【題目】關(guān)于安培分子電流假說的說法正確的是　　

A. 安培觀察到物質(zhì)內(nèi)部有分子電流存在就提出了假說

B. 為了解釋磁鐵產(chǎn)生磁場(chǎng)的原因，安培提出了假說

C. 事實(shí)上物體內(nèi)部都存在類似的分子電流

D. 據(jù)后來科學(xué)家研究，原子內(nèi)電子繞核旋轉(zhuǎn)形成環(huán)形電流與安培分子電流假說相符

【答案】BCD

【解析】

安培所提出的“分子電流”的假說。安培認(rèn)為，在原子、分子或分子團(tuán)等物質(zhì)微粒內(nèi)部，存在著一種環(huán)形電流--分子電流，分子電流使每個(gè)物質(zhì)微粒都形成一個(gè)微小的磁體。未被磁化的物體，分子電流的方向非常紊亂，對(duì)外不顯磁性；磁化時(shí)，分子電流的方向大致相同，于是對(duì)外界顯示出磁性。

安培為了解釋磁鐵產(chǎn)生磁場(chǎng)的原因，提出的分子環(huán)形電流假說，認(rèn)為在原子、分子或分子團(tuán)等物質(zhì)微粒內(nèi)部，存在著一種環(huán)形電流--分子電流，分子電流使每個(gè)物質(zhì)微粒都形成一個(gè)微小的磁體。未被磁化的物體，分子電流的方向非常紊亂，對(duì)外不顯磁性；磁化時(shí)，分子電流的方向大致相同，于是對(duì)外界顯出顯示出磁性，說明了磁現(xiàn)象產(chǎn)生的本質(zhì)，故A錯(cuò)誤，B正確；安培提出了分子環(huán)形電流假說，事實(shí)上物體內(nèi)部都存在類似的分子電流。故C正確；安培提出了分子環(huán)形電流假說后，根據(jù)科學(xué)家研究，原子內(nèi)電子繞核旋轉(zhuǎn)形成環(huán)形電流與安培分子電流假說相符。故D正確；故選BCD。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】要發(fā)射遠(yuǎn)地衛(wèi)星，需要先將衛(wèi)星發(fā)射至近地圓形軌道1運(yùn)行，然后在Q點(diǎn)點(diǎn)火，使其沿橢圓軌道2運(yùn)行，最后在P點(diǎn)再次點(diǎn)火，將衛(wèi)星送入同步圓形軌道3運(yùn)行，如圖所示．已知軌道1、2相切于Q點(diǎn)，軌道2、3相切于P點(diǎn)．若只考慮地球?qū)πl(wèi)星的引力作用，則衛(wèi)星分別在軌道1、2、3上正常運(yùn)行時(shí)，下列說法正確的是（　�。�

A. 若衛(wèi)星在軌道1、2、3上正常運(yùn)行時(shí)的周期分別為T1、T2、T3，則有T1＜T2＜T3

B. 衛(wèi)星沿軌道2由Q點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到P點(diǎn)時(shí)引力做負(fù)功，衛(wèi)星與地球組成的系統(tǒng)機(jī)械能守恒

C. 根據(jù)公式v=ωr可知，衛(wèi)星在軌道3上的運(yùn)行速度大于在軌道1上的運(yùn)行速度

D. 根據(jù)v= 知，衛(wèi)星在軌道2上任意位置的運(yùn)行速度都小于在軌道1上的運(yùn)行速度

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，在傾角為θ的光滑斜面上有兩個(gè)用輕質(zhì)彈簧相連接的物塊A、B，它們的質(zhì)量分別為mA、mB，彈簧的勁度系數(shù)為k，C為一固定擋板，系統(tǒng)處于靜止?fàn)顟B(tài)，現(xiàn)開始用一恒力F沿斜面方向拉物塊A使之向上運(yùn)動(dòng)，求物塊B剛要離開C時(shí)物塊A受到的合外力和從開始到此時(shí)物塊A的位移d．（重力加速度為g）

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，水平桌面上平放有一堆卡片，每一張卡片的質(zhì)量均為m．用一手指以豎直向下的力壓第1張卡片，并以一定速度向右移動(dòng)手指，確保第1張卡片與第2張卡片之間有相對(duì)滑動(dòng)．設(shè)最大靜摩擦力與滑動(dòng)摩擦力相同，手指與第1張卡片之間的動(dòng)摩擦因數(shù)為，卡片之間、卡片與桌面之間的動(dòng)摩擦因數(shù)均為，且有＞，則下列說法正確的是

A. 任意兩張卡片之間均可能發(fā)生相對(duì)滑動(dòng)

B. 上一張卡片受到下一張卡片的摩擦力一定向左

C. 第1張卡片受到手指的摩擦力向左

D. 最后一張卡片受到水平桌面的摩擦力向右

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖甲所示，兩相互平行的光滑金屬導(dǎo)軌水平放置，導(dǎo)軌間距L＝0.5 m，左端接有電阻R＝3 Ω，豎直向下的磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小隨坐標(biāo)x的變化關(guān)系如圖乙所示．開始導(dǎo)體棒CD靜止在導(dǎo)軌上的x＝0處，現(xiàn)給導(dǎo)體棒一水平向右的拉力，使導(dǎo)體棒1 m/s2的加速度沿x軸勻加速運(yùn)動(dòng)，已知導(dǎo)體棒質(zhì)量為2 kg，電阻為2 Ω，導(dǎo)體棒與導(dǎo)軌接觸良好，其余電阻不計(jì)，求：

(1)拉力隨時(shí)間變化的關(guān)系式；

(2)當(dāng)導(dǎo)體棒運(yùn)動(dòng)到x＝4.5 m處時(shí)撤掉拉力，此時(shí)導(dǎo)體棒兩端的電壓，此后電阻R上產(chǎn)生的熱量．

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，輕質(zhì)彈簧的一端固定在粗糙斜面的擋板O點(diǎn)，另一端固定一個(gè)小物塊。小物塊從位置（此位置彈簧伸長(zhǎng)量為零）由靜止開始運(yùn)動(dòng)，運(yùn)動(dòng)到最低點(diǎn)位置。然后在彈力作用下，上升到最高點(diǎn)位置（圖中未標(biāo)出）在此兩過程中，下列判斷正確的是（ ）

A. 下滑和上滑過程彈簧和小物塊系統(tǒng)機(jī)械能守恒

B. 下滑過程物塊速度最大值位置比上滑過程速度最大位置高

C. 下滑過程彈簧和小物塊組成系統(tǒng)機(jī)械減小量比上升過程小

D. 下滑過程重力、彈簧彈力和摩擦力對(duì)物塊做功總值等于上滑過程重力、彈簧彈力和摩擦力做功總值

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖，空間區(qū)域Ⅰ、Ⅱ有勻強(qiáng)電場(chǎng)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)，MN、PQ為理想邊界，Ⅰ區(qū)域高度為d，Ⅱ區(qū)域的高度足夠大勻強(qiáng)電場(chǎng)方向豎直向上；Ⅰ、Ⅱ區(qū)域的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向分別垂直紙面向里和向外一個(gè)質(zhì)量為m，電量為q的帶電小球從磁場(chǎng)上方的O點(diǎn)由靜止開始下落，進(jìn)入場(chǎng)區(qū)后，恰能做勻速圓周運(yùn)動(dòng)已知重力加速度為g．

（1）試判斷小球的電性并求出電場(chǎng)強(qiáng)度E的大小；

（2）若帶電小球能進(jìn)入?yún)^(qū)域Ⅱ，則h應(yīng)滿足什么條件？

（3）若帶電小球運(yùn)動(dòng)一定時(shí)間后恰能回到O點(diǎn)，求它釋放時(shí)距MN的高度h．

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，兩平行光滑的金屬導(dǎo)軌MN、PQ固定在水平面上，相距為L，處于豎直向下的磁場(chǎng)中，整個(gè)磁場(chǎng)由n個(gè)寬度皆為x0的條形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域1、2、3、…n組成，從左向右依次排列，磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小分別為B、2B、3B、…nB，兩導(dǎo)軌左端MP間接入電阻R，一質(zhì)量為m的金屬棒ab垂直于MN、PQ放在水平導(dǎo)軌上，與導(dǎo)軌電接觸良好，不計(jì)導(dǎo)軌和金屬棒的電阻。

（1）對(duì)導(dǎo)體棒ab施加水平向右的力，使其從圖示位置開始運(yùn)動(dòng)并穿過n個(gè)磁場(chǎng)區(qū)，求導(dǎo)體棒穿越磁場(chǎng)區(qū)1的過程中，通過電阻R的電荷量q。

（2）對(duì)導(dǎo)體棒ab施加水平向右的恒力F0，讓它從磁場(chǎng)1左側(cè)邊界處開始運(yùn)動(dòng)，當(dāng)向右運(yùn)動(dòng)距離為時(shí)做勻速運(yùn)動(dòng)，求棒通過磁場(chǎng)區(qū)1所用的時(shí)間t。

（3）對(duì)導(dǎo)體棒ab施加水平向右的恒定拉力F1，讓它從距離磁場(chǎng)區(qū)1左側(cè)x=x0的位置由靜止開始做勻加速運(yùn)動(dòng)，當(dāng)棒ab進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)1時(shí)開始做勻速運(yùn)動(dòng)，此后在不同的磁場(chǎng)區(qū)施加不同的水平拉力，使棒ab保持該勻速運(yùn)動(dòng)穿過整個(gè)磁場(chǎng)區(qū)，求棒ab通過第i磁場(chǎng)區(qū)時(shí)的水平拉力Fi和棒ab通過整個(gè)磁場(chǎng)區(qū)過程中回路產(chǎn)生的電熱Q。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，在平面直角坐標(biāo)系xOy的第一象限存在垂直平面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，第四象限存在沿y軸負(fù)方向、電場(chǎng)強(qiáng)度為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)速度為v的電子從y軸上的P點(diǎn)沿x軸正方向射入磁場(chǎng)，直接從x軸上的Q點(diǎn)進(jìn)入電場(chǎng)，求：

(1)電子的比荷；

(2)若將電子的速率變?yōu)?/span>，其他條件不變，試問該電子能否到達(dá)Q點(diǎn)，如能到達(dá)，求出電子從P到Q經(jīng)歷的時(shí)間，若不能到達(dá)，說明理由。

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