A. | 通電直導(dǎo)線處于勻強(qiáng)磁場(chǎng)中一定受到安培力的作用 | |
B. | 帶電粒子在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)受到洛侖茲力做正功 | |
C. | 安培力是大量運(yùn)動(dòng)電荷所受洛侖茲力的宏觀表現(xiàn) | |
D. | 通電直導(dǎo)線在磁場(chǎng)中受到的安培力方向與磁場(chǎng)方向平行 |
分析 A、反證法:當(dāng)通電直導(dǎo)線與磁場(chǎng)平行時(shí),安培力為0;
B、理解洛倫茲力的特點(diǎn),不做功,只改變粒子運(yùn)動(dòng)速度的方向,不改變大小,也不改變動(dòng)能;
C、理解洛侖茲力和安培力的關(guān)系;
D、利用左手定則判斷安培力與磁場(chǎng)方向.
解答 解:A、反證法:當(dāng)通電直導(dǎo)線與磁場(chǎng)平行時(shí),安培力為0,因此通電直導(dǎo)線處于勻強(qiáng)磁場(chǎng)中不一定受到安培力的作用,A錯(cuò)誤;
B、洛倫茲力的特點(diǎn):洛倫茲力對(duì)帶電粒子不做功,只改變粒子運(yùn)動(dòng)速度的方向,不改變大小,也不改變動(dòng)能,B錯(cuò)誤;
C、安培力是通電導(dǎo)線受到磁場(chǎng)的作用力,洛倫茲力是運(yùn)動(dòng)電荷受到磁場(chǎng)的作用力,而大量電荷定向運(yùn)動(dòng)就會(huì)形成電流,因此安培力是大量運(yùn)動(dòng)電荷所受洛倫茲力的宏觀表現(xiàn),C正確;
D、安培力的方向利用左手定則判斷,因此通電直導(dǎo)線在磁場(chǎng)中受到的安培力方向與磁場(chǎng)方向垂直,D錯(cuò)誤;
故選:C
點(diǎn)評(píng) 考查基礎(chǔ)概念洛侖茲力和安培力的理解,切不可隨意套用關(guān)系,要注意計(jì)算公式的使用前提.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | θ角越大,小球運(yùn)動(dòng)的加速度越小 | |
B. | θ=90°時(shí),小球?qū)⒆鲎杂陕潴w運(yùn)動(dòng) | |
C. | θ角越大,小球從頂端運(yùn)動(dòng)到底端所需時(shí)間越長(zhǎng) | |
D. | θ角一定,質(zhì)量不同的小球運(yùn)動(dòng)的加速度也不同 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 增大 | B. | 減小 | C. | 不變 | D. | 先增大后減小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 因穿過銅盤的磁通量沒有發(fā)生變化,故法拉第的第一臺(tái)發(fā)電機(jī)不能發(fā)電 | |
B. | 假若該發(fā)電機(jī)能發(fā)電,則圖乙中R上的電流從下向上流動(dòng) | |
C. | 圖乙中流過R的是方向不斷改變的交流電 | |
D. | 設(shè)圖乙中銅盤半徑為r,勻強(qiáng)磁場(chǎng)大小為B,銅盤轉(zhuǎn)動(dòng)的角速度為ω,銅盤產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)為E=Bωr2 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 自然界中所有涉及熱現(xiàn)象的宏觀過程都具有方向性 | |
B. | 外界對(duì)氣體做正功,氣體的內(nèi)能一定增大 | |
C. | 分子的平均動(dòng)能不僅與溫度有關(guān),還與分子的種類有關(guān) | |
D. | 擴(kuò)散現(xiàn)象和布朗運(yùn)動(dòng)都與溫度有關(guān) | |
E. | 一種液體是否浸潤(rùn)某種固體,不僅與液體的性質(zhì)有關(guān),還與固體的性質(zhì)有關(guān) |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 若圖甲表示定值電阻兩端的電壓和通過電阻的電流關(guān)系,則斜率表示電阻 | |
B. | 若圖乙描述的是通過單匝線圈磁通量隨時(shí)間的變化關(guān)系,則該圖線的斜率表示該線圈產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì) | |
C. | 若圖丙描述的是某電容器的電壓與電量關(guān)系,則斜率表示電容 | |
D. | 若丁圖表示某電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)隨位置變化的關(guān)系圖,則斜率表示電壓 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 這兩種二價(jià)離子一定都是負(fù)離子 | |
B. | 速度選擇器中的勻強(qiáng)磁場(chǎng)方向垂直于紙面向里 | |
C. | 打在M、N兩點(diǎn)的離子的質(zhì)量之比為OM:ON | |
D. | 打在M、N兩點(diǎn)的離子在下面的磁場(chǎng)中經(jīng)歷的時(shí)間相等 |
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