如圖所示，a、b是邊界范圍、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小和方向都相同的兩個(gè)勻強(qiáng)磁場區(qū)域，a的下端離水平地面的高度比b高一些．甲、乙是兩個(gè)完全相同的閉合正方形導(dǎo)線框，分別位于a、b的正上方，兩線框的下端離地面的高度相同．兩線框由靜止同時(shí)釋放，穿過磁場后落到地面，下落過程中線框平面始終保持與磁場方向垂直．下列說法正確的是（　�。�

　

A．

乙線框先落地

　

B．

兩線框同時(shí)落地

　

C．

穿過磁場的過程中，乙線框產(chǎn)生的熱量較少

　

D．

穿過磁場的過程中，兩線框產(chǎn)生的熱量相同


考點(diǎn)：

導(dǎo)體切割磁感線時(shí)的感應(yīng)電動(dòng)勢；焦耳定律．

專題：

電磁感應(yīng)與電路結(jié)合．

分析：

先根據(jù)線框進(jìn)入磁場時(shí)安培力的大小，比較安培力做功的大小，再根據(jù)功能關(guān)系比較線框落地時(shí)速度的大小．再對全過程，運(yùn)用動(dòng)量定理列式，即可比較時(shí)間的長短．

解答：

解：先比較甲、乙線框落地時(shí)速度的大�。阂揖�框進(jìn)入磁場時(shí)速度較大，安培力較大，線框克服安培力做功較多，即產(chǎn)生的熱量較多；根據(jù)能量守恒定律得知乙線框落地時(shí)的速度較�。�

線框穿過磁場區(qū)域過程受到的安培力是變力，設(shè)受到的平均安培力為F，穿過磁場的時(shí)間為△t，下落全過程的時(shí)間為t，落地速度為v．

對全過程，由動(dòng)量定理得：

mgt﹣F△t=mv

而F△t=BIL△t=BLq，又感應(yīng)電荷量 q=，因?yàn)榇磐俊鳓迪嗤ㄟ^線框截面的電荷量相等，則兩個(gè)下落過程線框所受的安培力沖量相同．

因?yàn)関乙＜v甲，所以t乙＜t甲，即乙線框先落地，故A正確，BCD錯(cuò)誤．

故選：A．

點(diǎn)評：

本題的關(guān)鍵要運(yùn)用動(dòng)量定理分析時(shí)間關(guān)系，還要掌握感應(yīng)電荷量的公式q=．對于變力情形，運(yùn)用動(dòng)量定理研究時(shí)間是常用的方法，要學(xué)會(huì)應(yīng)用．

　

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：


光滑水平面上靜止的物體，受到一個(gè)水平拉力F作用開始運(yùn)動(dòng)，拉力隨時(shí)間變化如圖6所示，用Ek、v、x、P分別表示物體的動(dòng)能、速度、位移和水平拉力的功率，下列四個(gè)圖像中分別定性描述了這些物理量隨時(shí)間變化的情況，正確的是(　　)

圖6

圖7

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科目：高中物理 來源： 題型：


如圖1所示，直線MN是某電場中的一條電場線(方向未畫出)。虛線是一帶電的粒子只在電場力的作用下，由a到b的運(yùn)動(dòng)軌跡，軌跡為一拋物線。下列判斷正確的是(　　)

圖1

A．電場線MN的方向一定是由N指向M

B．帶電粒子由a運(yùn)動(dòng)到b的過程中動(dòng)能一定逐漸減小

C．帶電粒子在a點(diǎn)的電勢能一定大于在b點(diǎn)的電勢能

D．帶電粒子在a點(diǎn)的加速度一定大于在b點(diǎn)的加速度

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科目：高中物理 來源： 題型：


如圖7中甲所示，兩平行正對的金屬板A、B間加有如圖乙所示的交變電壓，一重力可忽略不計(jì)的帶正電粒子被固定在兩板的正中間P處。若在t0時(shí)刻釋放該粒子，粒子會(huì)時(shí)而向A板運(yùn)動(dòng)，時(shí)而向B板運(yùn)動(dòng)，并最終打在A板上。則t0可能屬于的時(shí)間段是(　　)

圖7

A．0<t0<                                           B.<t0<

C.<t0<T                                           D．T<t0<

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科目：高中物理 來源： 題型：


關(guān)于分子電流，下面說法中正確的是（　�。�

　  A． 分子電流假說最初是由法國學(xué)者法拉第提出的

　  B． 分子電流假說揭示了磁鐵的磁場與電流的磁場具有共同的本質(zhì)，即磁場都是由電荷的運(yùn)動(dòng)形成的

　  C． “分子電流”是專指分子內(nèi)部存在的環(huán)形電流

　  D． 分子電流假說無法解釋加熱“去磁”現(xiàn)象

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科目：高中物理 來源： 題型：


在“測定金屬的電阻率”實(shí)驗(yàn)中，所用測量儀器均已校準(zhǔn)，待測金屬絲接入電路部分的長度約為50cm．

（1）用螺旋測微器測量金屬絲直徑，其中某次測量結(jié)果如圖1所示，其讀數(shù)應(yīng)為　0.397　mm（該值接近多次測量的平均值）

（2）用伏安法測金屬絲的電阻RX，實(shí)驗(yàn)所用器材為：

電池組（電動(dòng)勢為3V，內(nèi)阻約為1Ω），電流表（內(nèi)阻約為0.1Ω），

電壓表（內(nèi)阻約為3kΩ），滑動(dòng)變阻器R（0～20Ω，額定電流為2A）

開關(guān)，導(dǎo)線若干．某同學(xué)利用以上器材正確連接好電路，進(jìn)行實(shí)驗(yàn)測量，記錄數(shù)據(jù)如下：

次數(shù)

1

2

3

4

5

6

7

U/V

0.10

0.30

0.70

1.00

1.50

1.70

2.30

I/A

0.020

0.060

0.160

0.220

0.340

0.460

0.520

由以上實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)可知，他們測量RX是采用圖2中甲和乙中的圖　甲　（選填“甲”或“乙”）

（3）如圖3是測量RX的實(shí)驗(yàn)器材實(shí)物圖，圖中已經(jīng)連接了部分導(dǎo)線，滑動(dòng)變阻器的滑片P置于變阻器的一端，請根據(jù)上圖所選的電路圖，補(bǔ)充完成圖3中實(shí)物間的連線，并使閉合開關(guān)的瞬間，電壓表或電流表不至于被燒壞．

（4）這個(gè)小組的同學(xué)在坐標(biāo)紙上建立U、I坐標(biāo)系，如圖4所示，圖中已經(jīng)標(biāo)出了與測量數(shù)據(jù)相對應(yīng)的四個(gè)點(diǎn)，請?jiān)谙聢D中標(biāo)出第2、4、6次測量數(shù)據(jù)的坐標(biāo)點(diǎn)，并描繪出U﹣I圖線，由圖線得到金屬絲的阻值RX=　4.5　Ω（保留兩位有效數(shù)字）．

（5）根據(jù)以上數(shù)據(jù)可估算出金屬絲的電阻率約為　C�。ㄌ钸x項(xiàng)前的序號）

A、1×10﹣2Ω•mB、1×10﹣3Ω•mC、1×10﹣6Ω•mD、1×10﹣8Ω•m

（6）任何實(shí)驗(yàn)測量都存在誤差，本實(shí)驗(yàn)所用測量儀器都已校準(zhǔn)，下列關(guān)于誤差的說法中正確的選項(xiàng)是　CD�。ㄓ卸鄠�(gè)正確選項(xiàng)）．

A、用螺旋測微器測量金屬絲直徑時(shí)，由于讀數(shù)引起的誤差屬于系統(tǒng)誤差

B、由于電流表和電壓表內(nèi)阻引起的誤差屬于偶然誤差

C、若將電流表和電壓表的內(nèi)阻計(jì)算在內(nèi)，可以消除由測量儀表引起的系統(tǒng)誤差

D、用U﹣I圖象處理數(shù)據(jù)求金屬絲電阻可以減小偶然誤差．

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科目：高中物理 來源： 題型：


原子核92238U經(jīng)放射性衰變①變?yōu)樵?sub>90234Th，繼而經(jīng)放射性衰變②變?yōu)樵雍?sub>91234Pa，再經(jīng)放射性衰變③變?yōu)樵雍?sub>92234U．放射性衰變①、②和③依次為（　�。�

　

A．

α衰變、β衰變和β衰變

B．

β衰變、α衰變和β衰變

　

C．

β衰變、β衰變和α衰變

D．

α衰變、β衰變和α衰變

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科目：高中物理 來源： 題型：


用輕彈簧豎直懸掛質(zhì)量為m的物體，靜止時(shí)彈簧伸長量為L．現(xiàn)用該彈簧沿斜面方向拉住質(zhì)量為2m的物體，系統(tǒng)靜止時(shí)彈簧伸長量為0.5L，如圖所示，已知斜面傾角為30°．則物體所受摩擦力大小為　_________�。�

　

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科目：高中物理 來源： 題型：


“天宮一號”做軌道調(diào)整，從 362 千米的圓軌道上轉(zhuǎn)移到 343 千米的圓軌道上運(yùn)行，則軌道調(diào)整后的“天宮一號”

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