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科目: 來(lái)源: 題型:解答題

20.離子推進(jìn)器的工作原理如圖所示,推進(jìn)劑氙原子由Q孔噴注入腔室C后,被電子槍G射出的電子碰撞而電離,成為帶正電的氙離子.氙離子從腔室C中飄移過(guò)柵電極A的速度大小可忽略不計(jì),在柵電極A、B之間的電場(chǎng)中加速,并從柵電極B噴出.在加速氙離子的過(guò)程中飛船獲得推力.
已知柵電極A、B之間的電壓為U,氙離子的質(zhì)量為m、電荷量為q.氙離子所受重力忽略不計(jì).
(1)該推進(jìn)器固定在地面上實(shí)驗(yàn)時(shí),氙離子通過(guò)柵電極B時(shí)的動(dòng)能;
(2)配有該離子推進(jìn)器的飛船的總質(zhì)量為M,現(xiàn)需要對(duì)飛船運(yùn)行方向作一次微調(diào),即通過(guò)推進(jìn)器短暫工作讓飛船在與原速度垂直方向上獲得一很小的速度△v,此過(guò)程中可認(rèn)為氙離子仍以第(1)中所求的速度通過(guò)柵電極B.推進(jìn)器在此次工作過(guò)程中噴射的氙離子數(shù)目為N.離子推進(jìn)器有一個(gè)參數(shù),它是離子推進(jìn)器工作過(guò)程中產(chǎn)生的推力與A、B之間的電場(chǎng)對(duì)氙離子做功的功率的比值S.推進(jìn)器工作時(shí)飛船的總質(zhì)量可視為不變.
①使氙離子獲得的動(dòng)能所消耗的功率P可以近似看作是離子推進(jìn)器消耗的功率?為什么?
②如果想加大推力F,那么比值S應(yīng)該加大還是減小?為什么?

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科目: 來(lái)源: 題型:解答題

19.如圖甲所示,在真空中足夠大的絕緣水平面上,有一個(gè)質(zhì)量m=0.20kg,帶電荷量q=2.0×10-6C的小物塊(視為質(zhì)點(diǎn))處于靜止?fàn)顟B(tài).從t=0時(shí)刻開(kāi)始,在水平面上方空間加一個(gè)水平方向的電場(chǎng),電場(chǎng)強(qiáng)度隨時(shí)間的變化如圖乙所示(水平向右的方向?yàn)檎较颍阎∥飰K與水平面間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ=0.10,取重力加速度g=10m/s2.求:
(1)t=0.50s時(shí)小物塊的加速度大;
(2)t=1.0s時(shí)小物塊的速度大。
(3)小物塊運(yùn)動(dòng)2.0s位移大。

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科目: 來(lái)源: 題型:解答題

18.用如圖1所示的實(shí)驗(yàn)裝置驗(yàn)證機(jī)械能守恒定律.

①實(shí)驗(yàn)中的電磁打點(diǎn)計(jì)時(shí)器,其電源應(yīng)使用輸出電壓為6V的交流電(選填“交流電”或“直流電”).
②先接通電源,使重錘從高處由靜止開(kāi)始下落,打點(diǎn)計(jì)時(shí)器每經(jīng)過(guò)T時(shí)間在重錘拖著的紙帶上打出一個(gè)點(diǎn).其中A、B和C、D、E是兩段連續(xù)打出的點(diǎn),B、C間有一段紙帶未畫(huà)出.用刻度尺測(cè)量出各點(diǎn)間的距離分別為s1、s2、s3和s4,如圖2所示.當(dāng)?shù)刂亓铀俣葹間.打點(diǎn)計(jì)時(shí)器在打出D點(diǎn)時(shí)重錘下落的速度vD=$\frac{{{s_3}+{s_4}}}{2T}$,若測(cè)得打出B點(diǎn)時(shí)重錘下落的速度為vB,則該實(shí)驗(yàn)需要驗(yàn)證的關(guān)系式是$g({{s_2}+{s_3}})=\frac{{{{({{s_3}+{s_4}})}^2}}}{{8{T^2}}}-\frac{v_B^2}{2}$.(用題目給出的物理量符號(hào)表示).

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科目: 來(lái)源: 題型:選擇題

17.2013年6月20日,女航天員王亞平在“天宮一號(hào)”目標(biāo)飛行器里成功進(jìn)行了我國(guó)首次太空授課.授課中的一個(gè)實(shí)驗(yàn)展示了失重狀態(tài)下液滴的表面張力引起的效應(yīng).在視頻中可觀察到漂浮的液滴處于周期性的“脈動(dòng)”中.假設(shè)液滴處于完全失重狀態(tài),液滴的上述“脈動(dòng)”可視為液滴形狀的周期性的微小變化(振動(dòng)),如圖所示.已知液滴振動(dòng)的頻率表達(dá)式為f=k$\sqrt{\frac{σ}{ρ{r}^{3}}}$,其中k為一個(gè)無(wú)單位的比例系數(shù),r為液滴半徑,ρ為液體密度;σ(其單位為N/m)為液體表面張力系數(shù),它與液體表面自由能的增加量△E(其單位為J)和液體表面面積的增加量△S有關(guān),則在下列關(guān)于σ、△E和△S關(guān)系的表達(dá)式中,可能正確的是( 。
A.σ=△E×△SB.σ=$\frac{1}{△E×△S}$C.σ=$\frac{△E}{△S}$D.σ=$\frac{△S}{△E}$

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科目: 來(lái)源: 題型:多選題

16.某同學(xué)利用圖甲裝置研究磁鐵下落過(guò)程中的電磁感應(yīng)有關(guān)問(wèn)題.打開(kāi)傳感器,將磁鐵置于螺線管正上方距海綿墊高為h處?kù)o止釋放,穿過(guò)螺線管后掉落到海綿墊上并靜止(磁鐵下落過(guò)程中受到的磁阻力遠(yuǎn)小于磁鐵的重力,且不發(fā)生轉(zhuǎn)動(dòng)),不計(jì)線圈電阻,計(jì)算機(jī)熒屏上顯示出圖乙的UI-t曲線,圖乙中的兩個(gè)峰值是磁鐵剛進(jìn)入螺線管內(nèi)部和剛從內(nèi)部出來(lái)時(shí)產(chǎn)生的,對(duì)這一現(xiàn)象相關(guān)說(shuō)法正確的是( 。
A.若僅增大h,兩個(gè)峰值間的時(shí)間間隔會(huì)增大
B.若僅減小h,兩個(gè)峰值都會(huì)減小
C.若僅減小h,兩個(gè)峰值可能會(huì)相等
D.若僅減小滑動(dòng)變阻器接入電路的阻值,兩個(gè)峰值都會(huì)增大

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科目: 來(lái)源: 題型:選擇題

15.如圖所示,一根空心鋁管豎直放置,把一枚小圓柱形的永磁體從距離鋁管上端為h處由靜止釋放,經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后,永磁體穿出鋁管下端口.假設(shè)永磁體在鋁管內(nèi)下落過(guò)程中始終沿著鋁管的軸線運(yùn)動(dòng),不與鋁管內(nèi)壁接觸,且無(wú)翻轉(zhuǎn).忽略空氣阻力,則下列說(shuō)法中正確的是(  )
A.若僅增大h,則永磁體穿出鋁管時(shí)的速度一定變大
B.若僅增大h,則永磁體穿過(guò)鋁管的過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱減少
C.在永磁體穿過(guò)鋁管的過(guò)程中,永磁體一定做勻加速運(yùn)動(dòng)
D.在永磁體穿過(guò)鋁管的過(guò)程中,一定有機(jī)械能轉(zhuǎn)換成電能

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科目: 來(lái)源: 題型:選擇題

14.甲、乙兩個(gè)帶電粒子,以相同的速率經(jīng)小孔P垂直磁場(chǎng)邊界MN進(jìn)入方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),并垂直磁場(chǎng)邊界MN射出磁場(chǎng),半圓軌跡如圖中虛線所示.不計(jì)粒子所受重力及空氣阻力,則下列說(shuō)法中正確的是(  )
A.甲帶正電,乙?guī)ж?fù)電
B.甲的荷質(zhì)比小于乙的荷質(zhì)比
C.甲、乙兩個(gè)帶電粒子從進(jìn)入磁場(chǎng)到穿出磁場(chǎng)的過(guò)程中,洛倫茲力對(duì)甲、乙的沖量為零
D.甲的運(yùn)行時(shí)間小于乙的運(yùn)行的時(shí)間

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科目: 來(lái)源: 題型:選擇題

13.一簡(jiǎn)諧機(jī)械橫波沿x軸傳播,在t=0時(shí)刻的波形曲線如圖甲所示,該波在x=0處質(zhì)點(diǎn)的振動(dòng)圖象如圖乙所示.則下列說(shuō)法中正確的是( 。
A.該波的波速為2.0m/s
B.這列波的振幅為60cm
C.t=0時(shí),x=4.0m處質(zhì)點(diǎn)比x=5.0m處質(zhì)點(diǎn)的加速度大
D.t=0時(shí),x=8.0m處質(zhì)點(diǎn)沿y軸正方向運(yùn)動(dòng)

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科目: 來(lái)源: 題型:選擇題

12.a、b兩種單色光以相同的入射角從玻璃射向空氣中,光路如圖所示.根據(jù)這兩種光的傳播情況,判斷下列說(shuō)法中正確的是( 。
A.a光的頻率較高
B.a光的波長(zhǎng)較大
C.用b光照射某金屬時(shí)能產(chǎn)生光電效應(yīng),則a光照射該金屬時(shí)也一定能產(chǎn)生光電效應(yīng)
D.用a、b光分別照射A、B兩種金屬時(shí),若光電子的最大初動(dòng)能相等,則A金屬的逸出功較大

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科目: 來(lái)源: 題型:選擇題

11.a、b兩種單色光以相同的入射角從玻璃射向空氣中,光路如圖所示.根據(jù)這兩種光的傳播情況,判斷下列說(shuō)法中正確的是(  )
A.在該玻璃中傳播時(shí),b光的速度較大
B.以相同的入射角從空氣斜射入該玻璃中,b光折射角較大
C.從該玻璃中射入空氣發(fā)生全反射時(shí),a光臨界角較大
D.用同一裝置進(jìn)行雙縫干涉實(shí)驗(yàn),b光的相鄰條紋間距較大

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