A. | 當(dāng)ab邊剛越過ff′時(shí),線框加速度的大小為3gsinθ | |
B. | t0時(shí)刻線框勻速運(yùn)動(dòng)的速度為$\frac{{v}_{0}}{2}$ | |
C. | t0時(shí)間內(nèi)線框中產(chǎn)生的熱量為$\frac{3}{2}$mgLsinθ+$\frac{15}{32}$mv02 | |
D. | 線框離開磁場(chǎng)的過程中一直做勻速直線運(yùn)動(dòng) |
分析 線框開始進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),ab邊受到沿斜面向上的安培力作用,此時(shí)線框處于平衡狀態(tài),當(dāng)ab邊進(jìn)入下方磁場(chǎng)時(shí),cd邊在上方磁場(chǎng),此時(shí)ab、cd兩邊均受到沿斜面向上的安培力作用,此時(shí)線框做減速運(yùn)動(dòng),當(dāng)線框ab邊到達(dá)gg′與ff′中間位置時(shí),線框又處于平衡狀態(tài),根據(jù)兩次平衡列出方程,即可正確解答.
解答 解:A、線框開始進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)做勻速直線運(yùn)動(dòng),受力平衡,此時(shí)有:mgsinθ=BIL=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}{v}_{0}}{R}$ ①
當(dāng)ab邊剛越過ff′時(shí),此時(shí)線框速度仍為v0,此時(shí)有:2BI2L-mgsinθ=ma ②
此時(shí)感應(yīng)電流 I2=$\frac{2BL{v}_{0}}{R}$ ③
由②③得:$\frac{4{B}^{2}{L}^{2}{v}_{0}}{R}$-mgsinθ=ma ④
聯(lián)立①④可得:a=3gisnθ,故A正確;
B、設(shè)t0時(shí)刻的速度為v,此時(shí)處于平衡狀態(tài),感應(yīng)電流為:I3=$\frac{2BLv}{R}$ ⑤
2BI3L=mgsinθ ⑥
聯(lián)立①⑤⑥得 v=$\frac{{v}_{0}}{4}$,故B錯(cuò)誤;
C、在時(shí)間t0內(nèi),根據(jù)功能關(guān)系,有:Q=$\frac{3}{2}$mgLsinθ+$\frac{1}{2}$m${v}_{0}^{2}$-$\frac{1}{2}$mv2=$\frac{3}{2}$mgLsinθ+$\frac{15}{32}$mv2,故C正確;
D、離開磁場(chǎng)時(shí)由于安培力小于重力沿斜面的分力,因此線框?qū)⒆黾铀俣戎饾u減小的變加速運(yùn)動(dòng),故D錯(cuò)誤
故選:AC.
點(diǎn)評(píng) 本題的易錯(cuò)點(diǎn)在于ab、cd兩邊均在磁場(chǎng)中時(shí),兩個(gè)邊都切割磁感線,注意此時(shí)回路中的電動(dòng)勢(shì)為E=2BLv.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 相同 | B. | 逐漸增大 | C. | 逐漸減小 | D. | 成正比例增大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 只要物體的體積小就可以視為質(zhì)點(diǎn) | |
B. | 因?yàn)橘|(zhì)點(diǎn)沒有大小,所以與幾何中的點(diǎn)是一樣的 | |
C. | 物體的大小和形狀與所研究的問題無關(guān)或?qū)儆诖我蛩貢r(shí),可把物體當(dāng)作質(zhì)點(diǎn) | |
D. | 物體的大小、形狀和質(zhì)量與所研究的問題無關(guān)或?qū)儆诖我蛩貢r(shí),可把物體當(dāng)作質(zhì)點(diǎn) |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | M、N兩木塊的角速度相等 | |
B. | M所受摩擦力大于N所受的摩擦力 | |
C. | M的向心加速度是N的3倍 | |
D. | 若圓盤轉(zhuǎn)動(dòng)加快,M相對(duì)于圓盤先發(fā)生相對(duì)滑動(dòng) |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 初始時(shí)刻甲、乙兩質(zhì)點(diǎn)不在同一個(gè)位置 | |
B. | 當(dāng)t=t1時(shí)刻,兩質(zhì)點(diǎn)的位移相同 | |
C. | 當(dāng)t=t1時(shí)刻,兩質(zhì)點(diǎn)的速度相同 | |
D. | 質(zhì)點(diǎn)甲的加速度大于質(zhì)點(diǎn)乙的加速度 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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