一個阻值為R的導(dǎo)體兩端加上電壓U后,通過導(dǎo)體截面的電荷量q與通電時間t之間的關(guān)系為過坐標(biāo)原點(diǎn)的直線如圖3-2-9所示.此圖線的斜率表示( 。

圖3-2-9

A.U               B.R                C.                    D.

解析:在q-t圖象中圖線的斜率應(yīng)代表,即電流,又由歐姆定律I=知,C正確.

答案:C

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

(2012?廣東一模)如圖,光滑平行的水平金屬導(dǎo)軌MN、PQ相距L,在M點(diǎn)和P點(diǎn)間接一個阻值為R的電阻,在兩導(dǎo)軌間OO1O1′O′矩形區(qū)域內(nèi)有垂直導(dǎo)軌平面豎直向下、寬為d的勻強(qiáng)磁場,磁感強(qiáng)度為B.一質(zhì)量為m,電阻為r的導(dǎo)體棒ab,垂直擱在導(dǎo)軌上,與磁場左邊界相距d0.現(xiàn)用一大小為F、水平向右的恒力拉ab棒,使它由靜止開始運(yùn)動,棒ab在離開磁場前已經(jīng)做勻速直線運(yùn)動(棒ab與導(dǎo)軌始終保持良好的接觸且垂直導(dǎo)軌運(yùn)動,導(dǎo)軌電阻不計(jì)).求:
(1)棒ab在離開磁場右邊界時的速度;
(2)棒ab通過磁場區(qū)的過程中整個回路所消耗的電能;
(3)試分析討論ab棒在磁場中可能的運(yùn)動情況.

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2013?惠州一模)如圖所示,豎直放置的光滑平行金屬導(dǎo)軌MN、PQ相距L,在M點(diǎn)和P點(diǎn)間接有一個阻值為R的電阻,在兩導(dǎo)軌間的矩形區(qū)域OO1O1′O′內(nèi)有垂直導(dǎo)軌平面向里、寬為d的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.一質(zhì)量為m、電阻為r的導(dǎo)體棒ab垂直地?cái)R在導(dǎo)軌上,與磁場的上邊界相距d0.現(xiàn)使ab棒由靜止開始釋放,棒ab在離開磁場前已經(jīng)做勻速直線運(yùn)動(棒ab與導(dǎo)軌始終保持良好接觸且下落過程中始終保持水平,導(dǎo)軌的電阻不計(jì)).
(1)求棒ab離開磁場的下邊界時的速度大。
(2)求棒ab在通過磁場區(qū)的過程中產(chǎn)生的焦耳熱.
(3)試分析討論棒ab在磁場中可能出現(xiàn)的運(yùn)動情況.

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖,豎直放置的光滑平行金屬導(dǎo)軌MN、PQ相距L,在M點(diǎn)和P點(diǎn)間接一個阻值為R的電阻,在兩導(dǎo)軌間 OO1O1′O′矩形區(qū)域內(nèi)有垂直導(dǎo)軌平面向里、寬為d的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.一質(zhì)量為m,電阻為r的導(dǎo)體棒ab垂直擱在導(dǎo)軌上,與磁場上邊邊界相距d0.現(xiàn)使ab棒由靜止開始釋放,棒ab在離開磁場前已經(jīng)做勻速直線運(yùn)動(棒ab與導(dǎo)軌始終保持良好的電接觸且下落過程中始終保持水平,導(dǎo)軌電阻不計(jì)).求:
(1)棒ab在離開磁場下邊界時的速度;
(2)棒ab在通過磁場區(qū)的過程中產(chǎn)生的焦耳熱;
(3)若設(shè)ab棒由靜止開始釋放處為下落起點(diǎn),畫出棒在下落高度d+d0過程中速度隨下落高度h變化所對應(yīng)的各種可能的圖線.

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖所示,光滑平行的水平金屬導(dǎo)軌MNPQ相距L,在M點(diǎn)和P點(diǎn)間接一個阻值為R的電阻,在兩導(dǎo)軌間OO1O1′O矩形區(qū)域內(nèi)有垂直導(dǎo)軌平面豎直向下、寬為d的勻強(qiáng)磁場,磁感強(qiáng)度為B.一質(zhì)量為m,電阻為r的導(dǎo)體棒ab,垂直擱在導(dǎo)軌上,與磁場左邊界相距d0.現(xiàn)用一大小為F、水平向右的恒力拉ab棒,使它由靜止開始運(yùn)動,棒ab在離開磁場前已經(jīng)做勻速直線運(yùn)動(棒ab與導(dǎo)軌始終保持良好的接觸,導(dǎo)軌電阻不計(jì)).求:
(1)在圖中標(biāo)出當(dāng)棒ab進(jìn)入磁場后流過電阻R的電流方向;
(2)棒ab在離開磁場右邊界時的速度;
(3)棒ab通過磁場區(qū)的過程中整個回路所消耗的電能.

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2006?宿遷模擬)如圖所示,光滑平行的金屬導(dǎo)軌MN、PQ相距l(xiāng),其框架平面與水平面成θ角,在M點(diǎn)和P點(diǎn)間接一個阻值為R的電阻,在兩導(dǎo)軌間OO1O1′O′矩形區(qū)域內(nèi)有垂直導(dǎo)軌平面向下、寬為d的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.一質(zhì)量為m、電阻為r的導(dǎo)體棒ab,垂直擱置于導(dǎo)軌上,與磁場上邊界相距d0,現(xiàn)使它由靜止開始運(yùn)動,在棒ab離開磁場前已經(jīng)做勻速直線運(yùn)動(棒ab與導(dǎo)軌始終保持良好的接觸,導(dǎo)軌電阻不計(jì)).求:
(1)棒ab在離開磁場下邊界時的速度;
(2)棒ab通過磁場區(qū)的過程中整個電路所消耗的電能.

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