A. | 普朗克曾經(jīng)大膽假設(shè):振動著的帶電微粒的能量只能是某一最小能量值ε的整數(shù)倍,這個不可再分的最小能量值ε叫做能量子 | |
B. | α粒子散射實驗中少數(shù)α粒子發(fā)生了較大偏轉(zhuǎn),這是盧瑟福猜想原子核式結(jié)構(gòu)模型的主要依據(jù)之一 | |
C. | 由玻爾理論可知,氫原子的核外電子由較高能級躍遷到較低能級時,要輻射一定頻率的光子,同時電子的動能增大,電勢能減小 | |
D. | 在光電效應(yīng)實驗中,用同種頻率的光照射不同的金屬表面,從金屬表面逸出的光電子的最大初動能EK越大,則這種金屬的逸出功W0越大 | |
E. | 在康普頓效應(yīng)中,當(dāng)入射光子與晶體中的電子碰撞時,把一部分動量轉(zhuǎn)移給電子,因此,光子散射后波長變短 |
分析 根據(jù)普朗克提出能量量子化,即可求解;
由α粒子散射實驗提出原子核式結(jié)構(gòu)模型;
輻射光子,同時電子的動能增大,電勢能減小,且總能量減;
根據(jù)光電效應(yīng)方程:EK=hγ-W0;即可求解;
由E=h$\frac{c}{λ}$ 可知,一部分動量轉(zhuǎn)移給電子,光子散射后波長變長
解答 解:A、普朗克能量量子化理論:振動著的帶電微粒的能量只能是某一最小能量值ε的整數(shù)倍,這個不可再分的最小能量值ε叫做能量子,故A正確;
B、α粒子散射實驗中少數(shù)α粒子發(fā)生了較大偏轉(zhuǎn),這是盧瑟福猜想原子核式結(jié)構(gòu)模型的主要依據(jù)之一,故B正確;
C、玻爾理論可知,氫原子的核外電子由較高能級躍遷到較低能級時,要輻射一定頻率的光子,同時電子的動能增大,電勢能減小,故C正確;
D、光電效應(yīng)實驗中,用同種頻率的光照射不同的金屬表面,根據(jù)光電效應(yīng)方程:EK=hγ-W0,從金屬表面逸出的光電子的最大初動能Ek越大,則這種金屬的逸出功W0越小,故D錯誤;
E、康普頓效應(yīng)中,當(dāng)入射光子與晶體中的電子碰撞時,把一部分動量轉(zhuǎn)移給電子,能量減小,由E=h$\frac{c}{λ}$ 可知,光子散射后波長變長,故E錯誤;
故選:ABC.
點評 考查能量量子化的內(nèi)容,掌握光電效應(yīng)方程的應(yīng)用,理解吸收能量,動能減小,電勢能增大,總能量減。欢尫拍芰亢,動能增大,電勢能減小,總能量增大;注意康普頓效應(yīng)中,光子散射后波長變長.記住這些內(nèi)容,能為更好解題打下伏筆.
科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | mgh | B. | mgh+$\frac{{m}^{2}{g}^{2}}{2k}$ | C. | mgh+$\frac{{m}^{2}{g}^{2}}{k}$ | D. | mgh-$\frac{{m}^{2}{g}^{2}}{k}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | B=$\frac{mgsinα}{IL}$,方向垂直斜面向上 | B. | B=$\frac{mgtanα}{IL}$,方向豎直向上 | ||
C. | B=$\frac{mgsinα}{IL}$,方向垂直斜面向下 | D. | B=$\frac{mgtanα}{IL}$,方向豎直向下 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 物體運(yùn)動的時間為8s | |
B. | 物體運(yùn)動的軌跡是拋物線 | |
C. | 物體運(yùn)動所能達(dá)到的最大位移為160m | |
D. | 在t=4s時刻,物體的瞬時速度為零 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 物體B向右做勻速運(yùn)動 | B. | 物體B向右做加速運(yùn)動 | ||
C. | 物體B向右做減速運(yùn)動 | D. | 物體B向右做勻加速運(yùn)動 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 衛(wèi)星“G1”和“G3”的加速度大小相等均為 $\frac{{R}^{2}}{r}$g | |
B. | 衛(wèi)星“G1”由位置A運(yùn)動到位置B所需的時間為$\frac{2πr}{3R}$$\sqrt{\frac{r}{g}}$ | |
C. | 如果調(diào)動“高分一號”衛(wèi)星到達(dá)衛(wèi)星“G3”所在的軌道,必須對其減速 | |
D. | “高分一號”是低軌道衛(wèi)星,其所在高度有稀薄氣體,運(yùn)行一段時間后,高度會降低,速度增大,機(jī)械能會減小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 普朗克常量的數(shù)值 | |
B. | 入射光的頻率加倍,光電子最大初動能加倍 | |
C. | 當(dāng)入射光的頻率增大,該金屬的逸出功隨之增大 | |
D. | 當(dāng)入射光的頻率增大,該金屬的極限頻率隨之增大 |
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