一平行板電容器中存在勻強(qiáng)電場(chǎng)，電場(chǎng)沿豎直方向．兩個(gè)比荷（即粒子的電荷量與質(zhì)量之比）不同的帶正電的粒子a和b，從電容器的P點(diǎn)（如圖）以相同的水平速度射入兩平行板之間．測(cè)得a和b與電容極板的撞擊點(diǎn)到入射點(diǎn)之間的水平距離之比為1：2．若不計(jì)重力，則a和b的比荷之比是（　�。�
A．1：2B．1：8C．2：1D．4：1
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兩帶電粒子都做類平拋運(yùn)動(dòng)，水平方向勻速運(yùn)動(dòng)，有x=vt，垂直金屬板方向做初速度為零的勻加速直線運(yùn)動(dòng)，有y=
1
2
at2，
電荷在電場(chǎng)中受的力為F=Eq，根據(jù)牛頓第二定律有F=ma，
聯(lián)立解得：
q
m
=
2yv2
Ex2
，因?yàn)閮闪Ｗ釉谕浑妶?chǎng)中運(yùn)動(dòng)，E相同，初速度相同，側(cè)位移相同，所以比荷與水平位移的平方成反比．所以比荷之比為4：1，故D正確．
故選D．
練習(xí)冊(cè)系列答案
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科目：高中物理 來源： 題型：

一平行板電容器中存在勻強(qiáng)電場(chǎng)，電場(chǎng)沿豎直方向．兩個(gè)比荷（即粒子的電荷量與質(zhì)量之比）不同的帶正電的粒子a和b，從電容器邊緣的P點(diǎn)（如圖）以相同的水平速度射入兩平行板之間．測(cè)得a和b與電容器的撞擊點(diǎn)到入射點(diǎn)之間的水平距離之比為1：2．若不計(jì)重力，則a和b的比荷之比是（　�。�

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2007?海南）一平行板電容器中存在勻強(qiáng)電場(chǎng)，電場(chǎng)沿豎直方向．兩個(gè)比荷（即粒子的電荷量與質(zhì)量之比）不同的帶正電的粒子a和b，從電容器的P點(diǎn)（如圖）以相同的水平速度射入兩平行板之間．測(cè)得a和b與電容極板的撞擊點(diǎn)到入射點(diǎn)之間的水平距離之比為1：2．若不計(jì)重力，則a和b的比荷之比是（　�。�

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科目：高中物理 來源： 題型：

一平行板電容器中存在勻強(qiáng)電場(chǎng)，電場(chǎng)沿豎直方向．兩個(gè)比荷（即粒子的電荷量與質(zhì)量之比）不同帶正電的粒子K和P，速度關(guān)系為VK=2Vp，粒子均從電容器的A點(diǎn)水平射入兩平行板之間，測(cè)得K和P與平行板的撞擊點(diǎn)到入射點(diǎn)之間的水平距離之比為1：2．如圖，若不計(jì)粒子的重力，則K和P的比荷之比是（　　）

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科目：高中物理 來源：2012-2013學(xué)年福建省廈門六中高二上學(xué)期期中考試物理試卷（帶解析） 題型：單選題

一平行板電容器中存在勻強(qiáng)電場(chǎng)，電場(chǎng)沿豎直方向。兩個(gè)比荷（即粒子的電荷量與質(zhì)量之比）不同帶正電的粒子K和P，速度關(guān)系為V­K=2Vp，粒子均從電容器的A點(diǎn)水平射入兩平行板之間, 測(cè)得K和P與平行板的撞擊點(diǎn)到入射點(diǎn)之間的水平距離之比為1:2。如圖，若不計(jì)粒子的重力，則K和P的比荷之比是

Ａ.1:4           　  B.4:1      　   C.1:16   D.16:1 

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科目：高中物理 來源：2013屆四川省高二上學(xué)期第一次月考考試物理卷 題型：選擇題

一平行板電容器中存在勻強(qiáng)電場(chǎng)，電場(chǎng)沿豎直方向。兩個(gè)比荷（即粒子的電荷量與質(zhì)量之比）不同的帶正電的粒子a和b，從電容器邊緣的P點(diǎn)（如圖）以相同的水平速度射入兩平行板之間。測(cè)得a和b與電容器極板的撞擊點(diǎn)到入射點(diǎn)之間的水平距離之比為1∶2。若不計(jì)重力，則a和b的比荷之比是  

A．1∶2              B．1∶1

C．2∶1              D．4∶1

 

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