如圖中正方形線框abcd邊長(zhǎng)L=0.1 m,每邊電阻1 Ω,在磁感強(qiáng)度B=0.3 T勻強(qiáng)磁場(chǎng)中繞cd以2400/π轉(zhuǎn)/min勻速轉(zhuǎn)動(dòng),cd兩點(diǎn)與外電路相連,外電路電阻R=1 Ω,求①S斷開時(shí),電壓表讀數(shù);②當(dāng)電鍵S閉合時(shí),電流表讀數(shù).

答案:
解析:

 、0.06 V

 、0.03 A


練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

粗細(xì)均勻的電阻絲圍成的正方形線框,原先整個(gè)置于有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)內(nèi),磁場(chǎng)方向垂直于線框平面,其邊界與正方形線框的邊平行.現(xiàn)使線框沿四個(gè)不同方向勻速平移出磁場(chǎng),如圖所示,線框移出磁場(chǎng)的整個(gè)過程( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖甲所示.空間有一寬為2L的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直紙面外,abcd是由均勻電阻絲做成的邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框,總電阻為R.線框以垂直磁場(chǎng)邊界的速度υ勻速通過磁場(chǎng)區(qū)域.在運(yùn)動(dòng)過程中,線框ab、cd兩邊始終與磁場(chǎng)邊界平行.設(shè)線框剛進(jìn)入磁場(chǎng)的位置x=0,x軸沿水平方向向右.求:
(1)從cd邊進(jìn)入磁場(chǎng)到ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)的過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱;
(2)在下面的圖乙中,畫出cd兩端電勢(shì)差Ucd隨距離x變化的圖象.其中U0=
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BLυ
.(不需要分析說明)

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如圖甲所示.空間有一寬為2L的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直紙面向外.a(chǎn)bcd是由均勻電阻絲做成的邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框,總電阻值為R.線框以垂直磁場(chǎng)邊界的速度v勻速通過磁場(chǎng)區(qū)域.在運(yùn)動(dòng)過程中,線框ab、cd兩邊始終與磁場(chǎng)邊界平行.設(shè)線框剛進(jìn)入磁場(chǎng)的位置x=0,x軸沿水平方向向右.求:
(1)cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),ab兩端的電勢(shì)差,并指明哪端電勢(shì)高;
(2)線框穿過磁場(chǎng)的過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱;
(3)在下面的乙圖中,畫出ab兩端電勢(shì)差Uab隨距離變化的圖象.其中U0=BLv.

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(2008?湛江一模)如圖所示,空間有一寬為2L的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直紙面向外.a(chǎn)bcd是由均勻電阻絲做成的邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框,總電阻為R.線框以垂直磁場(chǎng)邊界的速度v勻速通過磁場(chǎng)區(qū)域.在運(yùn)動(dòng)過程中,線框ab、cd兩邊始終與磁場(chǎng)邊界平行.求:
(1)cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)和cd邊剛離開磁場(chǎng)時(shí),ab兩端的電勢(shì)差分別是多大?并分別指明a、b哪端電勢(shì)高.
(2)線框通過磁場(chǎng)的整個(gè)過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱.

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖甲所示,空間有一寬為2L的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直紙面向外.a(chǎn)bcd是由均勻電阻絲做成的邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框,總電阻為R.線框以垂直磁場(chǎng)邊界的速度v勻速通過磁場(chǎng)區(qū)域.在運(yùn)動(dòng)過程中,線框ab、cd兩邊始終與磁場(chǎng)邊界平行.設(shè)線框剛進(jìn)入磁場(chǎng)的位置x=0,x軸沿水平方向向右.則ab兩端電勢(shì)差Uab隨距離變化的圖象正確的是(其中U0=BLv)( 。

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