分析 (1)選A和B中的氣體為研究對(duì)象,由玻意耳定律得容器B內(nèi)的壓強(qiáng)
(2)要使容器B內(nèi)壓強(qiáng)不超過(guò)5p0,意味著活塞從頂端下壓至C處時(shí),打氣筒C處以下的壓強(qiáng)不能超過(guò)5P0
解答 解:①第一次將活塞從打氣筒口壓到C處時(shí),設(shè)容器B內(nèi)的壓強(qiáng)為PB,C距低部H-h=$\frac{H}{3}$,由玻意耳定律得:
P0(VB+HS)=PB(VB+$\frac{HS}{3}$)
解得:PB=1.2P0=1.2×l05 Pa
②對(duì)打氣筒內(nèi)的氣體,要使容器B內(nèi)壓強(qiáng)不超過(guò)5P0,意味著活塞從頂端下壓至C處時(shí),打氣筒C處以下的壓強(qiáng)不能超過(guò)5p0,由玻意耳定律得
P0HS=5P0(H-h)S
解得:
$\frac{h}{H}$=$\frac{4}{5}$
答:①第一次將活塞從打氣筒口壓到C處時(shí),容器B中的壓強(qiáng)是1.2×l05 Pa.
②要使容器B中的最終壓強(qiáng)為5P0,h與H之比應(yīng)為4:5.
點(diǎn)評(píng) 靈活選擇研究對(duì)象,仔細(xì)分析氣體的狀態(tài)參量的變化,尋找合適的實(shí)驗(yàn)定律,本題中要能夠分析出“要使容器B內(nèi)壓強(qiáng)不超過(guò)5P0,意味著活塞從頂端下壓至C處時(shí),打氣筒C處以下的壓強(qiáng)不能超過(guò)5P0”
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 火星的密度為$\frac{2g}{3πGR}$ | |
B. | 火星表面的重力加速度為$\frac{4g}{9}$ | |
C. | 火星的第一宇宙速度與地球的第一宇宙速度相等 | |
D. | 王躍在火星表面能豎直向上跳起的最大高度為$\frac{9h}{4}$ |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 電容器的電容大小與帶電量有關(guān) | |
B. | 根據(jù)麥克斯韋電磁理論,變化的磁場(chǎng)一定能產(chǎn)生變化的電場(chǎng) | |
C. | 根據(jù)狹義相對(duì)論原理可知,在不同慣性參考系中,光在真空中的光速是不同的 | |
D. | 電視機(jī)遙控器使用的是紅外線(xiàn) |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 小于臨界體積的鈾塊不可能發(fā)生鏈?zhǔn)椒磻?yīng) | |
B. | 在核反應(yīng)方程${\;}_{0}^{1}$n+${\;}_{3}^{6}$Li→${\;}_{1}^{3}$H+X中,X為α粒子 | |
C. | 陰極射線(xiàn)是原子核內(nèi)的中子轉(zhuǎn)變?yōu)橘|(zhì)子時(shí)產(chǎn)生的高速電子流 | |
D. | 用頻率大于某金屬極限頻率的單色光照射該金屬,若增大入射光的頻率,則逸出的光電子數(shù)目一定增多 | |
E. | 按照波爾理論,氫原子核外電子從半徑較小的軌道躍遷到半徑較大的軌道時(shí),原子的總能量增大 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | $\frac{1}{2}$mv02 | B. | $\frac{1}{2}$mv02-qEL | C. | $\frac{1}{2}$mv02+$\frac{2}{3}$qEL | D. | $\frac{1}{2}$mv02+$\frac{1}{4}$qEL |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 副線(xiàn)圈輸出電壓的頻率為100Hz | |
B. | 副線(xiàn)圈輸出電壓的有效值為31V | |
C. | P向右移動(dòng)時(shí),通過(guò)原、副線(xiàn)圈的電流比不變 | |
D. | P向右移動(dòng)時(shí),變壓器的輸出功率減小 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 導(dǎo)線(xiàn)框下邊剛要進(jìn)磁場(chǎng)時(shí),導(dǎo)線(xiàn)框中電流沿逆時(shí)針?lè)较颍◤募埫嫱庀蚶锟矗,大小?\frac{3mg}{5Ba}$ | |
B. | 導(dǎo)線(xiàn)框上邊剛要進(jìn)磁場(chǎng)時(shí),導(dǎo)線(xiàn)框速度大小為$\frac{mgR}{{B}^{2}a}$ | |
C. | 導(dǎo)線(xiàn)框進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中,導(dǎo)線(xiàn)框中產(chǎn)生的焦耳熱為mgb-$\frac{2{1}^{3}{g}^{2}{R}^{2}}{50{B}^{4}{a}^{4}}$ | |
D. | 導(dǎo)線(xiàn)框進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中,通導(dǎo)線(xiàn)框的總電荷量為$\frac{Bab}{2R}$ |
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