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如圖所示,厚度為h、寬度為d的導體板放在垂直于它的磁感應強度為B的勻強磁場中,當電流通過導體板時,在導體板的上側面A和下側面A′之間會產生電勢差,這種現象稱為霍爾效應。實驗表明,當磁場不太強時,電勢差U、電流IB的關系為Uk,式中的比例系數k稱為霍爾系數。

設電流I是由自由電子的定向流動形成的,電子的平均定向移動速度為v,電荷量為e,回答下列問題:

1.達到穩(wěn)定狀態(tài)時,導體板上側面A的電勢________下側面A′的電勢(填“高于”“低于”或“等于”);

2.電子所受的洛倫茲力的大小為________;

3.當導體板上下兩側之間的電勢差為U時,電子所受靜電力的大小為________;

4.證明霍爾系數為k=,其中n代表導體內單位體積中自由電子的個數.

 

 

1.低于

2.FEee

3.Inev·d·h

4.k

解析:略

 

練習冊系列答案
相關習題

科目:高中物理 來源: 題型:

(2000?安徽)如圖所示,厚度為h、寬度為d的導體板放在垂直于它的磁感應強度為B的勻強磁場中,當電流通過導體板時,在導體板的上側面A和下側面A′之間會產生電勢差,這種現象稱為霍爾效應.實驗表明,當磁場不太強時,電勢差U、電流I和B的關系為U=k
IB
d
,式中的比例系數k稱為霍爾系數.
設電流I是由自由電子的定向流動形成的,電子的平均定向移動速度為v,電荷量為e,回答下列問題:
(1)達到穩(wěn)定狀態(tài)時,導體板上側面A的電勢
低于
低于
下側面A′的電勢(填“高于”“低于”或“等于”);
(2)電子所受的洛倫茲力的大小為
eBv
eBv
;
(3)當導體板上下兩側之間的電勢差為U時,電子所受靜電力的大小為
eU
h
eU
h
;
(4)證明霍爾系數為k=
1
ne
,其中n代表導體內單位體積中自由電子的個數.

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2013?珠海二模)中國科學家發(fā)現了量子反;魻栃,楊振寧稱這一發(fā)現是諾貝爾獎級.如圖所示,厚度為h,寬度為d的金屬導體,當磁場方向與電流方向(自由電子定向移動形成電流)垂直時在上下表面會產生電勢差,這種現象稱為霍爾效應.下列說法正確的是( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網中國科學家發(fā)現了量子反;魻栃,楊振寧稱這一發(fā)現是諾貝爾獎級的成果.如圖所示,厚度為h,寬度為d的金屬導體,當磁場方向與電流方向垂直時,在導體上下表面會產生電勢差,這種現象稱為霍爾效應.下列說法正確的是( 。
A、上表面的電勢高于下表面電勢B、僅增大h時,上下表面的電勢差增大C、僅增大d時,上下表面的電勢差減小D、僅增大電流I時,上下表面的電勢差減小

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科目:高中物理 來源:2012年滬科版高中物理選修3-1 5.6洛倫茲力與現代科技練習卷(解析版) 題型:計算題

如圖所示,厚度為h寬度為d的導體板放在垂直于它的磁感應強度為B的均勻磁場中,當電流通過導體板時,在導體板的上側面A和下側面A/之間會產生電熱差,這種現象稱為霍爾效應。實驗表明,當磁場不太強時,電熱差U、電流I和磁感應強度B的關系 式中的比例系數K稱為霍爾系數。

霍爾效應可解釋如下:外部磁場的洛倫茲力使運動的電子聚集在導體板的一側,在導體板的另一側會出現多余的正電荷,從而形成橫向電場,橫向電場對電子施加與洛倉茲力方向相反的靜電力,當靜電力與洛倫茲力達到平衡時,導體板上下兩面之間就會形成穩(wěn)定的電勢差。

設電流I是由電子的定向流動形成的,電子的平均定向速度為v,電量為e;卮鹣铝袉栴}:

(1)達到穩(wěn)定狀態(tài)時,導體板上側面A的電勢_____下側面A的電勢(填高于、低于或等于) 

(2)電子所受的洛倫茲力的大小為______。

(3)當導體板上下兩面之間的電勢差為U時,電子所受靜電力的大小為_____。

(4)由靜電力和洛倫茲力平衡的條件,證明霍爾系數為,其中n代表導體板單位體積中電子的個數。

 

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科目:高中物理 來源:2012屆度江蘇省高三上學期第二次月考物理卷 題型:計算題

如圖所示,厚度為h、寬度為d的導體板放在垂直于它的磁感應強度為B的勻強磁場中,當電流通過導體板時,在導體板的上側面A和下側面A′之間會產生電勢差,這種現象稱為霍爾效應。實驗表明,當磁場不太強時,電勢差U、電流IB的關系為Uk,式中的比例系數k稱為霍爾系數。

設電流I是由自由電子的定向流動形成的,電子的平均定向移動速度為v,電荷量為e,回答下列問題:

1.達到穩(wěn)定狀態(tài)時,導體板上側面A的電勢________下側面A′的電勢(填“高于”“低于”或“等于”);

2.電子所受的洛倫茲力的大小為________;

3.當導體板上下兩側之間的電勢差為U時,電子所受靜電力的大小為________;

4.證明霍爾系數為k=,其中n代表導體內單位體積中自由電子的個數.

 

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