科目: 來(lái)源:不詳 題型:多選題
A.在t=0時(shí)無(wú)初速釋放,則粒子一定能打到A板上 | ||
B.在t=0時(shí)無(wú)初速釋放,粒子在滿足一定條件的情況下才會(huì)打到A板上 | ||
C.t=
| ||
D.t=
|
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:多選題
A.離子進(jìn)入電場(chǎng)的初速度相同 |
B.離子進(jìn)入電場(chǎng)的初mv相同 |
C.離子進(jìn)入電場(chǎng)的初動(dòng)能相同 |
D.離子必須經(jīng)同一加速電場(chǎng)加速 |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.塵粒最終一定都做勻速運(yùn)動(dòng) |
B.塵粒受到的電場(chǎng)力大小相等 |
C.電場(chǎng)對(duì)單個(gè)塵粒做功的最大值相等 |
D.乙容器中的塵粒運(yùn)動(dòng)為類平拋運(yùn)動(dòng) |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.
| B.
| C.
| D.2倍 |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:多選題
A.B點(diǎn)的電勢(shì)為0V |
B.電場(chǎng)線方向從右向左 |
C.微粒的運(yùn)動(dòng)軌跡可能是軌跡1 |
D.微粒的運(yùn)動(dòng)軌跡可能是軌跡2 |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.A、B兩點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)大小關(guān)系是EA<EB |
B.A、B兩點(diǎn)的電勢(shì)高低關(guān)系是φA>φB |
C.粒子在A、B兩點(diǎn)時(shí)的電勢(shì)能大小關(guān)系是EPA>EPB |
D.粒子在A、B兩點(diǎn)時(shí)的加速度大小關(guān)系是aA>aB |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:多選題
A.電子進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)的初速度為v0=
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B.其他條件不變,加速電壓U1越大,電子穿過(guò)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)的時(shí)間越長(zhǎng) | ||||
C.其他條件不變,加速電壓U1越大,電子穿過(guò)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)過(guò)程,偏轉(zhuǎn)距離越大 | ||||
D.其他條件不變,偏轉(zhuǎn)電壓U2越大,電子穿過(guò)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)過(guò)程,偏轉(zhuǎn)距離越大 |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:問(wèn)答題
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:問(wèn)答題
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:多選題
A.微粒的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖中的虛線1所示 |
B.微粒的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖中的虛線2所示 |
C.B點(diǎn)電勢(shì)為零 |
D.B點(diǎn)電勢(shì)為-20V |
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