如圖甲所示,豎直擋板MN左側(cè)空間有方向豎直向上的勻強(qiáng)電場(chǎng)和垂直紙面向里的水平勻強(qiáng)磁場(chǎng),電場(chǎng)和磁場(chǎng)的范圍足夠大,電場(chǎng)強(qiáng)度E = 40 N / C,磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時(shí)間t變化的關(guān)系圖象如圖乙所示,選定磁場(chǎng)垂直紙面向里為正方向。T = 0時(shí)刻,一質(zhì)量m = 8×10 –4 kg、q = + 2×10 – 4 C的微粒在O點(diǎn)具有豎直向下的速度V = 0.12 m / s,O′是擋板MN上一點(diǎn),直線OO′與擋板MN垂直,取g = 10 m/s2。求:
(1)微粒再次經(jīng)過(guò)直線OO′時(shí)與O點(diǎn)的距離;
(2)微粒在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中離開直線OO′的最大高度
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
如圖甲所示,豎直擋板MN左側(cè)空間有方向豎直向上的勻強(qiáng)電場(chǎng)和垂直紙面向里的水平勻強(qiáng)磁場(chǎng),電場(chǎng)和磁場(chǎng)的范圍足夠大,電場(chǎng)強(qiáng)度E=40N/C,磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時(shí)間t變化的關(guān)系圖象如圖乙所示,選定磁場(chǎng)垂直紙面向里為正方向。t=0時(shí)刻,一質(zhì)量m=8×10-4kg、電荷量q=+2×10-4C的微粒在O點(diǎn)具有豎直向下的速度v=0.12m/s,O??是擋板MN上一點(diǎn),直線OO??與擋板MN垂直,取g=10m/s2。求:
(1)微粒再次經(jīng)過(guò)直線OO??時(shí)與O點(diǎn)的距離;
(2)微粒在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中離開直線OO??的最大高度;
(3)水平移動(dòng)擋板,使微粒能垂直射到擋板上,擋板與O點(diǎn)間的距離應(yīng)滿足的條件。
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科目:高中物理 來(lái)源:2012-2013學(xué)年陜西省高三上學(xué)期第五次適應(yīng)性訓(xùn)練物理試卷(解析版) 題型:計(jì)算題
(18分)如圖甲所示,豎直擋板MN的左側(cè)空間有方向豎直向上的勻強(qiáng)電場(chǎng)和垂直紙面的水平勻強(qiáng)磁場(chǎng),電場(chǎng)和磁場(chǎng)的范圍足夠大,電場(chǎng)強(qiáng)度的大小,磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時(shí)間變化的關(guān)系圖象如圖乙所示,選定磁場(chǎng)垂直紙面向里為正方向,在時(shí)刻,一質(zhì)量,帶電荷量的微粒在O點(diǎn)具有豎直向下的速度是擋板MN上一點(diǎn),直線與擋板MN垂直,取。求:
⑴微粒下一次經(jīng)過(guò)直線時(shí)到O點(diǎn)的距離。
⑵微粒在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中離開直線的最大距離。
⑶水平移動(dòng)擋板,使微粒能垂直射到擋板上,擋板與O點(diǎn)間距離應(yīng)滿足的條件。
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科目:高中物理 來(lái)源:2010年福建省高三模擬考試(理科綜合)物理部分 題型:計(jì)算題
(19分)如圖甲所示,豎直擋板MN左側(cè)空間有方向豎直向上的勻強(qiáng)電場(chǎng)和垂直紙面向里的水平勻強(qiáng)磁場(chǎng),電場(chǎng)和磁場(chǎng)的范圍足夠大,電場(chǎng)強(qiáng)度E=40N/C,磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時(shí)間t變化的關(guān)系圖象如圖乙所示,選定磁場(chǎng)垂直紙面向里為正方向。t=0時(shí)刻,一質(zhì)量m=8×10-4kg、電荷量q=+2×10-4C的微粒在O點(diǎn)具有豎直向下的速度v=0.12m/s,O´是擋板MN上一點(diǎn),直線OO´與擋板MN垂直,取g=10m/s2。求:
(1)微粒再次經(jīng)過(guò)直線OO´時(shí)與O點(diǎn)的距離;
(2)微粒在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中離開直線OO´的最大高度;
(3)水平移動(dòng)擋板,使微粒能垂直射到擋板上,擋板與O點(diǎn)間的距離應(yīng)滿足的條件。
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