A. a點(diǎn)的電勢一定低于b點(diǎn)

B. a點(diǎn)的動能一定小于b點(diǎn)

C. a點(diǎn)的電勢能一定小于b點(diǎn)

D. a點(diǎn)的加速度一定小于b點(diǎn)

【題目】光滑水平面上停放著質(zhì)量m1＝3kg的小車A，其左端緊靠著粗糙軌道MP，上表面與MP在同一水平面上。質(zhì)量m2＝1kg的小物塊B由距P點(diǎn)＝1.25m處以速度v0＝3m/s開始運(yùn)動，物塊滑到小車上后剛好沒有從小車上掉下。已知物塊B與軌道MP、小車A間的動摩擦因數(shù)均為＝0.2，g＝10m/s2。求：

（1）小車的長度L；

（2）若在物塊B滑上小車A同時(shí)，在小車右端施加一水平向右的恒力F＝16N，多長時(shí)間后，物塊能滑下小車？

A. E＝F/q是電場強(qiáng)度的定義式，F是放入電場中的電荷所受的力，q是產(chǎn)生電場的電荷的電荷量

B. 庫侖定律的表達(dá)式，式是點(diǎn)電荷q2產(chǎn)生的電場在點(diǎn)電荷q1處的場強(qiáng)大小，而是點(diǎn)電荷q1產(chǎn)生的電場在q2處場強(qiáng)的大小

C. 電荷在電場中不受靜電力的作用，則該處的電場強(qiáng)度不一定為零

D. 一小段通電導(dǎo)線在某處不受磁場力的作用，則該處磁感應(yīng)強(qiáng)度一定為零

A. 在A和C時(shí)刻線圈處于中性面位置

B. 在B和D時(shí)刻穿過線圈的磁通量為零

C. 從A~D時(shí)刻線圈轉(zhuǎn)過的角度為2π

D. 若從O~D時(shí)刻歷時(shí)0.02s，則在1s內(nèi)交變電流的方向改變100次

A．將氣墊導(dǎo)軌組裝并調(diào)節(jié)水平，在氣墊導(dǎo)軌上適當(dāng)位置固定兩個光電門G1、G2

B．調(diào)整滑塊P上的遮光片，使其不能擋光，將兩滑塊輕放在導(dǎo)軌上，如圖甲，推動滑塊Q后撤去推力，滑塊Q以一定的速度通過光電門G1，遮光片通過光電門G1的時(shí)間為t1＝0.016s

C．當(dāng)滑塊Q與P相撞后粘在一起，遮光片通過光電門G2的時(shí)間為t2＝0.034s

D．用游標(biāo)卡尺測得遮光片寬度d如圖乙所示

（1）游標(biāo)卡尺的讀數(shù)為______mm；

（2）滑塊Q的質(zhì)量為______g（保留三位有效數(shù)字）。

A. B將加速下滑

B. A對B的支持力減小

C. A對B的作用力保持不變

D. A對地面的壓力變大

A．該波的波速為20m/s

B．該波沿x軸負(fù)方向傳播

C．t＝0.1s時(shí)刻質(zhì)點(diǎn)Q的運(yùn)動方向沿y軸正方向

D．t＝0.2s時(shí)刻質(zhì)點(diǎn)Q的速度大于質(zhì)點(diǎn)P的速度

E．t＝0.3s時(shí)刻質(zhì)點(diǎn)Q距平衡位置的距離大于質(zhì)點(diǎn)P距平衡位置的距離

A. V1、V2不變，A1增大，A2減小，P增大

B. V1、V2不變，A1、A2增大，P增大

C. V1、V2不變，A1、A2減小，P減小

D. V1不變，V2增大，A1減小，A2增大，P減小

A．醫(yī)學(xué)上利用液晶來檢查腫瘤，是利用了液晶的溫度效應(yīng)

B．自然發(fā)生的熱傳遞過程是沿著分子熱運(yùn)動無序性增大的方向進(jìn)行的

C．非晶體的物理性質(zhì)各向同性而晶體的物理性質(zhì)都是各向異性

D．物體吸收熱量，同時(shí)對外做功，其內(nèi)能可能增加

E．分子熱運(yùn)動各速率間的分子數(shù)占總分子數(shù)的比例是常數(shù)，與溫度無關(guān)

A. 彈簧的最大伸長量為0.14m

B. 當(dāng)小球運(yùn)動到最低點(diǎn)時(shí)，彈簧的彈性勢能為0.098J

C. 小球先做加速度減小的加速運(yùn)動，再做加速度增大的減速運(yùn)動，直到停止

D. 活塞克服摩擦力做功大小為0.147J