(yùn)動(dòng)的位移相同,所以落地速度關(guān)系為 v1<v2.
由能量守恒可得:Q=mg(h+H)-$\frac{1}{2}$mv2(H是磁場(chǎng)區(qū)域的高度),因?yàn)閙1>m2,v1<v2,所以可得 Q1>Q2.
根據(jù)q=$\frac{△Φ}{R}$=$\frac{B{L}^{2}}{ρ\frac{4L}{S}}$∝L知,q1>q2.
故選:A.
點(diǎn)評(píng) 本題要注意分析物體的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)及能量變化情況,關(guān)鍵點(diǎn)在于分析線圈進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程,由牛頓第二定律得到加速度關(guān)系,將電阻和質(zhì)量細(xì)化,列式分析物體的運(yùn)動(dòng)情況關(guān)系.
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次數(shù) | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |
U/V | 0.10 | 0.30 | 0.70 | 1.00 | 1.50 | 1.70 | 2.30 |
I/A | 0.020 | 0.060 | 0.160 | 0.220 | 0.340 | 0.460 | 0.520 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 甲比乙先落地,落地時(shí)甲的速度是乙的兩倍 | |
B. | 甲比乙先落地,落地時(shí)甲、乙的速度相同 | |
C. | 甲、乙同時(shí)落地,落地時(shí)甲的速度是乙的兩倍 | |
D. | 甲、乙同時(shí)落地,落地時(shí)甲、乙的速度相同 |
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A. | 4年 | B. | 6年 | C. | 8年 | D. | $\frac{8}{9}$年 |
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