如圖,為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示怠圖.在xOy平面的第一象限,存在以x軸y軸及雙曲線y=
L2
4x
的一段_o≤x≤L,0≤y≤L為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域I;在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0,y=L為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域II (即正方 形MNPQ區(qū)域\兩個(gè)電場(chǎng)大小均為E,電子的電荷量為e,不計(jì)電子重力的影響,則 從電場(chǎng)I區(qū)域的AB曲線邊界由靜止釋放的各個(gè)電子( 。
A.從PN間不同位置處離開區(qū)域II
B.從PQ間不同位置處離開區(qū)域II
C.在電場(chǎng)區(qū)域II中運(yùn)動(dòng)時(shí)間相同
D.離開MNPQ的最小動(dòng)能為eEL
精英家教網(wǎng)
令電子從I電場(chǎng)區(qū)域的AB曲線上靜止釋放的橫坐標(biāo)為X,則據(jù)曲線方程可知縱坐標(biāo)y=
L2
4X
,則粒子在第一象限里粒子在電場(chǎng)力作用下做勻加速直線運(yùn)動(dòng),根據(jù)動(dòng)能定理有:
eEX=
1
2
mv2-0
,則電子離開電場(chǎng)I時(shí)的速度v1=
2eEX
m

電子進(jìn)入電場(chǎng)II時(shí),在電場(chǎng)力作用下做類平拋運(yùn)動(dòng),初速度為v1=
2eEX
m

水平方向:S=v1t=v1=
2eEX
m
t
豎直方向:y=
1
2
at2
,a=
eE
m

解得:S=L,t=
mL2
2XeE

所以可知,電子從P點(diǎn)離開II區(qū)域電場(chǎng),且電子在II區(qū)域電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)間跟出發(fā)位置的縱坐標(biāo) X有關(guān)的變量,故ABC均錯(cuò)誤;
由上面分析知,所有從邊界AB上出發(fā)的電子都從P點(diǎn)射出,所以從全過程使用動(dòng)能定理有,電子射出電場(chǎng)II的動(dòng)能
Ek=eE(x+y)
又y=
L2
4X
得:
動(dòng)能Ek=eE(x+
L2
4x
)
,根據(jù)數(shù)學(xué)知識(shí)得知,當(dāng)x=y=
L
2
時(shí),動(dòng)能Ek有最小值Ek=eEL
所以D正確.
故選D.
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(附加題)如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II,兩電場(chǎng)的邊界均是邊長為L的正方形(不計(jì)電子所受重力).
(1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo).
(2)在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點(diǎn)的位置.

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖,為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示怠圖.在xOy平面的第一象限,存在以x軸y軸及雙曲線y=
L2
4x
的一段_o≤x≤L,0≤y≤L為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域I;在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0,y=L為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域II (即正方 形MNPQ區(qū)域\兩個(gè)電場(chǎng)大小均為E,電子的電荷量為e,不計(jì)電子重力的影響,則 從電場(chǎng)I區(qū)域的AB曲線邊界由靜止釋放的各個(gè)電子(  )

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖精英家教網(wǎng)所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)Ⅰ和Ⅱ,兩電場(chǎng)的邊界均是邊長為L的正方形(不計(jì)電子所受重力).若在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放質(zhì)量為m,帶電量為e的電子:
(1)求電子離開勻強(qiáng)電場(chǎng)Ⅰ時(shí)的速度;
(2)求電子離開勻強(qiáng)電場(chǎng)Ⅱ的位置(位置坐標(biāo)用L表示)

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科目:高中物理 來源:2013年浙江省嘉興市高考物理一模試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖,為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示怠圖.在xOy平面的第一象限,存在以x軸y軸及雙曲線的一段_o≤x≤L,0≤y≤L為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域I;在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0,y=L為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域II (即正方 形MNPQ區(qū)域\兩個(gè)電場(chǎng)大小均為E,電子的電荷量為e,不計(jì)電子重力的影響,則 從電場(chǎng)I區(qū)域的AB曲線邊界由靜止釋放的各個(gè)電子( )

A.從PN間不同位置處離開區(qū)域II
B.從PQ間不同位置處離開區(qū)域II
C.在電場(chǎng)區(qū)域II中運(yùn)動(dòng)時(shí)間相同
D.離開MNPQ的最小動(dòng)能為eEL

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