Question

5．對于點(diǎn)電荷Q產(chǎn)生的電場，下列說法中正確的是（　�。�

• A． 在真空中，電場強(qiáng)度的表達(dá)式為E=$\frac{kQ}{{r}^{2}}$，式中Q就是產(chǎn)生電場的電荷
• B． 電場強(qiáng)度的表達(dá)式E=$\frac{F}{q}$仍成立，式中q就是本題中所指的產(chǎn)生電場的點(diǎn)電荷Q
• C． 在真空中E=$\frac{kq}{{r}^{2}}$，式中q是試探電荷
• D． 上述說法都不對

Answer 1

分析 電場強(qiáng)度公式$E=\frac{F}{q}$適用于所有的電場，E為場源電荷產(chǎn)生的場強(qiáng)，q為試探電荷；
點(diǎn)電荷的場強(qiáng)公式$E=\frac{kQ}{r^2}$，其中E就是式中Q產(chǎn)生的場強(qiáng)．

解答 解：A、在真空中，電場強(qiáng)度的表達(dá)式為$E=\frac{kQ}{r^2}$，式中Q就是產(chǎn)生電場的電荷，所以A正確；
B、電場強(qiáng)度的表達(dá)式$E=\frac{F}{q}$仍成立，式中q就是本題中所指的試探電荷，所以B錯(cuò)誤；
C、在真空中$E=\frac{kq}{r^2}$，式中q是產(chǎn)生電場的點(diǎn)電荷，所以C錯(cuò)誤；
D、B選項(xiàng)正確，故D錯(cuò)誤；
故選：A

點(diǎn)評 本題是基礎(chǔ)的題目，考查的就是學(xué)生對基本公式使用條件及物理量的物理意義，在平時(shí)要注意多積累．